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「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第28回研究会)
プログラム

「*」印は講演予定者を表す
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セッション表

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2023年2月2日(木)

大研修室
Registration
19:30 - 20:00
T  チュートリアル
20:00 - 21:30
2023年2月3日(金)

大研修室
Opening
9:00 - 9:10
1  強誘電体／MRAM
9:10 - 10:40
Break
2  基調講演I
11:10 - 12:00
Lunch
12:00 - 13:00
P  ポスターセッション
13:00 - 14:30
Short Break
14:30 - 14:40
3  企画セッション
14:40 - 16:40
Break
16:40 - 17:10
4  先端CMOS／3D集積技術
17:10 - 18:20
Dinner
18:20 - 20:00
2023年2月4日(土)

大研修室
Opening
8:55 - 9:00
5  基調講演II
9:00 - 9:50
Break
9:50 - 10:10
6  エネルギーハーベスティング／パワーデバイス
10:10 - 11:50
Lunch
11:50 - 12:50
7  Flashメモリ
12:50 - 14:20
Break
14:20 - 14:50
8  新材料／評価技術
14:50 - 16:20
Break
16:20 - 16:40
Closing & Award Ceremony
16:40 - 17:00

論文一覧

「*」印は講演予定者を表す

2023年2月2日(木)

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セッション T  チュートリアル
日時: 2023年2月2日(木) 20:00 - 21:30
部屋: 大研修室

T-1 (時間: 20:00 - 21:30)
題名前工程と後工程の垣根を超えた3D集積技術
著者井上 史大 (横浜国大)
TitleBreaking the Barrier Between FEOL and BEOL by Advanced 3D Integration
AuthorFumihiro Inoue (Yokohama National Univ.)
Pagepp. 1 - 24


2023年2月3日(金)

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セッション 1  強誘電体／MRAM
日時: 2023年2月3日(金) 9:10 - 10:40
部屋: 大研修室

1-1 (時間: 9:10 - 9:40)
題名(招待講演) HfO2-FeFETの動作メカニズム解析
著者*浜井 貴将, 市原 玲華, 東 悠介, 鈴木 都文, 吉村 瑤子, 高橋 恒太, 松尾 和展, 宮川 英典, 中崎 靖, 鈴木 正道, 佐久間 究, 上牟田 雄一, 齋藤 真澄 (キオクシア)
Title(Invited Speech) Analysis on Operating Mechanism of HfO2-FeFET
Author*Takamasa Hamai, Reika Ichihara, Yusuke Higashi, Kunifumi Suzuki, Yoko Yoshimura, Kota Takahashi, Kazuhiro Matsuo, Hidenori Miyagawa, Yasushi Nakasaki, Masamichi Suzuki, Kiwamu Sakuma, Yuuichi Kamimuta, Masumi Saitoh (KIOXIA)
Pagepp. 25 - 26

1-2 (時間: 9:40 - 10:00)
題名TiN下部電極の表面酸化によるTiN/HfxZr1-xO2/TiN強誘電体キャパシタの分極疲労の抑制
著者*女屋 崇 (産総研/NIMS/日本学術振興会特別研究員PD/東大), 生田目 俊秀 (NIMS), 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司 (産総研), 喜多 浩之 (東大), 長田 貴弘, 塚越 一仁 (NIMS), 松川 貴 (産総研)
TitleSuppression of Fatigue Properties of TiN/HfxZr1-xO2/TiN Ferroelectric Capacitors by Surface Oxidation of TiN Bottom-Electrode
Author*Takashi Onaya (AIST/NIMS/JSPS Research Fellow PD/Univ. of Tokyo), Toshihide Nabatame (NIMS), Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Shinji Migita (AIST), Koji Kita (Univ. of Tokyo), Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi (NIMS), Takashi Matsukawa (AIST)
Pagepp. 27 - 30

