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「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第31回研究会)
プログラム

「*」印は講演予定者を表す
著者索引:   HERE

セッション表

表内のセッション名はそのセッション情報にリンクしています．

2026年1月29日(木)

大講堂
Opening
9:00 - 9:10
T  チュートリアル
9:10 - 10:40
Break
10:40 - 11:00
S1-1  基調講演
11:00 - 11:50
写真撮影
11:50 - 12:05
Lunch
12:05 - 13:05
S1-2
13:05 - 14:35
Break
14:35 - 14:45
ポスター発表(奇数番号)
14:45 - 15:35
ポスター発表(偶数番号)
15:35 - 16:25
Break
16:25 - 16:35
S1-3
16:35 - 17:45
Banquet
18:00 - 20:00
2026年1月30日(金)

大講堂
2日目の案内
9:00 - 9:05
S2-1  基調講演
9:00 - 9:50
Break
9:50 - 10:10
SP  企画セッション
10:10 - 12:10
Lunch
12:10 - 13:10
S2-2
13:10 - 15:00
Break
15:00 - 15:20
S2-3
15:20 - 16:40
Break
16:40 - 16:50
Closing
16:50 - 17:10

論文一覧

「*」印は講演予定者を表す

2026年1月29日(木)

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セッション T  チュートリアル
日時: 2026年1月29日(木) 9:10 - 10:40
部屋: 大講堂
座長: 田岡 紀之 (愛知工大)

T-1 (時間: 9:10 - 10:40)
題名(チュートリアル) MOSトランジスタ研究43年 〜 半導体デバイスの進化と共に
著者高木 信一 (帝京大)
Title(Tutorial) 43 Years of MOS Transistor Research: Along with the Evolution of Semiconductor Devices
AuthorShinichi Takagi (Teikyo Univ.)
Pagepp. 1 - 2

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セッション S1-1  基調講演
日時: 2026年1月29日(木) 11:00 - 11:50
部屋: 大講堂
座長: 長橋 知也 (KOKUSAI ELECTRIC)

S1-1-1 (時間: 11:00 - 11:50)
題名(基調講演) 3D不揮発メモリの最新研究動向
著者齋藤 真澄 (キオクシア)
Title(Keynote Speech) Latest technology trends in 3D Non-Volatile Memory
AuthorMasumi Saitoh (Kioxia)
Pagepp. 3 - 4

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セッション S1-2 
日時: 2026年1月29日(木) 13:05 - 14:35
部屋: 大講堂
座長: 今井 友貴 (名大)

S1-2-1 (時間: 13:05 - 13:35)
題名(招待講演) 14族元素からなる二次元物質：14族ナノシート
著者黒澤 昌志 (名大)
Title(Invited Speech) Group-14 Two-Dimensional Materials: Group-14 Nanosheets
AuthorMasashi Kurosawa (Nagoya Univ.)
Pagep. 5

S1-2-2 (時間: 13:35 - 13:55)
題名グラフェンと遷移金属ダイカルコゲナイドの直交的ヘテロ積層による単原子長ゲート・トランジスタの作製と特性評価
著者田中 陽来, 佐々木 文憲, *何 其樾, 杉野 秀明, 米窪 和輝 (東北大), 入沢 寿史 (産総研), 松木 武雄 (筑波大), 大堀 大介, 遠藤 和彦 (東北大), 渥美 圭脩, 長汐 晃輔 (東大), 渡邊 一世 (NICT), 吹留 博一 (東北大)
TitleFabrication and Characterization of Monoatomic-gate-length Transistors by Orthogonally Heterostacking Graphene and Transition Metal Dichalcogenides
AuthorHirai Tanaka, Fuminori Sasaki, *QIYUE HE, Hideaki Sugino, Kazuki Yonekubo (Tohoku Univ.), Toshifumi Irisawa (AIST), Takeo Matsuki (Univ. of Tsukuba), Daisuke Ohori, Kazuhiko Endo (Tohoku Univ.), Keisuke Atsumi, Kousuke Nagashio (Univ. of Tokyo), Issei Watanabe (NICT), Hirokazu Fukidome (Research Institute of Electrical Communication)
Pagepp. 7 - 8

