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「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第25回研究会)
プログラム

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セッション表

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2020年1月30日(木)

Registration
19:30 - 20:00
T  チュートリアル
20:00 - 21:30
2020年1月31日(金)

Opening
8:55 - 9:00
1  強誘電体材料・デバイス
9:00 - 10:30
Coffee Break
10:30 - 10:50
2  酸化物界面
10:50 - 12:10
集合写真＆昼食
12:10 - 13:20
3  熱制御
13:20 - 14:10
4  基調講演1
14:10 - 15:00
Coffee Break
15:00 - 15:20
5  企画セッション前半
15:20 - 16:05
Break
16:05 - 16:25
6  企画セッション後半
16:25 - 17:10
移動
17:10 - 17:30
懇親会
17:30 - 19:30
P  ポスターセッション
19:30 - 21:30
2020年2月1日(土)

7  基調講演2
9:00 - 9:50
8  メモリ
9:50 - 10:40
Coffee Break
10:40 - 11:00
9  フォトニクス
11:00 - 12:10
昼食
12:10 - 13:10
10  パワーデバイス
13:10 - 14:40
Coffee Break
14:40 - 15:00
11  評価
15:00 - 16:00
Break
16:00 - 16:20
Closing (Young award ceremony)
16:20 - 17:00

論文一覧

(「*」印は講演予定者を表す)

2020年1月30日(木)

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セッション T  チュートリアル
日時: 2020年1月30日(木) 20:00 - 21:30

T-1 (時間: 20:00 - 21:30)
題名量子分岐マシンとシミュレーテッド分岐マシン
著者*後藤 隼人 (東芝)
TitleQuantum Bifurcation Machine and Simulated Bifurcation Machine
Author*Hayato Goto (Toshiba)
ページpp. 201 - 222


2020年1月31日(金)

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セッション 1  強誘電体材料・デバイス
日時: 2020年1月31日(金) 9:00 - 10:30

1-1 (時間: 9:00 - 9:20)
題名HfO2強誘電体メモリの低電圧動作に向けた構造設計
著者*右田 真司, 太田 裕之, 森田 行則 (産総研)
TitleStructural Design of Ferroelectric HfO2 Films for Low-Operation Voltage Memories
Author*Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita (AIST)
ページpp. 1 - 4

1-2 (時間: 9:20 - 9:40)
題名低温ウェット熱処理による強誘電性のアンドープZrO2薄膜の形成
著者*柴山 茂久, 永野 丞太郎, 坂下 満男, 中塚 理 (名大)
TitleFormation of Ferroelectric Undoped ZrO2 Thin Film Using Low Temperature Wet Annealing
Author*Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka (Nagoya Univ.)
ページpp. 5 - 8

1-3 (時間: 9:40 - 10:00)
題名帯電が誘起する強誘電な斜方晶HfO2の形成：酸素空孔とドーパントの役割
著者*白石 悠人, 長澤 立樹 (千葉大), 洗平 昌晃, 白石 賢二 (名大), 中山 隆史 (千葉大)
TitleCharging-induced Formation of Ferroelectric Orthorhombic HfO2; Roles of Oxygen Vacancy and Dopants
Author*Yuto Shiraishi, Riki Nagasawa (Chiba Univ.), Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.), Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 9 - 14

1-4 (時間: 10:00 - 10:30)
題名(招待講演) 強誘電体トンネル接合素子を用いたインメモリ強化学習
著者*西 義史, ベルダン ラドゥ, 丸亀 孝生 (東芝), 太田 健介, 山口 まりな, 齋藤 真澄, 藤井 章輔, 出口 淳 (キオクシア)
Title(Invited Speech) In-memory Reinforcement Learning Using Ferroelectric Tunnel Junction Devices
Author*Yoshifumi Nishi, Radu Berdan, Takao Marukame (Toshiba), Kensuke Ota, Marina Yamaguchi, Masumi Saitoh, Shosuke Fujii, Jun Deguchi (Kioxia)
ページpp. 15 - 18

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セッション 2  酸化物界面
日時: 2020年1月31日(金) 10:50 - 12:10

2-1 (時間: 10:50 - 11:10)
題名バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO2/SiO2界面ダイポール変調の検出
著者*野平 博司, 和田 励虎 (東京都市大), 保井 晃 (高輝度光科学研究センター), 宮田 典幸 (産総研)
TitleBias-Applied Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of HfO2/SiO2 Interface Dipole Modulation
Author*Hiroshi Nohira, Reito Wada (Tokyo City Univ.), Akira Yasui (JASRI), Noriyuki Miyata (AIST)
ページpp. 19 - 22

