| 題名 | Agを添加したYBa2Cu3Oyバルクの部分溶融反応 |
| 著者 | *平田 真之 (津山工業高等専門学校 専攻科 電子・情報システム工学専攻), 原田 寛治 (津山工業高等専門学校 電気電子工学科) |
| Page | pp. 445 - 446 |
| Keyword | 部分溶融, Ag添加, Y123, Y211, マイスナー効果 |
| Abstract | YBa2Cu3Oy(Y123)超伝導相は、Y2BaCuO5(Y211)常伝導相と液相との包晶反応により、半溶融状態から生成されることが知られている 一方、近年、超伝導体内に不純物を添加し、超伝導体にどのような影響をおよぼすかの研究が盛んに行なわれている。 そこで、本研究では、Y123バルクにAgを添加して作製した。その結果、Y123にAgを添加することで、Y123バルクのマイスナー効果によるバルクの浮上時間が大幅に向上した。また、Ag添加したY123バルクをY211バルクで挟み部分溶融をすることでY123バルクからY211バルクへ、液相とAgが移動することがわかったので報告する。 |
| 題名 | 光を電流・電気信号に変換するデバイス特性の解析と応用に関する研究 |
| 著者 | *賀屋 雅樹, 一番ヶ瀬 剛 (大島商船高等専門学校) |
| Page | pp. 447 - 448 |
| Keyword | 半導体, 接合, 電流ー電圧特性 |
| Abstract | 本研究では,半導体接合部の構造を,電流−電圧特性の評価から解析する方法を検討している.本研究の第一段階として,評価システムの測定による値が正常値を示しているかを確認する実験を行った.そしてその結果について述べる. 第二段階として評価システムに以下の機構を付加させる.測定・評価対象である半導体デバイスに任意の波長の光を照射させながらの解析が行える機構を付加する.半導体接合部に光を照射し,そのレスポンスを解析することでデバイスの任意の位置の構造解析が可能になる.さらに半導体デバイスの中で光関連デバイスの研究に対象を広げることができる. 本研究の今後の展望は,この評価システムに分光器を付加させることにより,光導電効果や光起電力効果を有している太陽電池・光センサデバイス等の評価・解析を可能とするシステムの構築を目指す. |
| 題名 | ステップ状人工ピンの導入と特性の検討 |
| 著者 | *松村 直也 (山口大学工学部理工学研究科電子デバイス工学専攻), 何 継方, 原田 直幸, 内藤 裕志 (山口大学) |
| Page | p. 449 |
| Keyword | 超伝導, ピンニングセンター, 量子化磁束 |
| 題名 | (Ge1-yPby)1-xMnxTe薄膜における磁気特性の検討 |
| 著者 | 大路 敦之, 北堀 大輔 (山口大学大学院理工学研究科), 福間 康裕 (アラバマ大), *浅田 裕法, 小柳 剛 (山口大学大学院理工学研究科) |
| Page | p. 450 |
| Keyword | 希薄磁性半導体, 強磁性, キャリア誘起 |
| Abstract | 希薄磁性半導体(Ge,Pb)MnTe薄膜をクラスターイオンビーム(ICB)法により作製し、磁気特性のPb組成依存性について検討するとともに、Mn組成の増加を試みた。その結果、Pb組成の増加に伴うキャリア濃度の減少とともにキュリー温度の急激な低下がみられた。また、Pb組成y≒0.47の試料においてキュリー温度のMn組成依存性を調べた結果、Mn組成0.22まではMn組成の増加によりTcが増加した。しかしながら、今回の実験では、x=0.29の試料において、Tcは著しく減少しており、結晶性の劣化等によるものと考えられる。 |
| 題名 | 電圧印加前後における空間電荷密度に及ぼす吸水の影響 |
| 著者 | *三浦 洋輔, 光本 真一 (宇部工業高等専門学校) |
| Page | p. 451 |
| Keyword | 電荷, ポリエチレン |