S1-2-3 (時間: 13:55 - 14:15)
題名WSe2上へのF6-TCNNQ成膜を用いたCFET構造デバイスへの応用
著者*松田 健生, 野口 裕士, 榎本 璃玖, 瀬戸 大暉 (千葉大), 柯 梦南 (横浜国大), 熊谷 翔平, 岡本 敏宏 (科学大), 青木 伸之 (千葉大)
TitleApplication of F6-TCNNQ Deposition on WSe2 to CFET Structure Devices
Author*Kensho Matsuda, Yuto Noguchi, Riku Enomoto, Taiki Seto (Chiba Univ.), Mengnang Ke (Yokohama National Univ.), Shohei Kumagai, Toshihiro Okamoto (Inst. of Science Tokyo), Nobuyuki Aoki (Chiba Univ.)
Pagepp. 9 - 10

S1-2-4 (時間: 14:15 - 14:35)
題名選択的H2導入を用いた分子線エピタキシーにより作製した GeSn/GeSiSn 共鳴トンネルダイオードの室温動作
著者*鳥本 昇汰, 石本 修斗, 加藤 芳規, 坂下 満男, 黒澤 昌志, 中塚 理, 柴山 茂久 (名大)
TitleRoom temperature operation of GeSn/GeSiSn resonant tunneling diode fabricated by selective H2-introduced molecular beam epitaxy
Author*Shota Torimoto, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama (Nagoya Univ.)
Pagepp. 11 - 12

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セッション S1-3 
日時: 2026年1月29日(木) 16:35 - 17:45
部屋: 大講堂
座長: 秋山 亨 (三重大)

S1-3-1 (時間: 16:35 - 17:05)
題名(招待講演) 遷移金属窒化物/Ge界面でのショットキー障壁変調とその応用
著者*山本 圭介 (熊本大/九大), 王 冬 (九大), 中島 寛 (熊本大/九大)
Title(Invited Speech) Schottky barrier height alleviation at transition metal nitride/Ge interface and its application
Author*Keisuke Yamamoto (Kumamoto Univ./Kyushu Univ.), D. Wang (Kyushu Univ.), H. Nakashima (Kumamoto Univ./Kyushu Univ.)
Pagep. 13

S1-3-2 (時間: 17:05 - 17:25)
題名導電性酸化膜/p型Geにおける高いショットキー障壁
著者*前田 辰郎, 石井 裕之, 陳 家驄, 鯉田 崇 (産総研), 工藤 晃哉 (産総研/千葉大), 張 文馨 (産総研)
TitleHigh Schottky Barrier Height in Conductive Oxide Films/p-type Ge
Author*Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Chia-Tsong Chen, Takashi Koida (AIST), Kouya Kudou (AIST/Chiba Univ.), Wen Hsin Chang (AIST)
Pagep. 15

S1-3-3 (時間: 17:25 - 17:45)
題名強誘電HfxZr1-xO2薄膜における最表面ZrO2層駆動の結晶化促進メカニズムの理解
著者*高久 理名 (東大), 女屋 崇 (NIMS), 田村 敦史, 喜多 浩之 (東大)
TitleUnderstanding Crystallization Enhancing Mechanism in Ferroelectric Thin HfxZr1-xO2 Films Driven by the Topmost ZrO2 Layer
Author*Rina Takahisa (Univ. of Tokyo), Takashi Onaya (NIMS), Atsushi Tamura, Koji Kita (Univ. of Tokyo)
Pagepp. 17 - 18


2026年1月30日(金)

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セッション S2-1  基調講演
日時: 2026年1月30日(金) 9:00 - 9:50
部屋: 大講堂
座長: 小川 慎吾 (東レリサーチセンター)

