題名 | 再構成デバイスMPLDにおける基本構成ユニットの構成手法の検討 |
著者 | *淺枝 昌則, 戸口 博昭, 谷川 一哉, 弘中 哲夫 (広島市立大), 佐藤 正幸, 石黒 隆 (太陽誘電) |
Page | pp. 499 - 500 |
→詳細データ (アブストラクト,キーワード,詳細な著者の所属など) |
題名 | MOSFETしきい値電圧ばらつきを表わすパラメータの抽出 |
著者 | *嶧田 尚弥, 寺田 和夫, 辻 勝弘 (広島市立大), 角村 貴昭, 西田 彰男 (半導体先端技術テクノロジーズ) |
Page | p. 501 |
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題名 | MOSFETを用いた多端子対ジャイレータの構成 |
著者 | *宮川 慎也, 田中 裕典, 沖根 光夫 (広島工大) |
Page | p. 502 |
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題名 | OTAを用いた基本回路ブロックの構成 |
著者 | *片山 健一, 佐伯 昌俊, 浜崎 裕也, 浜 聖也, 沖根 光夫 (広島工大) |
Page | p. 503 |
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題名 | 多数の比較器を用いた可変長復号方法に関する研究 |
著者 | *三宅 崇, 小椋 清孝, 森下 賢幸, 佐々木 伸夫 (岡山県立大) |
Page | p. 504 |
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