1-3 (時間: 10:00 - 10:20)
題名AlScN強誘電体トンネル接合の伝導特性に及ぼす酸素プラズマ界面層の影響
著者*岡崎 樹, 堤 智也, 桐原 芳治, 五島 一樹 (東京都市大), 角嶋 邦之 (東工大), 野平 博司, 三谷 祐一郎 (東京都市大)
TitleInfluences of O2 Plasma Treatment on AlScN Ferroelectric Tunnel Junction
Author*Tatsuki Okazaki, Tomoya Tsutsumi, Yoshiharu Kirihara, Kazuki Goshima (Tokyo City Univ.), Kuniyuki Kakushima (Tokyo Inst. of Tech.), Hiroshi Nohira, Yuichiro Mitani (Tokyo City Univ.)
Pagepp. 31 - 36

1-4 (時間: 10:20 - 10:40)
題名STT-MRAMにおけるMgO薄膜中の粒界によるデータ保持性能への影響の第一原理計算による解析
著者*森下 佳祐 (名大), 原嶋 庸介 (NAIST), 洗平 昌晃 (名大), 遠藤 哲郎 (東北大), 白石 賢二 (名大/東北大)
TitleFirst-principles Analysis of the Effect of Grain Boundaries in MgO Thin Films on Data Retention Performance of STT-MRAM
Author*Keisuke Morishita (Nagoya Univ.), Yosuke Harashima (NAIST), Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Tetsuo Endoh (Tohoku Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ./Tohoku Univ.)
Pagepp. 37 - 42

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セッション 2  基調講演I
日時: 2023年2月3日(金) 11:10 - 12:00
部屋: 大研修室

2-1 (時間: 11:10 - 12:00)
題名(基調講演) 今後の半導体産業の方向
著者*小池 淳義 (Rapidus)
Title(Keynote Speech) Directions of Semiconductor Industry in the Near and Far Future
Author*Atsuyoshi Koike (Rapidus)
Pagepp. 43 - 44

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セッション 3  企画セッション
日時: 2023年2月3日(金) 14:40 - 16:40
部屋: 大研修室

3-1
題名(パネルディスカッション) カーボンニュートラルに貢献する半導体産業
著者講演・パネラー: 川口 雄介 (東芝), 東脇 正高 (大阪公立大), 三屋 裕幸 (鷺宮製作所), 都甲 薫 (筑波大)
Title(Panel Discussion) Semiconductor Technology for Carbon Neutral
AuthorSpeech & Panelist: Yusuke Kawaguchi (Toshiba Electronic Devices & Storage), Masataka Higashiwaki (Osaka Metropolitan Univ.), Hiroyuki Mitsuya (Saginomiya Seisakusho), Kaoru Toko (Univ. of Tsukuba)

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セッション 4  先端CMOS／3D集積技術
日時: 2023年2月3日(金) 17:10 - 18:20
部屋: 大研修室

4-1 (時間: 17:10 - 17:50)
Title(Special Speech) Future CMOS Device Scaling by 3D Architectures
Author*Naoto Horiguchi (imec)
Pagepp. 45 - 48

4-2 (時間: 17:50 - 18:20)
題名(招待講演) 先端3D集積技術としての表面活性化常温接合
著者*須賀 唯知 (明星大/先端システム技術研究組合)
Title(Invited Speech) Surface Activated Bonding as an Advanced 3D Integration Technology
Author*Tadatomo Suga (Meisei Univ./Research Association for Advanced Systems (RaaS))
Pagepp. 49 - 51


2023年2月4日(土)

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セッション 5  基調講演II
日時: 2023年2月4日(土) 9:00 - 9:50
部屋: 大研修室

5-1 (時間: 9:00 - 9:50)
題名(基調講演) 量子未来社会のための量子コンピュータ技術：基礎から最先端まで
著者*川畑 史郎 (産総研)
Title(Keynote Speech) Quantum Computer Technology for Quantum Future Society: from basics to cutting edge
Author*Shiro Kawabata (AIST)
Pagepp. 53 - 58

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セッション 6  エネルギーハーベスティング／パワーデバイス
日時: 2023年2月4日(土) 10:10 - 11:50
部屋: 大研修室