2-2 (時間: 11:10 - 11:30)
題名ALD法で作製したC-doped及びC-free In2O3膜をチャネルとした酸化物TFTの比較
著者*小林 陸 (明大), 生田目 俊秀 (NIMS), 栗島 一徳, 女屋 崇 (明大), 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁 (NIMS), 小椋 厚志 (明大)
TitleComparison of Characteristics of Oxide TFT with C-doped and C-free In2O3 Channels by ALD
Author*Riku Kobayashi (Meiji Univ.), Toshihide Nabatame (NIMS), Kazunori Kurishima, Takashi Onaya (Meiji Univ.), Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページpp. 23 - 25

2-3 (時間: 11:30 - 11:50)
題名トンネルFET用n型TixZn1-xO1+x及びGa2xZn1-xO1+2xチャネルの検討
著者*栗島 一徳 (NIMS/日本学術振興会特別研究員PD/明大), 小椋 厚志 (明大), 知京 豊裕 (NIMS), 長田 貴弘 (NIMS/明大)
TitleStudy on N-type TixZn1-xO1+x and Ga2xZn1-xO1+2x Channel for Tunnel FETs
Author*Kazunori Kurishima (NIMS/JSPS Research Fellow PD/Meiji Univ.), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Toyohiro Chikyow (NIMS), Takahiro Nagata (NIMS/Meiji Univ.)
ページpp. 27 - 30

2-4 (時間: 11:50 - 12:10)
題名Ge表面清浄化プロセスを用いたY2O3/Ge pMOSFETsの作製と評価
著者*石井 寛仁 (東京理科大/産総研), 石井 裕之, 張 文馨, 森田 行則 (産総研), 遠藤 聡, 藤代 博記 (東京理科大), 前田 辰郎 (東京理科大/産総研)
TitleCharacterization of Y2O3/Ge pMOSFETs with Clean Ge Surface
Author*Hiroto Ishii (Tokyo Univ. of Science/AIST), Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Yukinori Morita (AIST), Akira Endoh, Hiroki Fujishiro (Tokyo Univ. of Science), Tatsuro Maeda (Tokyo Univ. of Science/AIST)
ページpp. 31 - 35

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セッション 3  熱制御
日時: 2020年1月31日(金) 13:20 - 14:10

3-1 (時間: 13:20 - 13:40)
TitleOrigin of Anomalous Phonon State in SiGe Alloys Studied with Molecular Dynamics
Author*Sylvia Yuk Yee Chung, Motohiro Tomita, Ryo Yokogawa (Waseda Univ.), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 37 - 40

3-2 (時間: 13:40 - 14:10)
題名(招待講演) 熱の時空間制御による分子センサの低エネルギー化
著者田中 貴久, *内田 建 (東大)
Title(Invited Speech) Sub-mW and ppm-Level Detection of Gas Molecules for Breath-Based Healthcare
AuthorTakahisa Tanaka, *Ken Uchida (Univ. of Tokyo)
ページpp. 41 - 43

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セッション 4  基調講演1
日時: 2020年1月31日(金) 14:10 - 15:00

4-1 (時間: 14:10 - 15:00)
題名(基調講演) 日本電子産業の衰退に何を学ぶか
著者*西村 吉雄 (ジャーナリスト)
Title(Keynote Speech) What We Learn from the Decline of Japanese Electronics Industry
Author*Yoshio Nishimura (Journalist)
ページpp. 45 - 48


2020年2月1日(土)

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セッション 7  基調講演2
日時: 2020年2月1日(土) 9:00 - 9:50

7-1 (時間: 9:00 - 9:50)
題名(基調講演) 日本のSiエレクトロニクスの展望
著者*平本 俊郎 (東大)
Title(Keynote Speech) Future Prospects of Si Electronics in Japan
Author*Toshiro Hiramoto (Univ. of Tokyo)
ページpp. 49 - 50

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セッション 8  メモリ
日時: 2020年2月1日(土) 9:50 - 10:40

8-1 (時間: 9:50 - 10:20)
Title(Invited Speech) Exploration of Novel Non-volatile Memory Materials for Analog Computing
Author*Takashi Ando (IBM)
ページpp. 51 - 54

