| 題名 | 誘導結合プラズマ支援型アンバランスマグネトロンスパッタ法により作製したCu薄膜の基板温度依存性 |
| 著者 | *大谷 和輝, 坂田 直文, 尾崎 徹 (広島工業大学) |
| Page | p. 391 |
| Keyword | スパッタ法, 銅薄膜, プラズマ, 表面形状, AFM |
| Abstract | スパッタ法において、スパッタ原子が膜表面で活発に拡散すると、隙間や空孔の少ない高密度の薄膜が得られることが知られている。本研究では、誘導結合プラズマ支援型アンバランスマグネトロンスパッタ法を用いてCu薄膜を作製することにより、Cu原子の表面拡散が膜構造に及ぼす効果を調べた。ガラス基板上の磁束と温度を変化させて作製したCu薄膜をAFM観察した結果、磁束密度または温度が増加するとともに表面粒径が増加することが分かった。これらは、誘導結合プラズマ支援型アンバランスマグネトロンスパッタ法において基板上の磁束密度または温度が増加すると、Cu原子の表面拡散が活発になることを示している。 |
| 題名 | MOSFETにおける利得ばらつきの解析 |
| 著者 | *武田 諒, 寺田 和夫, 讃井 和彦 (広島市立大学 情報科学研究科) |
| Page | p. 392 |
| Keyword | MOSFET, 利得, ばらつき |
| 題名 | エポキシ樹脂のトリー伸展に及ぼす不平等電界下の空間電荷の影響 （その２） |
| 著者 | *下瀬 弘幸 (大島商船高等専門学校 電子・情報システム工学専攻), 藤井 雅之 (大島商船高等専門学校 電子機械工学科), 高尾 透, 福間 眞澄 (松江工業高等専門学校), 長尾 雅行, 村上 義信 (豊橋技術科学大学) |
| Page | p. 393 |
| Keyword | 線−平板電極, エポキシ樹脂, 空間電荷, 不平等電界, トリー |
| Abstract | 絶縁材料中の異物やボイドは，不平等電界の原因となり，部分放電やトリーイングなどによる劣化が進行し，絶縁破壊に至る。このような劣化に対して，不平等電界下で形成される空間電荷の影響が分かれば，劣化診断の有益な情報になると考えている。本研究では，線−平板電極を構成した試料に交流高電圧を印加し，不平等電界下においてエポキシ樹脂の劣化に及ぼす空間電荷の影響を調査することを目的としている。実験の結果，空間電荷分布の変化と絶縁性能の劣化には，相関があると考えられた。 |
| 題名 | 部分溶融Sm系超電導体の保持温度依存性 |
| 著者 | *高橋 俊之 (松江工業高等専門学校 電子情報システム工学専攻), 木村 友軌, 松本 浩介, 今尾 浩也 (松江工業高等専門学校 電子制御工学科) |
| Page | p. 394 |
| Keyword | Sm系超電導体, 部分溶融法, 結晶配向, ピンニングセンター |
| Abstract | 本研究では部分溶融法により作製した超電導体の表面に形成される結晶粒の配向に着目し、保持温度を1020℃から1050℃まで変化させて結晶配向が異なる超電導体を作製した。これにより試料の結晶配向は保持温度が上昇するにつれて大きく形成された。配向が大きく形成された試料のピンニングエネルギー(Up)と臨界電流密度(Jc)は配向の小さいものより大きな値となり、保持温度1050℃でUpは443μJ、Jcは71.2A/cm2であった。これは結晶配向が大きいものほどピンニングセンタの分量が増加しJcが向上していることを示唆している。 |
| 題名 | プラスチック光ファイバ端面処理の検討 |
| 著者 | *恒次 秀起 (松江工業高等専門学校 電気工学科), 濱崎 雄也 (（株）ジェイ・オー・ファーマ) |
| Page | p. 395 |
| Keyword | POF, 端面処理, 鏡面, プラスチック光ファイバ |
| Abstract | 近年インターネットなどの普及に伴い大容量の情報が伝達できる光ファイバ通信が急速に進展している。このような状況の中で、従来の石英系の光ファイバに変えて、取扱いの容易さや低価格な特徴を持っていることからプラスチック光ファイバ（POF)が利用されてきている。POFを各種の光部品などに適用する際、鏡面に仕上げる端面処理が重要となる。本論文は、多対の光部品などへの適用をめざし、研磨紙や研磨布などを組み合わせた端面処理技術についてまとめたものである。 |
| 題名 | PIT法アルミシースMgB2超伝導線材の特性 |
| 著者 | *野中 琢哉, 原田 直幸, 内藤 裕志 (山口大学大学院), 三宮 大喜 (ジャパンファインスチール) |
| Page | p. 396 |
| Keyword | 超伝導, PIT法, MgB2, Jc |
| Abstract | MgB2超伝導体は、金属系超伝導体の中で最も高い臨界温度（TC=39K）を示す。このMgB2を線材化することで温度は冷凍機で比較的簡単に到達できる温度20K近傍で動作する超伝導コイルへの応用が期待されているが、その応用において臨界電流密度JCの向上が望まれ、臨界電流密度の向上を目的とした、研究が進められている。本報告では、MgフレークとアモルファスB粉末、アルミのシース材を用いて、PIT法により線材を作製して、温度ごとの臨界電流密度JCを評価し、比較した。 |
| 題名 | 酸化物超伝導体を用いた超伝導インバータの検討 |
| 著者 | *白井 洋行, 廣兼 聖也, 原田 直幸, 内藤 裕志 (山口大学大学院理工学研究科) |
| Page | p. 397 |
| Keyword | 超伝導, インバータ, Bi系超伝導体 |