6-1 (時間: 10:10 - 10:30)
題名帯電材料カリウムイオンエレクトレットの水素による劣化の第一原理計算による研究
著者*大畑 慶記, 洗平 昌晃 (名大), 石黒 巧真, 三屋 裕幸 (鷺宮製作所), 年吉 洋 (東大), 芝田 泰, 橋口 原 (静岡大), 白石 賢二 (名大)
TitleFirst-principles Study of Degradation by Hydrogen of Charged Material Potassium-ion Electret
Author*Yoshiki Ohata, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Takuma Ishiguro, Hiroyuki Mitsuya (Saginomiya Seisakusho), Hiroshi Toshiyoshi (Univ. of Tokyo), Yasushi Shibata, Gen Hashiguchi (Shizuoka Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
Pagepp. 59 - 63

6-2 (時間: 10:30 - 10:50)
題名キャビティ・フリー多段マイクロ熱電デバイスの発電性能の基板厚さ依存性
著者*新井 崇平, 柏崎 翼, 保科 拓海, 富田 基裕 (早大), 松木 武雄 (早大/産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitleDependence of Power Generation Capacity of Cavity-free Multi-stage Micro Thermoelectric Generator on Substrate Thickness
Author*Shuhei Arai, Tsubasa Kashizaki, Takumi Hoshina, Motohiro Tomita (Waseda Univ.), Takeo Matsuki (Waseda Univ./AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
Pagepp. 65 - 68

6-3 (時間: 10:50 - 11:10)
題名ハライド混晶ペロブスカイト半導体 CsPb(IxBr1-x)3 の光誘起相分離：第一原理計算による検討
著者*冨田 愛美, 中山 隆史 (千葉大)
TitleFirst-principles Study on Photo-induced Composition Separation of Mixed-halide Perovskites CsPb(IxBr1-x)3 Semiconductors
Author*Ami Tomita, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
Pagepp. 69 - 74

6-4 (時間: 11:10 - 11:30)
題名窒化したSiC/SiO2界面の第一原理電子状態計算
著者*大本 瑞穂, 小松 直貴, 植本 光治, 小野 倫也 (神戸大)
TitleFirst-principles Electronic-structure Calculation for Nitrided SiC/SiO2 Interface Structure
Author*Mizuho Ohmoto, Naoki Komatsu, Mitsuharu Uemoto, Tomoya Ono (Kobe Univ.)
Pagepp. 75 - 80

6-5 (時間: 11:30 - 11:50)
題名β-Ga2O3 構造の電子状態・欠陥制御における (GaxIn1-x)2O3 固溶体化の効果
著者*成 浩 (明大/NIMS), 宝賀 剛 (鶴岡高専), 上田 茂典 (NIMS), 小椋 厚志 (明大/MREL), 知京 豊裕 (NIMS), 長田 貴弘 (NIMS/明大)
TitleEffects of (GaxIn1-x)2O3 Solid Solution System on Modification of Electronic Structure and Defects of β-Ga2O3 Structure
Author*Hao Cheng (Meiji Univ./NIMS), Takeshi Hoga (National Inst. of Tech., Tsuruoka Collage), Shigenori Ueda (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ./Meiji Renewable Energy Laboratory), Toyohiro Chikyow (NIMS), Takahiro Nagata (NIMS/Meiji Univ.)
Pagepp. 81 - 84

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セッション 7  Flashメモリ
日時: 2023年2月4日(土) 12:50 - 14:20
部屋: 大研修室

7-1 (時間: 12:50 - 13:20)
題名(招待講演) 3次元フラッシュメモリの現状と展望
著者田中 啓安 (キオクシア)
Title(Invited Speech) 3D Flash Memory Technology: Status and Perspective
AuthorHiroyasu Tanaka (KIOXIA)
Pagepp. 85 - 87

7-2 (時間: 13:20 - 13:40)
題名インピーダンス計測プラットフォーム技術を用いたSiN膜中トラップ特性の統計的計測
著者*齊藤 宏河, 鈴木 達彦, 光田 薫未, 間脇 武蔵, 諏訪 智之 (東北大), 寺本 章伸 (広島大), 須川 成利, 黒田 理人 (東北大)
TitleStatistical Measurement of SiN Trap Characteristics Using Impedance Measurement Platform Technology
Author*Koga Saito, Tatsuhiko Suzuki, Hidemi Mitsuda, Takezo Mawaki, Tomoyuki Suwa (Tohoku Univ.), Akinobu Teramoto (Hiroshima Univ.), Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda (Tohoku Univ.)
Pagepp. 89 - 94

