平成17年度 電気・情報関連学会中国支部第56回連合大会

2005年10月22日(土)

部門: 3. 電気・電子材料 I (9:10 - 10:28)
部屋: 20号館 2022 (→地図)
座長: 酒井 恒 (広島国際学院大学 工学部 電気電子工学科)

3-1 (時間: 9:10 - 9:23)

題名	電気的および光学的方法を用いた味覚センサの開発
著者	*井谷 彰宏, 椿原 啓 (近大)
Page	p. 427
keywords	味覚センサ, 脂質高分子膜, 応答電位, アドミタンス, 光吸収

3-2 (時間: 9:23 - 9:36)

題名	色素増感太陽電池のインピーダンス解析
著者	*岸保 健生, 椿原 啓 (近大)
Page	p. 428
keywords	色素増感太陽電池, 酸化チタン, インピーダンス測定

3-3 (時間: 9:36 - 9:49)

題名	N2Oガス導入によるMnドープCu2O薄膜の作製
著者	*村田 将憲, 山本 順也 (山口大), 福間 康裕 (山口県産業技術センター), 浅田 裕法, 小柳 剛 (山口大)
Page	p. 429
keywords	希薄磁性半導体, Cu2O, 薄膜, スパッタ, 磁気特性

3-4 (時間: 9:49 - 10:02)

題名	ICB法による(Ge1-yPby)1-xMnxTe薄膜の作製
著者	*紙本 佳久, 北堀 大輔 (山口大), 福間 康裕 (山口県産業技術センター), 浅田 裕法, 小柳 剛 (山口大)
Page	p. 430
keywords	希薄磁性半導体, キャリア制御, 磁気特性

3-5 (時間: 10:02 - 10:15)

題名	MBE法によるGe1-xMnxTeのエピタキシャル成長
著者	*宮脇 志朗 (山口大), 五嶋 数哉 (宇部高専), 福間 康裕 (山口県産業技術センター), 仙波 伸也 (宇部高専), 浅田 裕法, 小柳 剛 (山口大)
Page	p. 431
keywords	希薄磁性半導体, MBE, RHEED, キュリー温度

3-6 (時間: 10:15 - 10:28)

題名	MBE法によるGe1-xCrxTe薄膜の作製
著者	*入佐 匠, 宮脇 志郎, 田谷 智洋 (山口大), 福間 康裕 (山口県産業技術センター), 浅田 裕法, 小柳 剛 (山口大)
Page	p. 432
keywords	希薄磁性半導体, MBE, 磁気特性, GeCrTe, 薄膜