S2-1-1 (時間: 9:00 - 9:50)
題名(基調講演) GAAFETにおけるエピおよび基板技術
著者*小椋 厚志 (明大/MREL), 臼田 宏冶 (MREL)
Title(Keynote Speech) Epitaxial Growth Technologies for Nano-shirt FET
Author*Atsushi Ogura (Meiji Univ./MREL), Koji Usuda (MREL)
Pagepp. 19 - 21

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セッション SP  企画セッション
日時: 2026年1月30日(金) 10:10 - 12:10
部屋: 大講堂
座長: 角嶋 邦之 (科学大), 豊田 智史 (バキュームプロダクツ)

SP-1
Title(Special Session) EUV リソグラフィ技術の歴史と将来
Author溝口 計 (九大), 本田 洋介 (KEK), 古澤 孝弘 (阪大), 川邉 裕己 (Rapidus)

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セッション S2-2 
日時: 2026年1月30日(金) 13:10 - 15:00
部屋: 大講堂
座長: 蓮沼 隆 (筑波大)

S2-2-1 (時間: 13:10 - 13:40)
題名(招待講演) 内包空間に分布する浮遊電子状態が支配するSiN フラッシュメモリー機能
著者*押山 淳 (名大/東北大), ボエロ マウロ (名大/ストラスブール大), 長橋 知也 (名大/KOKUSAI ELECTRIC), 白石 賢二 (名大/東北大)
Title(Invited Speech) Floating Electron States that Govern Functions of SiN Flash Memories
Author*Atsushi Oshiyama (Nagoya Univ./Tohoku Univ.), Mauro Boero (Nagoya Univ./Univ. of Strasbourg), Tomoya Nagahashi (Nagoya Univ./KOKUSAI ELECTRIC), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ./Tohoku Univ.)
Pagepp. 23 - 24

S2-2-2 (時間: 13:40 - 14:00)
題名シリコン窒化膜/シリコン酸化膜積層構造の電荷捕獲機構に寄与する水素と塩素の役割
著者*矢藤 秀幸, 桐原 芳治, 野平 博司, 三谷 祐一郎 (東京都市大)
TitleThe Role of Hydrogen and Chlorine in the Charge Trapping Mechanism of SiN/SiO2 Stack Structures
Author*Hideyuki Yato, Yoshiharu Kirihara, Hiroshi Nohira, Yuichiro Mitani (Tokyo City Univ.)
Pagepp. 25 - 26

S2-2-3 (時間: 14:00 - 14:20)
題名4H-SiCに対する窒化過程の N導入反応速度の窒化時間依存性を考慮した速度論の再考
著者*吉田 遥希, 田村 敦史, 喜多 浩之 (東大)
TitleReconsideration on the kinetics of surface nitridation processes of 4H-SiC by taking account of time-dependent change of N-incorporation rate
Author*Haruki Yoshida, Atsushi Tamura, Koji Kita (Univ. of Tokyo)
Pagepp. 27 - 28

S2-2-4 (時間: 14:20 - 14:40)
題名4H-SiC(0001)の直接NO酸窒化時間によるMOS界面特性変化の原因の考察
著者*内田 雄太郎, 田村 敦史, 喜多 浩之 (東大)
TitleInvestigation on the Mechanism for Changing of 4H-SiC(0001) MOS Interface Characteristics with Direct NO Oxynitridation Duration
Author*Yutaro Uchida, Atsushi Tamura, Koji Kita (Univ. of Tokyo)
Pagepp. 29 - 30

S2-2-5 (時間: 14:40 - 15:00)
題名
著者*野沢 公暉, 末益 崇, 都甲 薫 (筑波大)
TitleRecord-Low Carrier Densities in Polycrystalline p- and n-Type Ge Thin Films via Hydrogen Passivation
Author*Koki Nozawa, Suemasu Takashi, Toko Kaoru (Univ. of Tsukuba)
Pagepp. 31 - 32

