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「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会)
プログラム

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セッション表

表内のセッション名はそのセッション情報にリンクしています.

2022年1月28日(金)

オンライン会場
Opening
9:00 - 9:10
1  チュートリアル/基調講演
9:10 - 11:00
休憩
11:00 - 11:20
2  MRAM・フォトニクス材料
11:20 - 12:20
昼休憩
12:20 - 13:00
P  (オンラインポスター会場)
ポスターセッション

13:00 - 14:50
1日目午後の案内
14:50 - 15:00
3  企画セッション
15:00 - 17:00
休憩
17:00 - 17:10
4  エマージング材料・デバイス
17:10 - 19:10
2022年1月29日(土)

オンライン会場
2日目の案内
9:00 - 9:05
5  基調講演/強誘電体I
9:05 - 10:25
休憩
10:25 - 1045
6  強誘電体II・半導体
10:45 - 12:05
昼休憩・2日目午後案内(5分)
12:05 - 13:05
7  基調講演/パワーデバイス・分析I
13:05 - 15:15
休憩
15:15 - 15:35
8  パワーデバイス・分析II
15:35 - 17:05
休憩
17:05 - 17:15
9  表彰式・閉会式
17:15 - 17:45
B  (オンライン懇親会会場 by Remo)
オンライン懇親会 Remo

17:45 - 19:45


論文一覧

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2022年1月28日(金)

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セッション 1  チュートリアル/基調講演
日時: 2022年1月28日(金) 9:10 - 11:00
部屋: オンライン会場

1-1 (時間: 9:10 - 10:10)
題名インテリジェント制御による半導体製造装置のイノベーション
著者*守屋 剛 (東京エレクトロン)
TitleInnovation of Semiconductor Manufacturing Equipment by Intelligent control
Author*Tsuyoshi Moriya (Tokyo Electron)

1-2 (時間: 10:10 - 11:00)
題名(基調講演) 日本で初めての商用ゲート型量子コンピュータ
著者*中野 大樹 (日本IBM)
Title(Keynote Speech) The first quantum computer installed in Japan
Author*Daiju Nakano (IBM Research - Tokyo)


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セッション 2  MRAM・フォトニクス材料
日時: 2022年1月28日(金) 11:20 - 12:20
部屋: オンライン会場

2-1 (時間: 11:20 - 11:40)
題名MgO中の粒界がSTT-MRAMのFe/MgOの界面垂直磁気異方性に与える影響の理論的研究
著者*森下 佳祐 (名大), 原嶋 庸介 (筑波大), 洗平 昌晃 (名大), 遠藤 哲郎 (東北大), 白石 賢二 (名大)
TitleEffect of Grain Boundaries in MgO on Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy at Fe/MgO Interface in STT-MRAM
Author*Keisuke Morishita (Nagoya Univ.), Yosuke Harashima (Univ. of Tsukuba), Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Tetsuo Endoh (Tohoku Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)

2-2 (時間: 11:40 - 12:00)
題名In2O3系近赤外域透明導電膜ゲートを用いた InGaAs PhotoFETsの動作実証
著者*大石 和明 (東京理科大), 鯉田 崇, 清水 鉄司, 石井 裕之, 張 文馨 (産総研), 遠藤 聡, 藤代 博記 (東京理科大), 前田 辰郎 (産総研)
TitleDemonstration of InGaAs PhotoFETs with In2O3-based SWIR Transparent Conductive Oxide Gate
Author*Kazuaki Oishi (Tokyo Univ. of Science), Takashi Koida, Tetsuji Shimizu, Hiroyuki Ishii, Wen-Hsin Chang (AIST), Akira Endoh, Hiroki Fujishiro (Tokyo Univ. of Science), Tatsuro Maeda (AIST)

