| 題名 | RFスパッタ法による水素を含む窒化炭素薄膜の作成に関する研究 |
| 著者 | *岸本 道正 (津山工業高等専門学校 電気電子工学科), 三宅 悠貴, 西村 一真 (津山工業高等専門学校 ), 岩野 裕太 (津山工業高等専門学校 電子情報システム工学専攻), 橘高 稔明, 寒川 匡哉, 田渕 秀和 (岡山理科大学), 國次 真輔 (岡山県工業技術センター), 財部 健一 (岡山理科大学 理学部), 伊藤 國雄 (津山工業高等専門学校 電気電子工学科) |
| Page | p. 57 |
| Keyword | 窒化炭素, CN, 白色, 発光素子 |
| Abstract | アモルファス窒化炭素は近年 PL,CL,EL等の光学的特性が報告されており、特にEL報告の論文では、RFスパッタ法により作製されたa-CNxが、暗室において青白EL発光が確認されたと報告している。またa-CNxの電子状態密度に関しては Fig.1に示すモデルが仁田等により提案されている。本研究ではアモルファス窒化炭素を用いた白色発光素子の開発を目的とする。 RFスパッタで製膜を行った結果、メタンの増加とともにN/Cが減少し、エネルギーギャップが増加した。また、PL測定より約650nmでの発光ピークを確認した。 今後はEL発光実験を行い、発光素子としての妥当性を検討する。また、マイクロ波プラズマCVD装置による製膜を行い、RFスパッタ法との比較を行う。 |
| 題名 | イオンビームスパッタ法を用いたCuGaS2薄膜の作製に関する研究 |
| 著者 | *立花 和也, ジルガルサイハン アズジルガル (津山工業高等専門学校電気電子工学科), 大森 靖之, 福井 洸太郎 (津山工業高等専門学校電子情報システム工学専攻), 中村 重之, 伊藤 國雄 (津山工業高等専門学校電気電子工学科) |
| Page | p. 58 |
| Keyword | イオンビームスパッタ, 発光素子, CuGaS2 |
| Abstract | 本研究では青色LEDの基板として最終的には低価格な半導体であるSiを使用する。しかし，SiとGaNとの間には格子定数のミスマッチがある。そこでI-III-VI 族化合物半導体を発光層に使用することでこの問題を解決することを目標とした。 今回はイオンビームスパッタ法によりSi 基板上へCuGaS2の成膜を試み，その後アニ―ルにより結晶性の改善も行った。 結果，室温による成膜でCuSとGaSの2層成長に成功した。しかし，均一には所望の組成比の結果を得ることはできなかった。またアニールによるCuGaS2のピークが観測された。 今後は基板処理及び真空度の改善により，均一な所望の組成比の形成条件，またアニール時における酸化防止策を見つけることである。 |
| 題名 | CuGa1-xAlxS2を用いた新青色発光素子の結晶成長に関する研究 |
| 著者 | *松岡 弘憲, 清原 浩之 (津山工業高等専門学校 電子・情報システム工学専攻), 中村 重之, 伊藤 國雄 (津山工業高等専門学校 電気電子工学科) |
| Page | pp. 59 - 60 |
| Keyword | 青色発光素子, 結晶成長, CVD |
| Abstract | 近年、２１世紀の新たなあかりとして窒化物半導体による青色発光ダイオード（LED）が注目されている。しかし、従来の青色LEDは高価、放熱特性が悪いといった問題点がある。これらの欠点を改善するため、低価格で放熱特性の良い半導体基板を使用することを考えた。発光層に用いる材料は従来のGaNでなく、 I-III-VI族化合物半導体を用いることにした。これは本研究で用いようとする半導体基板とGaNの間に大きな格子定数のミスマッチが発生するからである。現在、自作のCVD装置でGaAs基板上にCuGaｘSｙ膜を成長した。この膜をＸ線解析した結果はCuGaS2の鋭いピークが検出、CL測定の結果は505[nm]の緑色発光の確認ができ、CuGaS2成膜の確認ができた。 |
| 題名 | プラスチックキャピラリを用いた光ファイバ接続の検討 |
| 著者 | *春日 健太郎 (松江工業高等専門学校専攻科), 恒次 秀起 (松江工業高等専門学校電気工学科) |
| Page | p. 61 |
| Keyword | プラスチックファイバ, プラスチックキャピラリ, 光接続 |
| Abstract | プラスチックファイバとキャピラリを用いた光接続技術について述べたものである。 |