7-3 (時間: 13:40 - 14:00)
題名水素ラジカルを用いたシリコン窒化膜中水素量の制御
著者*小俣 晴人 (東京都市大), 中川 清和 (アビット・テクノロジーズ), 三谷 祐一郎 (東京都市大)
TitleReduction of Hydrogen Content in Silicon Nitride Films by Hydrogen Radical Annealing
Author*Haruto Omata (Tokyo City Univ.), Kiyokazu Nakagawa (ABIT Technologies), Yuichiro Mitani (Tokyo City Univ.)
Pagepp. 95 - 100

7-4 (時間: 14:00 - 14:20)
題名アモルファスSi3N4中のトラップ欠陥の第一原理計算による研究
著者*七瀧 風五, 押山 淳 (名大), 岩田 潤一, 松下 雄一郎 (東工大), 白石 賢二 (名大)
TitleFirst-principles Calculations on Charge Traps in Amorphous Si3N4
Author*Fugo Nanataki, Atsushi Oshiyama (Nagoya Univ.), Jun-Ichi Iwata, Yu-ichiro Matsushita (Tokyo Inst. of Tech.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
Pagepp. 101 - 105

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セッション 8  新材料／評価技術
日時: 2023年2月4日(土) 14:50 - 16:20
部屋: 大研修室

8-1 (時間: 14:50 - 15:20)
題名(招待講演) エレクトロニクス応用を目指した2.5次元物質の研究開発
著者*吾郷 浩樹 (九大)
Title(Invited Speech) Research of 2.5 Dimensional Materials for Future Electronic Applications
Author*Hiroki Ago (Kyushu Univ.)
Pagepp. 107 - 108

8-2 (時間: 15:20 - 15:40)
題名スパッタ成膜によるGe(100)基板上への高品質単結晶GeSn層のエピタキシャル成長
著者*田中 信敬 (阪大), 國吉 望月 (アルバック未来技術協働研究所/阪大), 安部 和弥, 星原 雅生, 小林 拓真, 志村 志功, 渡部 平司 (阪大)
TitleEpitaxial Growth of High-quality Single-crystalline GeSn Layers on Ge(100) Substrates by Sputter Deposition
Author*Nobuyuki Tanaka (Osaka Univ.), Mizuki Kuniyoshi (ULVAC-Osaka Univ. Joint Research Laboratory for Future Technology/Osaka Univ.), Kazuya Abe, Masaki Hoshihara, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
Pagepp. 109 - 114

8-3 (時間: 15:40 - 16:00)
題名実測サブバンド準位を満たすイオン打ち込みSi(001)p型反転層形状の探索的決定
著者*市川 涼太, 奥村 勇斗, 比嘉 友大 (NAIST), 湯川 龍, 坂本 一之 (阪大), 筒井 一生 (東工大), 武田 さくら (NAIST)
TitleExploratory Determination of Ion-implanted Si(001) p-type Inversion Layer Geometry Satisfying Measured Subband Levels
Author*Ryota Ichikawa, Hayato Okumura, Yudai Higa (NAIST), Ryu Yukawa, Kazuyuki Sakamoto (Osaka Univ.), Kazuo Tsutsui (Tokyo Inst. of Tech.), Sakura Takeda (NAIST)
Pagepp. 115 - 120

8-4 (時間: 16:00 - 16:20)
題名絶縁膜の帯電制御を用いたエレクトロリフレクタンスによる界面評価
著者*白�� 保宏, 庄子 美南 (日立)
TitleStudy of Insulator/Semiconductor Interfaces Using Charging Induced Electroreflectance
Author*Yasuhiro Shirasaki, Minami Shoji (Hitachi Research and Development Group)
Pagepp. 121 - 124


2023年2月3日(金)

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セッション P  ポスターセッション
日時: 2023年2月3日(金) 13:00 - 14:30
部屋: 大研修室

P-1
題名硬X線光電子分光法を用いたAl2O3/TiO2/SiO2構造の熱処理による電気的特性変化の起源の解明
著者*桐原 芳治, 伊藤 俊一, 石川 亮佑 (東京都市大), 西原 達平, 小椋 厚志 (明大), 野平 博司 (東京都市大)
TitleElucidation of the Origin of Heat-Treatment-Induced Changes in Electrical Properties of the Al2O3/TiO2/SiO2 Structure Using Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
Author*Yoshiharu Kirihara, Shunichi Ito, Ryousuke Ishikawa (Tokyo City Univ.), Tappei Nishihara, Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
Pagepp. 125 - 128