2-3 (時間: 12:00 - 12:20)
題名光吸収層を有する石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化
著者*田淵 直人, 山口 凌雅, 近藤 雅斗 (阪大), 國吉 望月 (アルバック未来技術協働研究所), 細井 卓治 (関西学院大), 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleLaser-induced Liquid-phase Crystallization of GeSn Wires on Quartz Substrate Covered with Light-absorbing Layer
Author*Naoto Tabuchi, Ryoga Yamaguchi, Masato Kondoh (Osaka Univ.), Mizuki Kuniyoshi (ULVAC-Osaka Univ. Joint Research Laboratory for Future Technology), Takuji Hosoi (Kwansei Gakuin Univ.), Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)


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セッション 3  企画セッション
日時: 2022年1月28日(金) 15:00 - 17:00
部屋: オンライン会場


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セッション 4  エマージング材料・デバイス
日時: 2022年1月28日(金) 17:10 - 19:10
部屋: オンライン会場

4-1 (時間: 17:10 - 17:40)
Title(Invited Speech) Epitaxial Ge Virtual Substrates and Ge-on-Nothing on Si: Comparison of Material Properties
AuthorRoger Loo, Clément Porret, Valérie Depauw, Han Han, Emma Vecchio, Mathias Berciano, Didit Yudistira, Marianna Pantouvaki, Joris Van Campenhout (Imec)

4-2 (時間: 17:40 - 18:10)
題名(招待講演) 高密度異種機能集積のための先端3D積層技術
著者*川野 連也 (東大)
Title(Invited Speech) Advanced 3D Stacking Technology for High Density Heterogeneous Integration
Author*Masaya Kawano (Univ. of Tokyo)

4-3 (時間: 18:10 - 18:40)
題名(招待講演) 酸化物材料による三次元集積メモリデバイスの新展開
著者*小林 正治, Jixuan Wu, Fei Mo, 更屋 拓哉, 平本 俊郎 (東大), 越智 元隆 (神戸製鋼所), 後藤 裕史 (コベルコ科研)
Title(Invited Speech) 3D Integrated Memory Devices Enabled by Oxide Semiconductor
Author*Masaharu Kobayashi, Jixuan Wu, Fei Mo, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto (Univ. of Tokyo), Mototaka Ochi (Kobe Steel), Hiroshi Goto (Kobelco Research Institute)

4-4 (時間: 18:40 - 19:10)
題名(招待講演) 2次元層状物質の新機能デバイスへの展開
著者*長汐 晃輔 (東大)
Title(Invited Speech) Toward novel functional devices based on 2D layered materials
Author*Kosuke Nagashio (Univ. of Tokyo)



2022年1月29日(土)

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セッション 5  基調講演/強誘電体I
日時: 2022年1月29日(土) 9:05 - 10:25
部屋: オンライン会場

5-1 (時間: 9:05 - 9:55)
題名(基調講演) 先端ロジックCMOSのためのチャネル材料・デバイス技術
著者*高木 信一, 隅田 圭, 陳 家驄, 韓 雪揚, 林 酩, 光元, トープラサートポン カシディット, 竹中 充 (東大)
Title(Keynote Speech) Channel Material and Device Technology for Advanced Logic CMOS
Author*Shinichi Takagi, Kei Sumita, Chia Tsong Chen, Xueyang Han, Cheol-Min Lim, Kwangwon Jo, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka (Univ. of Tokyo)

5-2 (時間: 9:55 - 10:25)
題名(招待講演) HfO2強誘電相の安定化:第一原理計算に基づく考察
著者*中山 隆史 (千葉大)
Title(Invited Speech) Stabilization of ferroelectric orthorhombic HfO2: first-principles calculation view
Author*Takashi Nakayama (Chiba Univ.)