8-2 (時間: 10:20 - 10:40)
題名電圧印可によるTiO2中の酸素空孔分布の変化：第一原理計算によるVMCOメモリ特性の検討
著者*笈川 拓也, 長澤 立樹 (千葉大), 洗平 昌晃, 白石 賢二 (名大), 中山 隆史 (千葉大)
TitleImpact of Applied Voltages on Oxygen-vacancy Distribution in TiO2: First-principles Study of VMCO-memory Characteristics
Author*Takuya Oikawa, Riki Nagasawa (Chiba Univ.), Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.), Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 55 - 60

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セッション 9  フォトニクス
日時: 2020年2月1日(土) 11:00 - 12:10

9-1 (時間: 11:00 - 11:30)
題名(招待講演) Society 5.0 時代における異種材料集積シリコンフォトニクス
著者*竹中 充, 高木 信一 (東大)
Title(Invited Speech) Heterogeneous Si Photonics for Society 5.0
Author*Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 61 - 64

9-2 (時間: 11:30 - 11:50)
題名液相成長GeSnを用いた横型pinダイオードの高効率室温エレクトロルミネッセンス
著者*和田 裕希, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleHighly Efficient Room Temperature Electroluminescence from GeSn Lateral PIN Diode Fabricated by Liquid-phase Crystallization
Author*Youki Wada, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 65 - 68

9-3 (時間: 11:50 - 12:10)
題名転写技術を用いたSi基板上の表面照射型InGaAs PhotoFETの実証
著者*大石 和明 (産総研/東京理科大), 石井 裕之, 張 文馨, 清水 鉄司 (産総研), 石井 寛仁 (産総研/東京理科大), 藤代 博記, 遠藤 聡 (東京理科大), 前田 辰郎 (産総研/東京理科大)
TitleDemonstration of Front Side Illumination InGaAs PhotoFET on Si Substrate Using Transfer Technology
Author*Kazuaki Oishi (AIST/Tokyo Univ. of Science), Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu (AIST), Hiroto Ishii (AIST/Tokyo Univ. of Science), Hiroki Fujishiro, Akira Endoh (Tokyo Univ. of Science), Tatsuro Maeda (AIST/Tokyo Univ. of Science)
ページpp. 69 - 74

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セッション 10  パワーデバイス
日時: 2020年2月1日(土) 13:10 - 14:40

10-1 (時間: 13:10 - 13:40)
題名(招待講演) ダイヤモンドデバイスとMOS界面の現状
著者*松本 翼, 桜井 海匡 (金沢大), 加藤 宙光, 牧野 俊晴, 小倉 政彦, 竹内 大輔 (産総研), 山崎 聡, 猪熊 孝夫, 徳田 規夫 (金沢大)
Title(Invited Speech) Current Status of Diamond Device and MOS Interface
Author*Tsubasa Matsumoto, Ukyo Sakurai (Kanazawa Univ.), Hiromitsu Kato, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Daisuke Takeuchi (AIST), Satoshi Yamasaki, Takao Inokuma, Norio Tokuda (Kanazawa Univ.)
ページpp. 75 - 78

10-2 (時間: 13:40 - 14:00)
題名Al2O3/β-Ga2O3スタック構造のPMA効果と界面特性の関係
著者*廣瀬 雅史 (芝浦工大), 生田目 俊秀 (NIMS), 前田 瑛里香 (芝浦工大), 大井 暁彦, 池田 直樹, 色川 芳宏, 小出 康夫 (NIMS), 清野 肇 (芝浦工大)
TitleRelationship between PMA Effect and Interface Characteristics of Al2O3/β-Ga2O3 Stack Structure
Author*Masafumi Hirose (Shibaura Inst. of Tech.), Toshihide Nabatame (NIMS), Erika Maeda (Shibaura Inst. of Tech.), Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Yoshihiro Irokawa, Yasuo Koide (NIMS), Hajime Kiyono (Shibaura Inst. of Tech.)
ページpp. 79 - 81

10-3 (時間: 14:00 - 14:20)
題名GaN/HfSiOxキャパシタの電気特性に対するHfSiOx絶縁膜の膜厚依存性
著者*前田 瑛里香 (芝浦工大), 生田目 俊秀 (NIMS), 廣�� 雅史 (芝浦工大), 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹 (NIMS), 塩崎 宏司 (名大), 清野 肇 (芝浦工大)
TitleThickness Dependence of HfSiOx Insulator on Electrical Properties of GaN/HfSiOx Capacitor
Author*Erika Maeda (Shibaura Inst. of Tech.), Toshihide Nabatame (NIMS), Masafumi Hirose (Shibaura Inst. of Tech.), Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda (NIMS), Koji Shiozaki (Nagoya Univ.), Hajime Kiyono (Shibaura Inst. of Tech.)
ページpp. 83 - 86