P-2
題名4D-XPSスペクトル計測ビッグデータの超高速逆解析によるゲートスタック界面反応プロセスの高解像度可視化
著者*豊田 智史 (東北大), 吉村 真史 (スプリングエイトサービス), 住田 弘祐, 三根生 晋 (マツダ), 町田 雅武 (シエンタオミクロン), 吉越 章隆 (原研), 吉川 彰 (東北大), 鈴木 哲, 横山 和司 (兵庫県立大)
TitleHigh-resolution Visualization of Gate-Stack Interfacial Reaction Processes by Ultrafast Inverse Analysis of 4D-XPS Spectral Measurement Big Data
Author*Satoshi Toyoda (Tohoku Univ.), Masashi Yoshimura (SPring-8 Service), Hirosuke Sumida, Susumu Mineoi (Mazda), Masatake Machida (Scienta Omicron), Akitaka Yoshigoe (Japan Atomic Energy Agency), Akira Yoshikawa (Tohoku Univ.), Satoru Suzuki, Kazushi Yokoyama (Univ. of Hyogo)
Pagepp. 129 - 133

P-3
題名電子線照射によるデバイスダメージの評価
著者*清水 凜太郎, 清水 崚央, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleEvaluation of Damage to Semiconductor Devices Caused by Electron Beam Irradiation
Author*Rintaro Shimizu, Ryo Shimizu, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
Pagepp. 135 - 139

P-4
題名ランダムテレグラフノイズのMOSトランジスタ構造・動作条件依存性の統計的解析
著者*間脇 武蔵, 黒田 理人, 秋元 瞭, 須川 成利 (東北大)
TitleStatistical Analysis of Random Telegraphic Noise of MOS Transistors with Various Structures and Operation Conditions
Author*Takezo Mawaki, Rihito Kuroda, Ryo Akimoto, Shigetoshi Sugawa (Tohoku Univ.)
Pagepp. 141 - 145

P-5
題名原料にAl(CH3)3およびAlCl3を用いたALD-Al2O3膜の比較評価
著者*木村 慎治, 山口 直, 井上 真雄 (ルネサスエレクトロニクス)
TitleComparative Study of ALD-Al2O3 Films Using Al(CH3)3 and AlCl3 as Precursors
Author*Shinji Kimura, Tadashi Yamaguchi, Masao Inoue (Renesas Electronics)
Pagepp. 147 - 150

P-6
題名角度分解2光子光電子分光を用いた非占有状態解析
著者*坂田 智裕, 宮田 洋明, 山田 敬一, 澤田 啓介 (東レリサーチセンター), 山本 勇, 東 純平 (佐賀大)
TitleAnalysis of Unoccupied Electronic States Using Angle-resolved Two-photon Photoelectron Spectroscopy
Author*Tomohiro Sakata, Hiroaki Miyata, Keiichi Yamada, Keisuke Sawada (Toray Research Center), Isamu Yamamoto, Junpei Azuma (Saga Univ.)
Pagepp. 151 - 153

P-7
題名低視射角カソードルミネッセンスによるGa2O3の表面不純物の検出
著者*奥村 勇斗, 奥野 健也, 大上 丞, 市川 涼太 (NAIST), 加藤 有香子 (産総研), 三木 一司 (兵庫県立大), 山中 俊郎 (京大), 武田 さくら (NAIST)
TitleDetection of Ga2O3 Surface Impurities by Low Glancing Angle Cathodoluminescence
Author*Hayato Okumura, Kenya Okuno, Tasuku Ohgami, Ryota Ichikawa (NAIST), Yukako Katoh (AIST), Kazushi Miki (Univ. of Hyogo), Toshiroh Yamanaka (Kyoto Univ.), Sakura N. Takeda (NAIST)
Pagepp. 155 - 158