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セッション 6  強誘電体II・半導体
日時: 2022年1月29日(土) 10:45 - 12:05
部屋: オンライン会場

6-1 (時間: 10:45 - 11:05)
題名強誘電性の向上へ向けたTiN/HfxZr1-xO2界面のTiOxNy層の重要性
著者*女屋 崇 (産総研/NIMS/日本学術振興会特別研究員PD), 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 上田 茂典 (NIMS), Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Jiyoung Kim (テキサス大学ダラス校), Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai (ブルックヘブン国立研究所), 太田 裕之, 森田 行則 (産総研)
TitleImportance of TiOxNy Layer at TiN/HfxZr1-xO2 Interface for Superior Ferroelectricity
Author*Takashi Onaya (AIST/NIMS/JSPS Research Fellow PD), Toshihide Nabatame, Takahiro Nagata, Shigenori Ueda (NIMS), Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Jiyoung Kim (Univ. of Texas, Dallas), Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai (Brookhaven National Laboratory), Hiroyuki Ota, Yukinori Morita (AIST)

6-2 (時間: 11:05 - 11:25)
題名HfO2/TiO2/SiO2構造の電圧印加によるTiの化学結合状態変化の観測
著者*桐原 芳治, 辻口 良太, 伊藤 俊一 (東京都市大), 保井 晃 (高輝度光科学研究センター), 宮田 典幸 (産総研), 野平 博司 (東京都市大)
TitleObservation of Chemical Bonding State Change of Ti in HfO2/TiO2/SiO2 Structure by Applying Voltage
Author*Yoshiharu Kirihara, Ryota Tsujiguchi, Syunichi Ito (Tokyo City Univ.), Akira Yasui (JASRI), Noriyuki Miyata (AIST), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)

6-3 (時間: 11:25 - 11:45)
題名AlN MOVPEにおけるトリメチルアルミニウム分解反応の理論的考察
著者*赤石 大地, 洗平 昌晃, 白石 賢二 (名大)
TitleTheoretical Study on Trimethylaluminum Decomposition in AlN MOVPE
Author*Daichi Akaishi, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)

6-4 (時間: 11:45 - 12:05)
TitleIdentifying an Anomalous Phonon Mode in SiGe Alloy using Molecular Dynamics Simulation
Author*Sylvia Yuk Yee Chung, Motohiro Tomita, Junya Takizawa (Waseda Univ.), Ryo Yokogawa (Meiji Renewable Energy Laboratory), Atsushi Ogura (Meiji Renewable Energy Laboratory/Meiji Univ.), Haidong Wang (Tsinghua Univ.), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)


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セッション 7  基調講演/パワーデバイス・分析I
日時: 2022年1月29日(土) 13:05 - 15:15
部屋: オンライン会場

7-1 (時間: 13:05 - 13:55)
題名(基調講演) 人類の文明に必要不可欠な半導体 −2050年の世界半導体市場予測−
著者*湯之上 隆 (微細加工研究所)
Title(Keynote Speech) Semiconductors indispensable for human civilization - 2050 Global Semiconductor Market Forecast-
Author*Takashi Yunogami (Fine Processing Institute)

7-2 (時間: 13:55 - 14:15)
題名NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価
著者*中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真 (阪大), 染谷 満, 岡本 光央 (産総研), 吉越 章隆 (原研), 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleEvaluation of leakage current and threshold voltage shift in NO nitrided 4H-SiC(11-20) MOS devices
Author*Takato Nakanuma, Yu Iwakata, Takuma Kobayashi (Osaka Univ.), Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto (AIST), Akitaka Yoshigoe (Japan Atomic Energy Agency), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)

7-3 (時間: 14:15 - 14:35)
題名CVD成長環境下におけるSiC微斜面への水素被覆の理論研究
著者*木村 友哉, 長川 健太, 押山 淳, 白石 賢二 (名大)
TitleTheoretical Study of Hydrogen Adsorption on SiC Vicinal Surface under CVD Growth Condition
Author*Tomoya Kimura, Kenta Chokawa, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)

7-4 (時間: 14:35 - 14:55)
題名GaN複合空孔の電子構造の第一原理計算による研究
著者*櫻井 亮介, 長川 健太, 押山 淳, 白石 賢二 (名大)
TitleFirst Principles Studies on Electronic Structures of GaN divacancies
Author*Ryosuke Sakurai, Kenta Chokawa, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)

