| 題名 | 吸水処理を施した低密度ポリエチレンの空間電荷量に及ぼす試料厚さの影響 |
| 著者 | *角野 毅, 光本 真一 (宇部工業高等専門学校／電気工学科) |
| Page | p. 317 |
| Keyword | 空間電荷, 吸水処理 |
| 題名 | 極低温領域におけるナノコンポジット絶縁破壊特性 |
| 著者 | *高尾 佳史 (松江工業高等専門学校 電子情報システム工学専攻), 箕田 充志 (松江工業高等専門学校) |
| Page | p. 318 |
| Keyword | 極低温, ナノコンポジット |
| Abstract | 本稿では，ナノコンポジットポリイミドフィルムの極低温における絶縁破壊特性について検討した結果を述べる。ナノコンポジットポリイミドフィルムは極低温領域において，低周波においては若干の放電電圧の低下がみられるが，高周波では室温と同等の破壊値を有することが示された。 |
| 題名 | InP基板上へのGe1-xMnxTeの成長における初期Te供給条件の検討 |
| 著者 | *兼友 亮典, 山内 慎也, 浅田 裕法, 小柳 剛 (山口大学) |
| Page | p. 319 |
| Keyword | InP, GeMnTe, MBE |
| Abstract | 希薄磁性半導体GeMnTe薄膜をMBE法により成長前にTeを供給し、Geサイトからの成長を行うことで結晶性の向上を目指した。このためサーマルクリーニング時におけるTe供給条件について検討を行った。また成長したGeMnTe の磁気特性を評価した。SQUIDによりM2-Tプロットを行い算出したキュリー温度は30 Kであった。次にホール測定アロット・プロットを行い求めたTcは30 Kであり、SQUIDの測定結果一致した。しかし、BaF２基板ではMn濃度x=0.08の場合に190 Kのキュリー温度が得られていることから、さらなる結晶性の向上が必要である。 |
| 題名 | GeMnTe/GeTe/EuS/GeTe積層膜の作製と磁気特性 |
| 著者 | *西畑 広, 上村 光弘 (山口大学大学院理工学研究科), 仙波 伸也 (宇部工業高等専門学校), 浅田 裕法, 小柳 剛 (山口大学大学院理工学研究科) |
| Page | p. 320 |
| Keyword | スピンフィルター, 強磁性半導体, GeTe |
| Abstract | スピンフィルタとして働く強磁性絶縁体を用いた強磁性トンネル接合素子(MTJ)は高スピン偏極電流源として期待されている。このとき両磁性層の磁化の反平行状態の実現には強磁性間の交換相互作用を切る必要がある。本研究ではGeMnTeとEuSの間に中間層として非磁性体のGeTeを挿入したGeMnTe/GeTe/EuS/GeTe積層膜を作製し磁気特性について検討を行った。また界面の数を増やす目的から[GeMnTe/GeTe/EuS/GeTe]を10層積層した膜を作製し、特性を評価した。 |
| 題名 | マグネトロンスパッタ法によるBa8Ga16Ge30クラスレート薄膜の作製 |
| 著者 | *財満 修, 岸本 堅剛, 浅田 裕法, 小柳 剛 (山口大学大学院理工学研究科) |
| Page | p. 321 |
| Keyword | クラスレート, �限家焼蛎�, 強磁性半導体, マグネトロンスパッタ |
| Abstract | クラスレートと呼ばれるかご状の結晶構造は，熱電材料の分野において熱伝導度が低く，電気伝導度が高いことから非常に注目されているが，Ge系クラスレートにFeをドープすることでキュリー温度170 Kが得られたことが報告されている．我々はGe系クラスレートに遷移金属とドープした薄膜の作製を目指しており，今回はマグネトロンスパッタ法により，その母体となるBa8Ga16Ge30の薄膜化を試みた．このときRFパワーおよび基板温度について検討し，RFパワー：50 W，基板温度：700℃から800℃においてクラスレート構造が得られた． |
| 題名 | 溝状人工ピンを導入したNb膜の磁束密度分布に関する検討 |
| 著者 | *近重 詳, 何 継方, 原田 直幸, 内藤 裕志, 浅田 裕法 (山口大学), 石橋 隆幸 (長岡技術科学大学) |
| Page | p. 322 |
| Keyword | 超伝導, 人工ピン, ビーンモデル, MBE法 |
| 題名 | 高温超伝導バルクの液体窒素保有効果 |
| 著者 | *松本 洋明 (津山工業高等専門学校 専攻科 電子・情報システム工学専攻), 原田 寛治 (津山工業高等専門学校 電気電子工学科) |
| Page | p. 323 |
| Keyword | 高温超伝導, バルク |
| Abstract | 高温超伝導バルクのマイスナー効果による浮上時間は、バルク密度に深く関わっていることが分かってきた。これはバルクの空孔に液体窒素が入り保冷効果が生じるためである。本研究ではバルクを塗料でコーティングすることにより、液体窒素保有量と浮上時間の関係を調べた。その結果、液体窒素保有量を調整することによりバルクの浮上時間を制御できることが分かった。 |