P-8
題名GaN(0001)基板上でのアモルファスGa2O3膜の熱処理による高配向結晶成長
著者*澤田 朋実, 生田目 俊秀 (NIMS), 高橋 誠, 伊藤 和博 (阪大), 女屋 崇, 色川 芳宏, 小出 康夫, 塚越 一仁 (NIMS)
TitleHighly Orientation Growth of an Amorphous Ga2O3 Film on GaN(0001) by Annealing Process
Author*Tomomi Sawada, Toshihide Nabatame (NIMS), Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito (Osaka Univ.), Takashi Onaya, Yoshihiro Irokawa, Yasuo Koide, Kazuhito Tsukagoshi (NIMS)
Pagepp. 159 - 161

P-9
題名積層Siナノシート熱電発電デバイスの最適設計
著者*三宅 由馬, 安部 克基, 富田 基裕 (早大), 松木 武雄 (産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitleOptimal Design of Multilayer Si Nanosheet Thermoelectric Generation Devices
Author*Yuma Miyake, Katsuki Abe, Motohiro Tomita (Waseda Univ.), Takeo Matsuki (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
Pagepp. 163 - 166

P-10
TitleInvestigating the Superiority of Cavity-free Architectural GeSn and Si Wire-based Thermoelectric Generators
Author*Md Mehdee Hasan Mahfuz, Motohiro Tomita (Waseda Univ.), Masashi Kurosawa (Nagoya Univ.), Takeo Matsuki (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
Pagepp. 167 - 170

P-11
題名TFET用TixZn1-xO1+xチャネル層及び Si界面物性に熱処理が与える影響
著者*大門 祐貴 (明大/NIMS), 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大), 長田 貴弘 (NIMS/明大)
TitleEffect of Post Annealing on Physical Properties of TixZn1-xO1+x Channel and Si Interface for Tunnel FETs
Author*Yuki Daimon (Meiji Univ./NIMS), Toyohiro Chikyow (NIMS), Sstushi Ogura (Meiji Univ.), Takahiro Nagata (NIMS/Meiji Univ.)
Pagepp. 171 - 174

P-12
題名TMDC-FET上への有機単分子膜形成によるｐ型ドーピングとコンタクト特性の評価
著者*堀場 大輔, 坂梨 昂平, 柯 梦南, 青木 伸之 (千葉大)
TitleStudy of Charge Transfer Doing and Contact Property of TMDC-FET via Organic Monolayer Formation
Author*Daisuke Horiba, Kohei Sakanashi, Mengnan Ke, Nobuyuki Aoki (Chiba Univ.)
Pagepp. 175 - 176

P-13
題名Al/Si(111)構造の平坦性および結晶性制御と偏析による極薄Si層形成
著者*酒井 大希, 大田 晃生, 松下 圭吾, 田岡 紀之, 牧原 克典, 宮�� 誠一 (名大)
TitleControl of Surface Flatness and Crystallinity of Al/Si(111) Structure and Formation of Ultrathin Si Layer by Segregation
Author*Taiki Sakai, Akio Ohta, Keigo Matsushita, Noriyuki Taoka, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
Pagepp. 177 - 181

P-14
題名SiO2上に形成したニッケルシリサイド薄膜の膜厚が表面形態・結晶相へ与える影響
著者*木村 圭佑, 田岡 紀之, 西村 駿介, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮�� 誠一 (名大)
TitleEffect of Thickness of Thin Nickel Silicide Films Formed on SiO2 on Surface Morphology and Crystalline Phases
Author*Keisuke Kimura, Noriyuki Taoka, Shunsuke Nishimura, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
Pagepp. 183 - 187

P-15
題名SiO2上へのNiGe薄膜の形成とその電気特性及び電子状態
著者*西村 駿介, 田岡 紀之, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮�� 誠一 (名大)
TitleFormation of NiGe Thin Film on SiO2 and Its Electrical and Electronic Properties
Author*Shunsuke Nishimura, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
Pagepp. 189 - 194

P-16
題名共晶系の偏析により形成した極薄Ge結晶のデバイスプロセスの検討
著者*松下 圭吾, 大田 晃生, 田岡 紀之, 牧原 克典, 宮�� 誠一 (名大)
TitleStudy on Device Process for Ultrathin Ge Crystal Formed by Segregation Using Metal-Ge Eutectic Reaction
Author*Keigo Matsushita, Akio Ohta, Noriyuki Taoka, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
Pagepp. 195 - 200