7-5 (時間: 14:55 - 15:15)
題名4D-XPS計測ビッグデータの順逆解析シミュレーション検証
著者*豊田 智史 (東北大), 吉村 真史 (スプリングエイトサービス), 住田 弘祐, 三根生 晋 (マツダ), 町田 雅武 (シエンタオミクロン), 吉越 章隆 (原研), 吉川 彰 (東北大), 鈴木 哲, 横山 和司 (兵庫県立大)
TitleSimulation verification of forward/reverse analysis in Big data of 4D-XPS measurements
Author*Satoshi Toyoda (Tohoku Univ.), Masashi Yoshimura (SPring-8 Service), Hirosuke Sumida, Susumu Mineoi (Mazda), Masatake Machida (Scienta Omicron), Akitaka Yoshigoe (Japan Atomic Energy Agency), Akira Yoshikawa (Tohoku Univ.), Satoru Suzuki, Kazushi Yokoyama (Univ. of Hyogo)


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セッション 8  パワーデバイス・分析II
日時: 2022年1月29日(土) 15:35 - 17:05
部屋: オンライン会場

8-1 (時間: 15:35 - 16:05)
題名(招待講演) SiC表面の酸化と窒化によるMOS界面形成の科学
著者*喜多 浩之 (東大)
Title(Invited Speech) Material Sciences in SiC MOS Interface Formation through Surface Oxidation and Surface Nitridation Reactions
Author*Koji Kita (Univ. of Tokyo)

8-2 (時間: 16:05 - 16:35)
題名(招待講演) SiCをプラットフォームとした低環境負荷Beyond 5Gデバイスの開発と物理
著者*吹留 博一 (東北大)
Title(Invited Speech) Development and exploring physics of low environmental load Beyond 5G devices using SiC as a platform
Author*Hirokazu Fukidome (Tohoku Univ.)

8-3 (時間: 16:35 - 17:05)
題名(招待講演) AlSiOゲート酸化膜を用いたGaNパワーMOSFET の進展と課題
著者*成田 哲生, 伊藤 健治, 菊田 大悟 (豊田中研), 冨田 一義, 堀田 昌宏, 加地 徹 (名大)
Title(Invited Speech) Progress on and Challenges of GaN Power MOSFETs using AlSiO gate oxides
Author*Tetsuo Narita, Kenji Ito, Daigo Kikuta (Toyota Central R&D Labs.), Kazuyoshi Tomita, Masahiro Horita, Tetsu Kachi (Nagoya Univ.)


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セッション 9  表彰式・閉会式
日時: 2022年1月29日(土) 17:15 - 17:45
部屋: オンライン会場



2022年1月28日(金)

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セッション P  ポスターセッション
日時: 2022年1月28日(金) 13:00 - 14:50
部屋: オンラインポスター会場

P-1
題名高n型Geのエピタキシャル成長中におけるSbの再分布
著者*サプトロ ラハマト ハディ (NIMS/筑波大), 松村 亮 (NIMS), 深田 直樹 (NIMS/筑波大)
TitleRedistribution of Sb during Epitaxial Growth of Highly n-doped Ge
Author*Rahmat Hadi Saputro (NIMS/Univ. of Tsukuba), Ryo Matsumura (NIMS), Naoki Fukata (NIMS/Univ. of Tsukuba)

P-2
題名Si(100)上無極性AlN成長時のN2スパッタリングガス供給量の条件検討
著者*森田 雅也 (明大), 石橋 啓次, 高橋 健一郎 (コメット), 上田 茂典, 陳 君, 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大), 長田 貴弘 (NIMS)
TitleStudy on Conditions of N2 Sputtering Gas Ratio for Nonpolar AlN Growth on Si (100)
Author*Masaya Morita (Meiji Univ.), keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi (Comet), Shigenori Ueda, Jun Chen, Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Takahiro Nagata (NIMS)

P-3
題名第一原理計算による歪んだSiO2中の欠陥の帯電効果の研究
著者*西村 豪広, 影島 博之 (島根大)
TitleFirst-principles Study of Charging Effect for Defects in Strained SiO2
Author*Takehiro Nishimura, Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.)