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セッション S2-3 
日時: 2026年1月30日(金) 15:20 - 16:40
部屋: 大講堂
座長: 青木 伸之 (千葉大)

S2-3-1 (時間: 15:20 - 15:50)
題名(招待講演) 2 次元チャネル材料を用いたCMOS デバイスの研究
著者川那子 高暢 (産総研/JSTさきがけ)
Title(Invited Speech) CMOS devices using two-dimensional channel materials
AuthorTakamasa Kawanago (AIST/JST PRESTO)
Pagepp. 33 - 34

S2-3-2 (時間: 15:50 - 16:20)
題名(招待講演) カルコゲナイド材料薄膜の創生とデバイス応用
著者齊藤 雄太 (東北大)
Title(Invited Speech) Synthesis of Chalcogenide Thin-Film Materials and Their Device Applications
AuthorYuta Saito (Tohoku Univ.)
Pagep. 35

S2-3-3 (時間: 16:20 - 16:40)
題名Si/SiO2界面における帯電欠陥が誘起するバンド端状態
著者*中山 隆史, 飯塚 将太, 浅井 栄大, 岡 博史, 稲葉 工, 加藤 公彦, 宮本 聡, 森 貴洋 (産総研)
TitleBand-edge States Induced by Charged Defects at Si/SiO2 Interface
Author*Takashi Nakayama, Shota Iizuka, Hidehiro Asai, Hiroshi Oka, Takumi Inabe, Kimihiko Kato, Satoru Miyamoto, Takahiro Mori (AIST)
Pagepp. 37 - 38


2026年1月29日(木)

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セッション P  ポスターセッション
日時: 2026年1月29日(木) 14:45 - 16:25
部屋: 大講堂

P-1
題名ALD-HZO薄膜の低温結晶化におけるH2O2酸化剤のH2O酸化剤に対する本質的優位性
著者*車 浩銘 (東大), 女屋 崇 (東大/NIMS), 田村 敦史 (東大), 石井 政輝, �� 洋志 (大陽日酸), 喜多 浩之 (東大)
TitleIntrinsic Superiority of H2O2 in Promoting Low Temperature Crystallization of ALD-grown HZO Thin Films over H2O
Author*Haoming Che (Univ. of Tokyo), Takashi Onaya (Univ. of Tokyo/NIMS), Atsushi Tamura (Univ. of Tokyo), Masaki Ishii, Hiroshi Taka (Taiyo Nippon Sanso), Koji Kita (Univ. of Tokyo)
Pagepp. 39 - 40

P-2
題名電圧印加硬X線光電子分光法を用いたSiN膜中の電荷トラップ位置の推定
著者*桐原 芳治, 矢藤 秀幸, 三谷 祐一郎, 野平 博司 (東京都市大)
TitleEstimation of Charge Trap Positions in Silicon Nitride Films Using Voltage-applied Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
Author*Yoshiharu Kirihara, Hideyuki Yato, Yuichiro Mitani, Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
Pagepp. 41 - 42

P-3
題名SiOCH低誘電材料のデータ駆動型探索
著者*蓮見 玲乃, 長橋 知也, 柄澤 元, 堀池 亮太 (KOKUSAI ELECTRIC), 本郷 研太 (JAIST)
TitleData-Driven Exploration of Advanced Low-Dielectric Films
Author*Reno Hasumi, Tomoya Nagahashi, Hajime Karawsawa, Ryota Horiike (KOKUSAI ELECTRIC), Kenta Hongo (JAIST)
Pagepp. 43 - 44

