| 題名 | ポリイミドフィルムの絶縁破壊前の短時間間隔での空間電荷分布測定 |
| 著者 | *山田 達也 (松江工業高等専門学校 電気工学科 福間研究室), 福間 眞澄 (松江工業高等専門学校), 長尾 雅行, 村上 義信 (豊橋技術科学大学) |
| Page | p. 371 |
| Keyword | ポリイミド, 絶縁破壊, 空間電荷, PEA法 |
| Abstract | ポリイミドは，耐熱性と機械特性に優れた高分子材料であることから，電子材料および航空宇宙分野で広く利用されている。パルス静電応力(PEA)法は，絶縁材料中の空間電荷分布の測定法として広く利用されている。この方法は，接地されたシールドケース内に計測のためのセンサが収納されているため，絶縁破壊直前までの空間電荷分布測定が可能である。高分子中の空間電荷分布は過渡的に変化することから，短時間間隔で空間電荷分布を測定する技術を開発することは，その高分子の電気特性を測定する上で重要である。ここでは，絶縁破壊を基点に，ポリイミドフィルムの絶縁破壊前の空間電荷分布を測定したので報告する。 |
| 題名 | Bi系超電導厚膜の作製と高品質化 |
| 著者 | *難波 佑司, 松本 浩介, 今尾 浩也 (松江工業高等専門学校/電子制御工学科) |
| Page | p. 372 |
| Keyword | 化学溶液法, Bi系超電導体, 厚膜 |
| Abstract | 本研究では、化学溶液法による高品質なBi系超電導厚膜を作製した。試料の作製は、MgO基板に前駆体溶液を塗布し、乾燥・仮焼した後、塗布・乾燥・仮焼のプロセスを3回繰り返した。これにより成膜された基板を半溶融プロセスを経て焼結して試料を作製した。作製した試料は、基板全体にわたって厚膜を形成することができた。また、R-T特性測定により83.8[K]のTcを得ることができたことから、作製された厚膜は2212相Bi系超電導体となっていることが明らかになった。 |
| 題名 | Y系酸化物超電導体の磁気浮上力の測定 |
| 著者 | *井上 崇史, 松本 浩介, 今尾 浩也 (松江工業高等専門学校/電子制御工学科) |
| Page | p. 373 |
| Keyword | 完全反磁性, Y系超電導体, 浮上力 |
| Abstract | 完全反磁性によりY系酸化物超電導体を安定して浮上させるため、超電導体の形状、配置が浮上力に与える影響を調べた。超電導体を2列に配置してマグネットの発生する磁束を拘束する。このときの超電導体の縦幅、横幅、2列間の隙間を変化させ、マグネットの磁気浮上力を測定した。φ15mm、1.94g、2.54×10-5Wbのマグネットを使用した場合、横幅6.35mm、縦幅4mmのY系超電導体を4mmの隙間で配置すれば、磁束が充分に排除され安定かつ高い浮上高さが得られることが分かった。超電導体の形状、配置を最適化することで目的とする浮上特性が得られることが重要である。 |
| 題名 | 人工ピンを導入したBi-2212相超電導単結晶の高Jc化 |
| 著者 | *門脇 有希, 糸賀 勇輔, 松本 浩介, 今尾 浩也 (松江工業高等専門学校/電子制御工学科) |
| Page | p. 374 |
| Keyword | 単結晶, ピンニングセンタ, 大電流, 超電導 |
| Abstract | 本研究ではBi-2212相超電導単結晶にピンニングセンタとして利用できる可能性のあるAl2O3を導入するため、Al2O3の浸透方法と熱処理順序を変えることで、Al2O3のピンニングセンタとしての浸透度を検討し、単結晶自体の大電流化を試みた。Al2O3浸透を行った後にAu電極形成を行うことで、単結晶の深くまでAl2O3が浸透することが明らかとなった。また、浸透したAl2O3がピンニングセンタとして効果的に働き、Bi-2212相超電導単結晶のJcを向上させることが可能であることがわかった。 |
| 題名 | 誘導結合プラズマ支援型アンバランスマグネトロンスパッタ法によるCu薄膜の基板バイポーラパルス電圧依存性 |
| 著者 | *福井 一生, 森重 史也, 川畑 敬志 (広島工業大学 工学部) |
| Page | p. 375 |
| Keyword | スパッタ法, 薄膜 |
| Abstract | 近年、実装配線技術分野における電極配線の課題として、低抵抗であることや高エレクトロマイグレーション耐性などが求められている。エネルギー粒子の基板照射は表面拡散による膜質の高密度化、膜表面の平坦化、基板と膜の付着力強化など成膜に重要な役割を果たす。本研究ではターゲット前方にソレノイドコイルを設けた誘導結合プラズマ支援型アンバランスマグネトロンスパッタ法を用いて、熱酸化Si基板上に作製したCu薄膜の表面形状の基板バイポーラパルス電圧依存性について検討した。 |