P-4
題名トンネルFET用二元酸化物半導体チャネル材料の組成と熱処理が物性に与える影響
著者*大門 祐貴 (明大), 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大), 長田 貴弘 (NIMS)
TitleEffects of composition and post annealing on physical properties of binally oxide semiconductor based channel materials for tunnel FETs
Author*Yuki Daimon (Meiji Univ.), Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Takahiro Nagata (NIMS)

P-5
題名HfO2薄膜の安定性と誘電特性:第一原理計算による検討
著者*牧 芳和, 新井 千慧, 中山 隆史 (千葉大)
TitleFirst-principles study on stability and dielectric properties of HfO2 thin films
Author*Yoshikazu Makis, Kazuaki Arai, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)

P-6
題名低次元薄膜半導体のpn接合におけるトンネル電流の振る舞い:その理論的検討
著者*趙 祥勲 (千葉大), 飯塚 将太 (産総研), 中山 隆史 (千葉大)
TitleTunneling Currents through pn Junctions of Low-dimensional Thin-film Semiconductors: Theoretical Study
Author*Sanghun Cho (Chiba Univ.), Shota Iizuka (AIST), Takashi Nakayama (Chiba Univ.)

P-7
題名半導体のpn接合における点欠陥・不純物を介したトンネル電流の理論的検討
著者*加藤 珠良偉, 趙 祥勲, 中山 隆史 (千葉大)
TitleTheoretical Study on Tunneling Current through Semiconductor pn Junctions with Defects and Impurities
Author*Jyurai Kato, Sanghun Cho, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)

P-8
題名酸素空孔の帯電が誘起する金属酸化物の構造変化:第一原理計算による検討
著者*新井 千慧, 中山 隆史 (千葉大)
TitleOxygen-Vacancy Charging Induced Structural Change of Metal Oxides: First-Principles Study
Author*Kazuaki Arai, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)

P-9
題名単純金属/Ge界面のフェルミレベル・デピニング:第一原理計算による検討
著者*西本 瑛, 植田 夏葉, 中山 隆史 (千葉大)
TitleFermi-level Depinning at Simple-Metal/Ge Interfaces: First-principles Study
Author*Akira Nishimoto, Kayou Ueda, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)

P-10
題名TiN/ZrO2/Al2O3スタック構造によるZrO2膜の高誘電率化へ向けたチャレンジ
著者*澤田 朋実, 生田目 俊秀 (NIMS), 女屋 崇 (産総研/日本学術振興会特別研究員PD), 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塚越 一仁 (NIMS)
TitleChallenge of High dielectric constant of ZrO2 film using TiN/ZrO2/Al2O3 stack structure
Author*Tomomi Sawada, Toshihide Nabatame (NIMS), Takashi Onaya (AIST/JSPS Research Fellow PD), Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Kazuhito Tsukagoshi (NIMS)

P-11
題名4H-SiC/SiO2界面での窒素酸化物およびアンモニアの反応機構の理論的検討
著者*秋山 亨, 清水 紀志, 伊藤 智徳 (三重大), 影島 博之 (島根大), 白石 賢二 (名大)
TitleReaction of nitrogen oxide and NH3 molecules at 4H-SiC/SiO2 interface: an ab initio study
Author*Toru Akiyama, Tsunashi Shimizu, Tmonori Ito (Mie Univ.), Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)

P-12
題名ポーリング処理前後における強誘電性Hf0.5Zr0.5O2薄膜の不可逆的な伝導特性変化
著者*森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司 (産総研)
TitleIrreversible Change of Carrier Transport Property of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films by the First Poling Treatment
Author*Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Shinji Migita (AIST)