P-4
題名SrTiO3(111)基板上に成長したNbドープ(Ga0.75In0.25)2O3固溶体薄膜の多形相転移と電子物性に関する研究
著者*渡邉 允晴 (明大/NIMS), 小椋 厚志 (明大/MREL), 知京 豊裕 (NIMS), 長田 貴弘 (NIMS/明大)
TitleStudies on Polymorphous Phase Transition and electronic properties in Nb-Doped (Ga0.75In0.25)2O3 Solid Solution films on SrTiO3 (111) Substrates
Author*Masaharu Watanabe (Meiji Univ./NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ./MREL), Toyohiro Chikyow (NIMS), Takahiro Nagata (NIMS/Meiji Univ.)
Pagepp. 45 - 46

P-5
題名古典分子動力学法による HfO2 結晶の強誘電体特性のシミュレーション
著者*大場 淳平, 山本 宙, 西村 祐亮, 渡邉 孝信 (早大)
TitleClassical Molecular Dynamics Simulation of Ferroelectric Properties of Crystalline HfO2
Author*Jumpei Ohba, Sora Yamamoto, Yusuke Nishimura, Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
Pagepp. 47 - 48

P-6
題名ピタキシャルCaGe2成長による金属/n-Ge(111)界面におけるSBH低減
著者*雪竹 遼馬, 柴山 茂久, 坂下 満男, 黒澤 昌子, 中塚 理 (名大)
TitleReduction of SBH at the metal/n-Ge(111) interface using epitaxial CaGe2 growth
Author*Ryoma Yukitake, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka (Nagoya Univ.)
Pagepp. 49 - 50

P-7
題名分子動力学法によるSiGe混晶の低エネルギー局在フォノンモードの解析
著者*宮城 太一, 西村 祐亮, 並木 大輔 (早大), 横川 凌 (広島大/MREL), 小椋 厚志 (明大/MREL), 渡邉 孝信 (早大)
TitleAnalysis of Low-Energy Localized Phonon Mode in SiGe Alloys by Molecular Dynamics Simulation
Author*Taichi Miyagi, Yusuke Nishimura, Daisuke Namiki (Waseda Univ.), Ryo Yokogawa (Hiroshima Univ./MREL), Atsushi Ogura (Meiji Univ./MREL), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
Pagepp. 51 - 52

P-8
題名ODLTSによる高濃度炭素ドープGaN層中の欠陥評価
著者*稲吉 桃子 (愛知工大), 本田 杏奈, 渡邉 浩崇, 本田 善央, 加藤 剛志 (名大), 田岡 紀之, 竹内 和歌奈 (愛知工大)
TitleEvaluation of defects in highly carbon-doped GaN layers by optical deep level transient specroscopy
Author*Momoko Inayoshi (Aichi Inst. of Tech.), Anna Honda, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Takashi Kato (Nagoya Univ.), Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi (Aichi Inst. of Tech.)
Pagep. 53

P-9
題名TMAHエッチング処理およびO3表面酸化処理がβ-Ga2O3基板表面構造とMOS界面特性に与える効果の違い
著者*今飯田 捷真, 田村 敦史, 喜多 浩之 (東大)
TitleDifferences in the Effects of TMAH Etching and O3 Surface Oxidation treatment on the Surface Structure of β-Ga2O3 Substrates and MOS Interface Characteristics
Author*Hayama Imaida, Atsushi Tamura, Koji Kita (Univ. of Tokyo)
Pagepp. 55 - 56

P-10
題名極薄膜Si-capを用いたGe MOSキャパシタの作製と特性評価
著者*�盒� 大輝 (千葉大), Yu Xiao (西安電子科技大), 澤野 憲太郎 (東京都市大), 青木 伸之 (千葉大), 柯 夢南 (横浜国大)
TitleFabrication and evaluation of Ge MOS Capacitors with ultra-thin Si-cap Passivation
Author*Daiki Takahashi (Chiba Univ.), Yu Xiao (Xidian Univ.), Kentarou Sawano (Tokyo City Univ.), Nobuyuki Aoki (Chiba Univ.), Mengnan Ke (Yokohama National Univ.)
Pagepp. 57 - 58

