| 題名 | プラズマジェットを用いたシリカガラス合成 |
| 著者 | *安井 誠治, 崎山 智司 (山口大学大学院理工学研究科電子デバイス工学専攻) |
| Page | p. 3 |
| Keyword | プラズマ, 石英, シリコン |
| Abstract | 本研究では、シリコン粉末粒子と酸素ガスを素材としてプラズマジェット中に注入する事により、石英膜を合成する事を目的とする。 今回は特に、酸素供給量及び基板温度が石英膜合成に及ぼす影響について検討した。 |
| 題名 | ツインカソード型プラズマトーチの動作特性 |
| 著者 | *有田 雄一, 崎山 智司 (山口大学), 石丸 秀雄 (中国電力) |
| Page | p. 4 |
| Keyword | プラズマジェット, ツインカソード |
| Abstract | 軸方向からの材料送給が可能なツインカソード型プラズマトーチは材料送給時に動作が不安定となりやすいという欠点がある。本研究では、ツインカソード型プラズマトーチの安定性の改善及び高品質皮膜形成を目的とし、種々のプロセス条件下でのトーチの動作特性について検討する。 |
| 題名 | 正イオン照射条件に依存する水素ペアイオンの生成特性 |
| 著者 | *前田 健雄, 樋口 剛史, 大原 渡 (山口大学大学院理工学研究科) |
| Page | pp. 5 - 6 |
| Keyword | 水素ペアイオン, 触媒イオン化, DC放電 |
| Abstract | 負イオンは表面生成法と体積生成法によって生成されることが知られている．しかし，既知の負イオン生成法では，水素以外のイオンや電子がプラズマ中に混入する．そこで，水素に対して触媒作用を有する金属に放電プラズマを照射することによって，水素ペアイオンの同時等量生成を試みた．本実験では正イオン照射量，正イオン照射エネルギーをそれぞれ制御して照射することに成功した．水素ペアイオン生成量は，正イオン照射量及び正イオン照射エネルギーそれぞれ独立に依存し，大きいほど生成量は増加する． |
| 題名 | 円筒形多孔体触媒より生成した水素ペアイオンの引き出し特性 |
| 著者 | *樋口 剛史, 前田 健雄, 大原 渡 (山口大学大学院理工学研究科) |
| Page | pp. 7 - 8 |
| Keyword | 負イオン源, 触媒イオン化, 円筒形触媒 |
| Abstract | 核融合プラズマ加熱のための，N-NBI用のセシウムフリー負イオンの開発を行っている．直流アーク放電プラズマを多孔体触媒に照射することにより，水素負イオンの生成を試みている．N-NBIにおいて，正イオンバックストリームが負イオン源に入射することは避けられないため，ビームの直撃を防ぐため円筒形触媒を用いた負イオン源の開発を行っている．偏向電場による電子・正負イオンの分離計測を可能とし，原子状水素正負イオン生成における正イオン照射エネルギー，照射量の依存性について明らかにした． |
| 題名 | ヘリコン波プラズマ照射触媒イオン化機構を用いた水素負イオン源の開発 |
| 著者 | *田島 慎也, 大原 渡 (山口大学大学院理工学研究科) |
| Page | pp. 9 - 10 |
| Keyword | 水素ペアイオン, 触媒イオン化, ヘリコン波放電 |
| Abstract | 中性粒子加熱装置の重要コンポーネントである負イオン源は，セシウムを使用した表面生成法が主流である．ここでセシウム，フィラメントが不要な触媒イオン化法という新たなイオン化機構を提案して，負イオンの表面生成を試みている．本研究では直流放電プラズマではなく，RF帯のヘリコン波放電プラズマを多孔体触媒に照射して，原子状水素正負イオンの生成特性について調べた．水素正負イオンの生成量は，触媒への正イオン照射量に依存することが分かった．一方，正イオン照射エネルギーと照射量を増加させた場合，正負イオンの生成量が減少する傾向が観測された．高周波電磁場が触媒イオン化に及ぼす影響などについて調べる． |
| 題名 | ECRプラズマを用いた水素ペアイオン生成 |
| 著者 | *太田 智喜, 大原 渡 (山口大学大学院理工学研究科) |
| Page | pp. 11 - 12 |
| Keyword | ペアイオンプラズマ, 触媒イオン化, ECRプラズマ |
| Abstract | 現在，負イオン源には表面生成法と体積生成法を用いられるのが主である．しかし，これらの方法ではプラズマ中に不純物が混入するため，新しい負イオン源の開発が望まれている．そこで我々は触媒イオン化による新しい負イオン源開発を試みている．本稿ではECRプラズマで生成した正イオンの触媒への照射方法を変化させた時，触媒を透過した後に生成される原子状水素正負イオンの生成特性について述べる． |