10-4 (時間: 14:20 - 14:40)
題名GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関：第一原理計算に基づく理論解析
著者*中野 崇志, 原嶋 庸介, 大河内 勇斗, 長川 健太, 洗平 昌晃, 白石 賢二, 押山 淳 (名大), 草場 彰 (学習院大), 寒川 義裕 (九大), 田中 敦之, 本田 善央, 天野 浩 (名大)
TitleTheoretical Study on Relationship between Screw Dislocation with Mg Impurities and Electronic Property in GaN Thin Films
Author*Takashi Nakano, Yosuke Harashima, Yuto Ohkawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama (Nagoya Univ.), Akira Kusaba (Gakushuin Univ.), Yoshihiro Kangawa (Kyushu Univ.), Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano (Nagoya Univ.)
ページpp. 87 - 92

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セッション 11  評価
日時: 2020年2月1日(土) 15:00 - 16:00

11-1 (時間: 15:00 - 15:20)
題名NAP-HARPESによるゲート積層薄膜界面深さ方向プロファイルの動態計測法の開発
著者*豊田 智史 (東北大), 山本 知樹 (兵庫県立大), 吉村 真史 (スプリングエイトサービス), 住田 弘祐, 三根生 晋 (マツダ), 町田 雅武 (シエンタオミクロン), 吉越 章隆 (原子力機構), 吉川 彰 (東北大), 鈴木 哲, 横山 和司 (兵庫県立大)
TitleDeveloping Dynamic Measurement Techniques for Depth Profiles of Gate Stacked Film Interfaces by NAP-HARPES (NAP-HARPES: Near Ambient Pressure Hard X-ray Angle-Resolved PhotoEmission Spectroscopy)
Author*Satoshi Toyoda (Tohoku Univ.), Tomoki Yamamoto (Univ. of Hyogo), Masashi Yoshimura (SPring-8 Service), Hirosuke Sumida, Susumu Mineoi (Mazda), Masatake Machida (Scienta Omicron), Akitaka Yoshigoe (JAEA), Akira Yoshikawa (Tohoku Univ.), Satoru Suzuki, Kazushi Yokoyama (Univ. of Hyogo)
ページpp. 93 - 96

11-2 (時間: 15:20 - 15:40)
題名SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
著者*岡本 大, 周 星炎, 張 旭芳 (筑波大), 染谷 満, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介 (産総研), 岩室 憲幸, 矢野 裕司 (筑波大)
TitleAnalysis of Hole Transport Mechanisms in p-Channel SiC MOSFETs
Author*Dai Okamoto, Xingyan Zhou, Xufang Zhang (Univ. of Tsukuba), Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada (AIST), Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 97 - 100

11-3 (時間: 15:40 - 16:00)
題名シリコン反転層チャネル中の価電子の面内有効質量
著者*武田 さくら, 江波戸 達哉 (NAIST), Artoni K. R. Ang (名工大), 坂田 智裕 (東レ), 大門 寛 (豊田理研), 白澤 徹朗 (産総研), 高橋 敏男 (学芸大), 稲岡 毅 (琉球大)
TitleIn-plane Effective Masses of Valence Electrons in Si Inversion Layer Channels
Author*Sakura N. Takeda, Tatsuya Ebato (NAIST), Artoni K. R. Ang (Nagoya Inst. of Tech.), Tomohiro Sakata (Toray Research Center), Hiroshi Daimon (Toyota Riken), Tetsuro Shirasawa (AIST), Toshio Takahashi (Tokyo Gakugei Univ.), Takeshi Inaoka (Univ. of the Ryukyus)
ページpp. 101 - 104


2020年1月31日(金)

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セッション P  ポスターセッション
日時: 2020年1月31日(金) 19:30 - 21:30

P-1
題名LiNbO3の極性および焦電効果によるZnOの電気特性制御の検討
著者*安原 雄大 (明大), 栗島 一徳, 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大), 長田 貴弘 (NIMS)
TitleStudy on Electrical Property Control of ZnO by Polarity and Pyroelectricity of LiNbO3
Author*Yudai Yasuhara (Meiji Univ.), Kazunori Kurishima, Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Takahiro Nagata (NIMS)
ページpp. 105 - 108

P-2
TitlePolarization Measurement of Sputter-Deposited AlScN Ferroelectric Capacitors
Author*SungLin Tsai, Kazuki Kusafuka, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima (Tokyo Inst. of Tech.)
ページpp. 109 - 111