P-11
題名二次元半導体チャネルMOSFETの電気的特性評価
著者*佐藤 優, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleElectrical characterization of 2D semiconductor channel MOSFET
Author*Masaru Sato, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
Pagepp. 59 - 60

P-12
題名p-Ge1-xSnx/n-Geダイオードのメサ深さ制御による逆方向電流抑制
著者*山本 慶, 坂下 満男, 黒澤 昌志, 中塚 理, 柴山 茂久 (名大)
TitleReverse Current Suppression in p-Ge1-xSnx/n-Ge Diodes via Mesa Depth Control
Author*Kei Yamamoto, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama (Nagoya Univ.)
Pagepp. 61 - 62

P-13
題名コンダクタンス法によるCVD単層MoS2/Al2O3 MOSFETの界面準位密度評価におけるチャネル長の影響に関する研究
著者*中村 志穂 (千葉大), 林 早陽 (IMEC), 玉 虓 (西安電子科技大), 青木 伸之 (千葉大), 柯 梦南 (横浜国大)
TitleInvestigation of Channel Length Effects on Interface Trap Density Extraction in CVD-Grown Monolayer MoS2/Al2O3 MOSFETs Using the Conductance Method
Author*Shiho Nakamura (Chiba Univ.), Zaoyang Lin (IMEC), Xiao Yu (Xidian Univ.), Nobuyuki Aoki (Chiba Univ.), Mengnan Ke (Yokohama National Univ.)
Pagepp. 63 - 64

P-14
題名4H-SiC/SiO2界面におけるバンド配列の理論解析：NOアニール処理の影響
著者*伊勢 直斗, 秋山 亨 (三重大), 畠山 哲夫 (富山県立大), 白石 賢二 (東北大), 中山 隆史 (千葉大)
TitleTheoretical analysis for band alignments at 4H-SiC/SiO2 interface: Effects of NO Annealing
Author*Naoto Ise, Toru Akiyama (Mie Univ.), Tetsuo Hatakeyama (Toyama Prefectural Univ.), Kenji Shiraishi (Tohoku Univ.), Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
Pagepp. 65 - 66

P-15
題名トンネルFET用Ti0.3Zn0.7O1.3/Si接合の界面構造が トンネル電流特性に与える影響
著者*小川 健太 (明大/NIMS), 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大/MREL), 長田 貴弘 (NIMS/明大)
TitleEffects of Interface Structure on Tunneling Current Properties of N-type Ti0.3Zn0.7O1.3/P-type Si for Tunnel FET
Author*Kenta Ogawa (Meiji Univ./NIMS), Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ./MREL), Takahiro Nagata (Meiji Univ.)
Pagepp. 67 - 68

P-16
題名ZrO2薄膜の強誘電性緩和
著者*栗原 辰昇 (筑波大), 倪 澤遠, 中村 秀雄, ヤン ルオリン, 原田 豪繁, 趙 祥勲 (東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ), 上殿 明良, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleFerroelectric relaxation ZrO2 thin film
Author*Tatsunori Kuribara (Univ. of Tsukuba), Zeyuan Ni, Hideo Nakamura, Ruolin Yan, Katsushige Harada, Sanghun Cho (Tokyo Electron Technology Solutions), Akira Uedono, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
Pagepp. 69 - 70

P-17
題名ナノシート酸化物半導体のMOS界面評価
著者*上沼 睦典 (産総研), 小笠原 成央 (NAIST), 坂井 洸太 (東大), 黄 善彬 (産総研), �盒� 崇典, 浦岡 行治 (NAIST), 小林 正治 (東大)
TitleDefects of MOS interface of nanosheet oxide semiconductor
Author*Mutsunori Uenuma (AIST), Nao Ogasawara (NAIST), Kota Sakai (Univ. of Tokyo), Sunbin Hwang (AIST), Takanori Takahashi, Yukiharu Uraoka (NAIST), Masaharu Kobayashi (Univ. of Tokyo)
Pagepp. 71 - 72

