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平成18年度 電気・情報関連学会中国支部第57回連合大会

部門: 13. 電子回路 I
日時: 2006年10月21日(土) 9:00 - 10:31
部屋: 21号館 1階 22111室 (→地図)
座長: 田丸 啓吉 (岡山理科大学工学部電子工学科)

13-1 (時間: 9:00 - 9:13)
題名少数のMOSFETを用いた高次フィルタ関数の実現
著者*玄場 勇次 (広島工業大学大学院　工学研究科博士前期課程電子工学専攻), 重広 孝則 (広島工業大学　工学部　電子・光システム工学科), 沖根 光夫 (広島工業大学　工学部　電気・デジタルシステム工学科)
Pagep. 345
Keyword連続時間系フィルタ, 積分器, カレントミラー
Abstract筆者らは先にMOS積分器を用いて高次低域，帯域フィルタを実現する回路について報告した．本文では，その回路に1個のカレントミラー回路を接続して高域フィルタ関数も実現できる回路を提案し，SPICEによる動作の確認を行なっている．

13-2 (時間: 9:13 - 9:26)
題名MOS積分器を用いたＬＣシミュレーション形ＬＰＦ
著者*三宅 宏樹 (広島工業大学　工学部電気・ディジタルシステム工学科), 重広 孝則 (広島工業大学　工学部電子・光システム工学科), 沖根 光夫 (広島工業大学　工学部電気・デジタルシステム工学科)
Pagep. 346
Keyword積分器, カレントミラー, ＬＣフィルタ
Abstract本文ではＬＣフィルタの低感度性を受け継ぐＬＣシミュレーション形ＬＰＦを少数のＭＯＳＦＥＴを用いて実現する方法について提案する．反転積分器が単一のＭＯＳＦＥＴで構成できること，またカレントミラー回路を用いることによりＤＣ電圧源も１個で動作する特徴を有し，ＤＣ電流源の値を変えることにより可変フィルタ特性も得られる．

13-3 (時間: 9:26 - 9:39)
題名MOSFETを用いた複同調特性の実現
著者*豊田 雅彦 (広島工業大学　工学研究科博士前期課程電子工学専攻), 重広 孝則 (広島工業大学　工学部電子・光システム工学科), 沖根 光夫 (広島工業大学　工学部電気・デジタルシステム工学科)
Pagep. 347
KeywordMOSFET, 複同調, フィルタ
Abstract筆者らは先にMOSFETを用いたBiquad回路について報告した．本文では，このBiquad回路の応用として単一パラメータの調整によって，単峰，平坦，双峰の複同調特性が得られる回路について提案している．対象としている動作周波数は数10MHzとし，SPICEによって回路の動作確認を行なっている．

13-4 (時間: 9:39 - 9:52)
題名MOS型定電流回路の設計・試作
著者*定本 竜明 (岡山県立大学大学院　情報系工学研究科), 大曽根 隆志, 森下 賢幸, 小椋 清孝 (岡山県立大学　情報工学部), 松田 敏弘, 岩田 栄之 (富山県立大学　工学部)
Pagep. 348
KeywordMOS, 定電流回路, アナログ回路
Abstractアナログ・ディジタル混載のCMOS LSIが注目を集めている中、安定に動作するアナログ回路を実現するためには、電源電圧と周囲温度に対して安定な基準電源回路が不可欠となる。 本研究では、基準電源回路の1つとしてMOS型定電流回路を設計し、1.2μmCMOSプロセスを用いてチップ試作を行った。試作したチップについて電源電圧および温度依存特性の測定を行い、回路シミュレーション結果との比較・検討を行った。

13-5 (時間: 9:52 - 10:05)
題名動的再構成可能なプロセッサDRCAP2における並列処理のための管理機構の検討
著者*古賀 琢三 (岡山県立大学大学院　情報系工学研究科), 森下 賢幸, 小椋 清孝, 大曽根 隆志 (岡山県立大学　情報工学部)
Pagep. 349
KeywordDRCAP2

13-6 (時間: 10:05 - 10:18)
題名MP3復号プロセッサのビットストリーム処理の再構成化の検討
著者*山本 理宏 (岡山県立大学大学院情報系工学研究科電子情報通信工学専攻), 小椋 清孝, 森下 賢幸, 大曽根 隆志 (岡山県立大学大学情報工学部)
Pagep. 350
KeywordMP3, 動的再構成

13-7 (時間: 10:18 - 10:31)
題名ばらつき評価用試験用回路の検討
著者*向 建宇, 山内 丈周, 寺田 和夫 (広島市立大学)
Pagep. 351
Keywordばらつき, MOSFET
Abstract　MOSLSIの高集積化に従い、MOSFETの特性ばらつきを正確に測定することが重要になっている。そのため、大量の単体MOSFETを測定できるようにした試験回路が提案され、使われている。今回、その試験回路にKelvin sensingを適用してみた。その結果、MOSFETの特性ばらつきに対する寄生抵抗の影響が小さくなることを確認した。しかしながら、高ゲート電圧における実測値には位置依存性が見られた。