平成17年度 電気・情報関連学会中国支部第56回連合大会

2005年10月22日(土)

部門: 3. 電気・電子材料 II (10:30 - 11:35)
部屋: 20号館 2022 (→地図)
座長: 原田　寛治 (津山工業高等専門学校 電気電子工学科)

3-7 (時間: 10:30 - 10:43)

題名	Ge1-xMnxTe微小細線の作製と磁気抵抗効果
著者	*森本 一幸 (山口大), 福間 康裕 (山口県産業技術センター), 浅田 裕法, 小柳 剛 (山口大)
Page	p. 433
keywords	希薄磁性半導体, 細線, 磁化反転

3-8 (時間: 10:43 - 10:56)

題名	PLD法で作製したZnxCd1-xS薄膜の光学測定
著者	*中村 亮仁, 酒井 恒 (広島国際学院大)
Page	p. 434
keywords	CdS, ZnS, PLD, 薄膜, バンドギャップ

3-9 (時間: 10:56 - 11:09)

題名	非対称な人工ピンニングセンターによるピン止め特性の検討
著者	*萩原 雅之, 何 継方, 原田 直幸, 内藤 裕志 (山口大)
Page	p. 435
keywords	超伝導材料, 臨界電流, ピン止め

3-10 (時間: 11:09 - 11:22)

題名	微細加工により導入した溝状人工ピンの磁化緩和特性
著者	*中川 貴文, 安田 俊朗, 原田 直幸, 内藤 裕志 (山口大)
Page	p. 436
keywords	超伝導材料, 臨界電流密度, 微細加工, 磁化特性

3-11 (時間: 11:22 - 11:35)

題名	Mgフレークを用いたin-situ法MgB2テープ線材の作製
著者	*日野 保明, 武政 博行, 原田 直幸, 内藤 裕志 (山口大), 三浦 大介, 伊藤 大佐 (首都大学東京)
Page	p. 437
keywords	MgB2, in-situ法, 臨界温度, 臨界電流密度