P-18
題名深層学習デノイズと短時間計測AR-XPS逆解析による多層薄膜界面の高精度可視化
著者*豊田 智史 (バキュームプロダクツ), 安藤 昌輝 (明大), 小椋 厚志 (明大/MREL), 木下 豊彦, 町田 雅武 (バキュームプロダクツ)
TitleHigh-Precision Visualization of Multilayer Thin Film Interfaces via Deep Learning Denoising and Short-Time AR-XPS Data Inversion
Author*Satoshi Toyoda (Vacuum Products), Masaki Ando (Meiji Univ.), Atsushi Ogura (Meiji Univ./MREL), Toyohiko Kinoshita, Masatake Machida (Vacuum Products)
Pagepp. 73 - 74

P-19
題名放射光計測データの解析システムの性能向上と機能拡張
著者*大崎 陽介, 竹内 和歌奈, 藤枝 直輝 (愛知工大)
TitlePerformance Improvement and Feature Expansion of Data Analysis System for Measurements using Synchrotron Radiation
Author*Yosuke Osaki, Wakana Takeuchi, Naoki Fujieda (Aichi Inst. of Tech.)
Pagepp. 75 - 76

P-20
題名界面エネルギー計算によるα-Al2O3(0001)基板上のGa2O3の構造安定性の理論解析
著者*石田 宏樹, 秋山 亨, 河村 貴宏 (三重大)
TitleTheoretical investigation for structural stability of Ga2O3 on α-Al2O3(0001) substrate
Author*Koki Ishida, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura (Mie Univ.)
Pagep. 77

P-21
題名ビニルシラン熱CVD法によるFe基板上のSiC薄膜形成におけるアンモニア前処理の役割
著者大島 直人 (愛知工大), 土射津 佑起 (東北大), 金子 智 (神奈川県立産技総研), 上原 賢一, 安原 重雄 (ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ), 五島 敬史郎, *田岡 紀之, 竹内 和歌奈 (愛知工大)
TitleRole of Ammonia Pretreatment in SiC Film Formation on Fe Substrates by Thermal CVD Using Vinylsilane
AuthorNaoto Ohshima (Aichi Inst. of Tech.), yuuki Tsuchiizu (Tohoku Univ.), Satoru Kaneko (KISTEC), Kenichi Uehara, Shigeo Yasuhara (Japan Advanced Chemicals), Keishiro Goshima, *Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi (Aichi Inst. of Tech.)
Pagepp. 79 - 80

P-22
題名Si(111)表面におけるLinear-Parabolic Growth遅延の酸素分圧依存性
著者*Hengyu Wen (日大), 津田 泰孝 (原研), 岡部 優希 (日大), 吉越 章隆 (原研), Jiayi Tang (高輝度光科学研究センター), 高桑 雄二 (東北大), 小川 修一 (日大)
TitleOxygen Pressure Dependence of Linear-Parabolic Growth Retardation on Si(111)
Author*Hengyu Wen (Nihon Univ.), Yasutaka Tsuda (Japan Atomic Energy Agency), Yuki Okabe (Nihon Univ.), Akitaka Yoshigoe (Japan Atomic Energy Agency), Jiayi Tang (JASRI), Yuji Takakuwa (Tohoku Univ.), Shuichi Ogawa (Nihon Univ.)
Pagepp. 81 - 82

P-23
題名SiO2/Si界面空孔のO2反応メカニズム：p型/n型と酸化温度比較から
著者*岡部 優希 (日大), 津田 泰孝 (原研), Wen Hengyu (日大), 吉越 章隆 (原研), �盞� 雄二 (東北大), 小川 修一 (日大)
TitleReaction mechanism of vacancies and O2 at oxide/Si interface: Discussion from Comparison between p-type and n-type and oxidation temperature
Author*Yuki Okabe (Nihon Univ.), Yasutaka Tsuda (Japan Atomic Energy Agency), Wen Hengyu (Nihon Univ.), Akitaka Yosigoe (Japan Atomic Energy Agency), Yuji Takakuwa (Tohoku Univ.), Shuichi Ogawa (Nihon Univ.)
Pagepp. 83 - 84