P-17
題名高速CWLA法による高伸張歪・高n型Ge薄膜の作製と評価
著者*サプトロ ラハマト ハディ (NIMS/筑波大), 松村 亮 (NIMS), 前田 辰郎 (産総研), 深田 直樹 (NIMS/筑波大)
TitleFabrication and Characterization of Highly Strained and Heavily Doped n-type Ge Films by High-speed CWLA
Author*Rahmat Hadi Saputro (NIMS/Univ. of Tsukuba), Ryo Matsumura (NIMS), Tatsuro Maeda (AIST), Naoki Fukata (NIMS/Univ. of Tsukuba)
Pagepp. 201 - 203

P-18
題名プラズマ酸化によるn-Ge ゲートスタックにおける遅い準位の特性
著者*柯 夢南 (千葉大), 李 宗恩, トープラサートポン カシディット, 竹中 充, 高木 信一 (東大)
TitleCharacteristics of Slow Traps in Different Interfacial Layers of n-Ge Gate Stacks by Plasma Oxidation
Author*Mengnan Ke (Chiba Univ.), Tsung-En Lee, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (Univ. of Tokyo)
Pagepp. 205 - 207

P-19
題名高電界におけるAl2O3/GeOx/Ge nMOS界面中の異なるトラップの分離
著者*柯 夢南 (千葉大), 李 宗恩, トープラサートポン カシディット, 竹中 充, 高木 信一 (東大)
TitleDiscrimination of Different Types of Traps in Al2O3/GeOx/Ge nMOS Interfaces at High Electric Field
Author*Mengnan Ke (Chiba Univ.), Tsung-En Lee, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (Univ. of Tokyo)
Pagepp. 209 - 211

P-20
題名水素ラジカル法を用いた高品質Al2O3ゲート/Ge基板構造の形成
著者*渡邉 晶, 浅見 真崇, 桐原 芳治 (東京都市大), 保井 晃 (高輝度光科学研究センター), 野平 博司 (東京都市大), 澤野 憲太郎 (東京都市大/アビット・テクノロジーズ), 中川 清和 (アビット・テクノロジーズ)
TitleFormation of High Quality Al2O3gate/Ge Substrate Structure Using Hydrogen Radical Irradiation
Author*Akira Watanabe, Masataka Asami, Yoshiharu Kirihara (Tokyo City Univ.), Akira Yasui (JASRI), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.), Kentarou Sawano (Tokyo City Univ./ABIT Technologies), Kiyokazu Nakagawa (ABIT Technologies)
Pagepp. 213 - 216

P-21
題名Si-pn接合中のSiGe量子井戸の共鳴準位によるトンネル電流の増大
著者*趙 祥勲, 中山 隆史 (千葉大)
TitleEnhancement of Tunneling Currents by Resonant States of SiGe Quantum Wells in Si-pn Junctions.
Author*Sanghun Cho, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
Pagepp. 217 - 222

P-22
題名GeコアSi量子ドットの構造評価と室温発光特性
著者*牧原 克典 (名大), Yuji Yamamoto (IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik), 今井 友貴, 田岡 紀之 (名大), Markus Andreas Schubert, Bernd Tillack (IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik), 宮�� 誠一 (名大)
TitleStructural and Light-emission Properties of High-density Superatom-like Ge-core/Si-shell Quantum Dots
Author*Katsunori Makihara (Nagoya Univ.), Yuji Yamamoto (IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik), Yuki Imai, Noriyuki Taoka (Nagoya Univ.), Markus Andreas Schubert, Bernd Tillack (IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik), Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
Pagepp. 223 - 228

P-23
題名AFM/ケルビンプローブモードによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの帯電状態評価
著者*今井 友貴, 牧原 克典, 田岡 紀之, 大田 晃生, 宮�� 誠一 (名大)
TitleStudy on Electronic Charged States of Ultrahigh Density Self-aligned Si-based Quantum Dots Evaluated with AFM/Kelvin Probe Technique
Author*Yuki Imai, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
Pagepp. 229 - 234