| 題名 | CMOSFETのチャネル幅方向の信頼性を分離して評価するためのテスト構造 |
| 著者 | *石井 英二 (岡山県立大学大学院情報系工学研究科), 大曽根 隆志, 森下 賢幸, 小椋 清孝 (岡山県立大学情報工学部), 松田 敏弘, 岩田 栄之 (富山県立大学工学部) |
| Page | p. 402 |
| Keyword | CMOSFET, チャネル幅 |
| 題名 | Cu(Ga1-xAlx)S2半導体を用いた青色発光素子の検討 ―結晶成長― |
| 著者 | *甲田 隆志, 清原 浩之 (津山工業高等専門学校 電子情報システム工学専攻), 中村 重之, 伊藤 國雄 (津山工業高等専門学校 電気電子工学科) |
| Page | pp. 403 - 404 |
| Keyword | CuGaAlS2, 青色発光素子, 結晶成長 |
| Abstract | 近年、窒化物半導体による青色発光ダイオード（LED）が２１世紀のあかりとして注目されている。しかし，従来の青色LEDにはサファイア基板が使われており，このサファイア基板には熱抵抗が高く放熱が悪い，高価であるなどの問題点がある。そこで、本研究では青色LEDの基板として低価格な半導体であるSi又はGaAsを使用する。しかし，Si又はGaAs と現在の発光層に使用されているGaNとの間には格子定数のミスマッチがある。そこでI-III-VI族化合物半導体を発光層に使用することでこの問題を解決することを目標とした。 |
| 題名 | 不純物を添加した超伝導体Ｙ123の特性に関する検討 |
| 著者 | *平田 真之 (津山工業高等専門学校 電子・情報システム専攻), 木山 拓也 (津山工業高等専門学校 電気工学科), 原田 寛治, 伊藤 國雄 (津山工業高等専門学校 電気電子工学科) |
| Page | pp. 405 - 406 |
| Keyword | Y123, Ag, バルク, 浮上特性, 不純物添加 |
| Abstract | 超伝導体内に相当量の不純物を添加した際の超伝導特性の研究は現在のところほとんどされていない。そこで我々は、超伝導体であるYBa2Cu3Oy(Ｙ123)に相当量の不純物(Ag2O)を加えバルク特性にどのような影響があるか研究を行なった。 |
| 題名 | 白色発光素子を目指した窒化炭素薄膜の作製とその評価（１） |
| 著者 | *日向 敏文, 岩野 祐太 (津山工業高等専門学校 電気工学科), 田渕 秀和 (岡山理科大学 理学部), 國次 真輔 (岡山県工業技術センター), 財部 健一 (岡山理科大学 理学部), 伊藤 國雄 (津山工業高等専門学校 電気電子工学科) |
| Page | pp. 407 - 408 |
| Keyword | 白色発光素子, 白色ＬＥＤ, a-ＣＮｘ, 窒化炭素 |
| Abstract | 近年、白色発光素子としてGaN系半導体を利用した白色発光ダイオード(LED：Light Emitting Diode) が注目されている。白色LED光源は現在広く使われている蛍光灯のように水銀や重金属等の環境汚染物質を使う必要が無く、低電力で高輝度という特徴をもつ。また寿命が10万時間と長いことや発熱がないという特徴をもつため、未来型の白色光源として注目されている。LED等の新発光素子の開発実用化による低電力、高効率照明機器の実現は、化石燃料の節約、CO2の排出制御等の地球環境に優しいシステム開発と言える。 一方、アモルファス窒化炭素(a-CNx)は近年PL(Photoluminescence)1), CL(Cathodeluminescence)2), EL(Electroluminescence)３)等の光学特性が報告されている。特にELの論文ではFig. 1.に示すような発光素子がRFスパッタ法で作成され、暗室において青白EL発光の確認が報告されている。このようにa-CNxは新白色発光素子材料として期待できる。 またa-CNxの電子状態密度はFig. 2.に示すモデルが提案されている4）。約1.4から1.9 eVは窒素のローン･ペア価電子帯とπ＊伝導体のバンド間遷移と報告され、これは光学エネルギーギャップに対応する。光学エネルギーギャップは窒素含有量の増加にともない増大すると報告されている。 |
| 題名 | 誘導結合プラズマ支援型多重磁極マグネトロンスパッタ法における基板上の電気的特性 |
| 著者 | *小林 祐司, 小埜 芳和, 村岡 裕紀, 川畑 敬志 (広島工業大学) |
| Page | p. 409 |
| Keyword | ICPMMPC, 薄膜, 基板電流 |
| Abstract | 薄膜作成技術の一つであるスパッタ法において、エネルギー粒子の基板照射は表面拡散による膜質の高密度化、膜表面の平坦化、基板と膜の付着力強化など成膜に重要な役割を果たす。そこで我々は多重磁極マグネトロンスパッタ法(MMPC)により形成されるターゲット上の磁場中に高周波コイルを設置した誘導結合プラズマ支援型多重磁極マグネトロンスパッタ法(ICPMMPC)を用い、基板に入射する粒子のイオン化の促進を試みた。通常のマグネトロンスパッタ法に比べ、高周波電力30Wにおいてイオン電流は3倍増加した。このことは、高周波コイル中における垂直磁場の増加が基板に入射する粒子のイオン化を助長したことが示唆された。 |
| 題名 | 超格子バッファー層を用いたSi基板への青色発光素子の作製に関する検討 |
| 著者 | *大森 靖之 (津山工業高等専門学校 電子情報システム工学専攻), 浦上 法之 (津山工業高等専門学校 電気工学科), 中村 重之, 伊藤 國雄 (津山工業高等専門学校 電気電子工学科) |
| Page | p. 410 |
| Keyword | 青色発光素子, 超格子, CuGaS2 |
| Abstract | 近年、青色発光ダイオード（LED）が開発され、白色LEDの実現が可能になり、蛍光灯に変わる照明として期待がなされている。照明として使用する場合、多数のＬＥＤが必要となるが、現在の青色LEDにはサファイア基板が使われているため、高価である。また、サファイアは絶縁体であり熱抵抗が高く放熱が悪いという問題点もある。そこで、青色LEDに用いる基板として低価格の半導体を用いることが望ましい。本研究ではSiを青色LEDの基板として使用し、従来の青色LEDの発光層であるInGaAlNとの間に、格子定数の差により生じる歪や転位を防ぐため、CuGaS2とZnIn2S4をそれぞれ数nmの厚さで交互に約100層成長することによる超格子バッファー層を用いることにする。ここでは、第一層目となるCuGaS2の作製とSEM、EPMAおよびXRDによる試料評価について述べる。 |