P-24
題名ALDによるWSe₂へのHigh-κ絶縁膜直接成長：UV-O3処理による界面制御
著者*榎本 璃玖, 松田 健生 (千葉大), 柯 梦南 (横浜国大), クリューガー ピーター, 青木 伸之 (千葉大)
TitleDirect Growth of High-κ Dielectrics on WSe₂ via ALD: Interface Control by UV-O₃ Treatment
Author*Riku Enomoto, Kensho Matsuda (Chiba Univ.), Mengnan Ke (Yokohama National Univ.), Peter Krüger, Nobuyuki Aoki (Chiba Univ.)
Pagep. 85

P-25
題名薄膜WSe2を用いたMISキャパシタおよびFETにおける界面特性のオゾン処理効果
著者*岩崎 天星 (千葉大), 柯 梦南 (横浜国大), 青木 伸之 (千葉大)
TitleEffect of Ozone Treatment on Interface Properties in MIS Capacitors and FETs Based on Thin-Film WSe2
Author*Tensei Iwasaki (Chiba Univ.), Mengnan Ke (Yokohama National Univ.), Nobuyuki Aoki (Chiba Univ.)
Pagep. 87

P-26
題名酸化インジウム薄膜粒内の結晶方位揺らぎの評価
著者*工藤 晃哉 (産総研/千葉大), Chia-Tsong Chen, 前田 辰郎 (産総研)
TitleEvaluation of Intra-grain Crystal Orientation Fluctuations in Indium Oxide Thin Films
Author*Koya Kudo (AIST/Chiba Univ.), Chia-Tsong Chen, Tatsuro Maeda (AIST)
Pagep. 89

P-27
題名電子線照射誘起欠陥と熱処理挙動に基づく4H-SiCの 半絶縁化および光応答特性評価
著者*神谷 龍希, 田岡 紀之, 五島 敬史郎, 竹内 和歌奈 (愛知工大)
TitleEvaluation of Semi-Insulating Behavior and Photoresponse Characteristics in 4H-SiC Based on Electron-Irradiation-Induced Defects and Their Annealing Behavior
Author*Ryuki Kamiya, Noriyuki Taoka, Keishiro Goshima, Takeuchi Wakana (Aichi Inst. of Tech.)
Pagepp. 91 - 92

P-28
題名CF4/H2プラズマ照射がSiおよびSi0.7Ge0.3表面に及ぼす影響
著者*佐分利 伊吹, 尾崎 孝太朗, 今井 友貴, 堤 隆嘉, 石川 健治 (名大), Yuji Yamamoto (IHP/名大), Wen Wei-Chen (IHP), 牧原 克典 (名大/IHP)
TitleEvaluation of Si and Si0.7Ge0.3 Surfaces after CF4/H2 Plasma Exposure
Author*Ibuki Saburi, Kotaro Ozaki, Yuki Imai, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa (Nagoya Univ.), Yuji Yamamoto (IHP/Nagoya Univ.), Wen Wei-Chen (IHP), Katsunori Makihara (Nagoya Univ./IHP)
Pagep. 93

P-29
題名SiC-MOS界面に導入されたN原子が電子状態・キャリア散乱特性に与える効果の理論計算
著者片山 主税, 杉山 耕生, 植本 光治, *小野 倫也 (神戸大)
TitleDFT analysis of effect of N atoms on electronic structure and carrier scattering property of SiC-MOS interface
AuthorChikara Katayama, Kosei Sugiyama, Mitsuharu Uemoto, *Tomoya Ono (Kobe Univ.)
Pagepp. 95 - 96

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