P-13
題名AlGaNキャップ層によるMgドープp-GaNの活性化抑制と水素脱離過程の制御による特性改善
著者*溝端 秀聡, 和田 悠平, 野 幹人, 細井 卓治 (阪大), 成田 哲生 (豊田中研), 加地 徹 (名大), 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleInhibition of Mg Activation in P-Type GaN Caused by Thin AlGaN Capping Layer and Impact of Designing Hydrogen Desorption Pathway
Author*Hidetoshi Mizobata, Yuhei Wada, Mikito Nozaki, Takuji Hosoi (Osaka Univ.), Tetsuo Narita (Toyota Central R&D Labs.), Tetsu Kachi (Nagoya Univ.), Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)

P-14
題名HF溶液中でのエッチング時のC-V測定によるSiO2膜中電荷分布評価
著者*緒方 将志, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleEvaluation of Charge Distribution in SiO2 Film by C-V Measurement During Etching in HF Solution
Author*Masashi Ogata, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)

P-15
題名HClによる表面洗浄がAl2O3/GaN界面特性および電気的特性に与える影響
著者*長井 大誠, 田岡 紀之, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮 誠一 (名大)
TitleEffects of HCl cleaning on Al2O3/GaN interface and electrical properties
Author*Taisei Nagai (Nagoya Univ.), Noriyuki Taoka (DII Collaborative Graduate Program for Accelerating Innovation in Future Electronics), Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)

P-16
題名極薄GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重障壁構造の形成およびその電気的特性
著者*柴山 茂久, Galih Ramadana Suwito, 中塚 理 (名大)
TitleFormation of ultra-thin GeSiSn/GeSn/GeSiSn double-barrier structures and their electrical properties
Author*Shigehisa Shibayama, Galih Ramadana Suwito, Osamu Nakatsuka (Nagoya Univ.)

P-17
題名基板加熱によるAl/Ge(111) の結晶性・平坦性の制御と熱処理によるGe表面偏析
著者*松下 圭吾, 大田 晃生 (名大), 林 将平 (東レリサーチセンター), 田岡 紀之, 牧原 克典, 宮 誠一 (名大)
TitleControls of Crystallinity and Surface Flatness of Al/Ge(111) by Substrate Heating and Ge Surface Segregation by Annealing
Author*Keigo Matsushita, Akio Ohta (Nagoya Univ.), Shohei Hayashi (Toray Research Center), Noriyuki Taoka, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)

P-18
題名CVD堆積SiO2薄膜の電気特性と相関するXPSスペクトルの特徴量とその物理的起源
著者*武田 さくら (NAIST), Emilia Hashamova (Karlsruhe Inst. of Tech.), 長谷川 菜, 上沼 睦典, 宮尾 知幸, 小野 直亮, 浦岡 行治, 船津 公人 (NAIST)
TitleA feature in XPS spectra of CVD-SiO2 films having correlation with their electronic properties and its physical origin
Author*Sakura Takeda N. (NAIST), Emilia Hashamova (Karlsruhe Inst. of Tech.), Sai Hasegawa, Mutsunori Uenuma, Tomoyuki Miyao, Naoaki Ono, Yukiharu Uraoka, Kimito Funatsu (NAIST)

P-19
題名Baを導入したSiC上熱酸化膜の面内不均質性
著者*関根 将吾 (筑波大), 岡本 光央, 染谷 満, 平井 悠久 (産総研), 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleNanoscale inhomogeneity of Ba-introduced thermally grown SiO2 on SiC
Author*Shogo Sekine (Univ. of Tsukuba), Mitsuo Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai (AIST), Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)



2022年1月29日(土)

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セッション B  オンライン懇親会 Remo
日時: 2022年1月29日(土) 17:45 - 19:45
部屋: オンライン懇親会会場 by Remo