P-3
TitleFerroelectric Properties of Atomic Layer Deposited Y-doped HfO2 upon Thermal Treatments
Author*Yu Wei Lin, Kazuto Mizutani, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima (Tokyo Inst. of Tech.)
ページpp. 113 - 115

P-4
題名多結晶Si1-x-yGexSny三元混晶薄膜の熱電特性制御
著者*中塚 理, 彭 英 (名大), 苗 蕾, 高 杰, 刘 呈燕 (桂林電子科技大), 黒澤 昌志 (名大), 財満 鎭明 (名城大)
TitleControl of Thermoelectronic Performance of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Ternary Alloy Thin Films
Author*Osamu Nakatsuka, Ying Peng (Nagoya Univ.), Lei Miao, Jie Gao, Chengyan Liu (Guilin Univ. of Electronic Technology), Masashi Kurosawa (Nagoya Univ.), Shigeaki Zaima (Meijo Univ.)
ページpp. 117 - 120

P-5
題名フラッシュランプアニール法を用いたGOI基板上固相成長GeSn n-MOSFETsの作製
著者*岡 博史, 水林 亘, 森 貴洋, 石川 由紀 (産総研), 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大), 遠藤 和彦 (産総研)
TitleSolid-phase Grown GeSn n-MOSFETs on GOI Wafer Fabricated by Flash Lamp Annealing
Author*Hiroshi Oka, Wataru Mizubayashi, Takahiro Mori, Yuki Ishikawa (AIST), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.), Kazuhiko Endo (AIST)
ページpp. 121 - 124

P-6
題名分子線エピタキシー法によるSi1-xSnx薄膜の形成
著者*丹下 龍志, 黒澤 昌志, 中塚 理 (名大)
TitleFormation of Si1-xSnx Thin-Film by Molecular Beam Epitaxy
Author*Ryuji Tange, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka (Nagoya Univ.)
ページpp. 125 - 128

P-7
題名室温での極薄金属膜酸化法による基板酸化を抑制した良質なAl2O3/4H-SiC界面の実現
著者*土井 拓馬, 柴山 茂久 (名大), 竹内 和歌奈 (愛知工大), 坂下 満男, 田岡 紀之 (名大), 清水 三聡 (産総研・名大GaN-OIL), 中塚 理 (名大)
TitleRealization of Superior Al2O3/4H-SiC Interface with Suppressing Substrate Oxidation by Ultrathin Metal Layer Oxidation at Room Temperature
Author*Takuma Doi, Shigehisa Shibayama (Nagoya Univ.), Wakana Takeuchi (Aichi Inst. of Tech.), Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka (Nagoya Univ.), Mitsuaki Shimizu (AIST-NU GaN-OIL), Osamu Nakatsuka (Nagoya Univ.)
ページpp. 129 - 132

P-8
題名低温プロセスによる金属/4H-SiCコンタクトのショットキー障壁高さ制御手法の検討
著者*柴山 茂久, 橋本 健太郎, 土井 拓馬, 中塚 理 (名大)
TitleExamination of Controlling Schottky Barrier Height of Metal/4H-SiC Contact Using Low Temperature Process
Author*Shigehisa Shibayama, Kentaro Hashimoto, Takuma Doi, Osamu Nakatsuka (Nagoya Univ.)
ページpp. 133 - 136

P-9
題名
著者*寺尾 豊, 辻 英徳 (富士電機), 細井 卓治 (阪大), 張 旭芳, 矢野 裕司 (筑波大), 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleThe Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface
Author*Yutaka Terao, Hidenori Tsuji (Fuji Electric), Takuji Hosoi (Osaka Univ.), Xufang Zhang, Hiroshi Yano (Univ. of Tsukuba), Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 137 - 139

P-10
題名SiC C面上熱酸化膜の密度分布
著者*飯岡 暁, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleDensity Distribution of Thermal Oxide Films on SiC (000-1)
Author*Satoru Iioka, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 141 - 144

P-11
題名SiC上熱酸化膜におけるエッチングレートの三次元分布
著者*小池 真弘, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleThree-Dimensional Distribution of Etching Rate of Thermal Oxide Film on SiC
Author*Masahiro Koike, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 145 - 147

P-12
題名銅配線の温度上昇に及ぼす界面熱抵抗の影響
著者*ジャン 天卓, 織田 海斗, 馬 帥哲, 富田 基裕, 武澤 宏樹, 目崎 航平 (早大), 呉 彦儒, 徐 一斌 (NIMS), 松川 貴 (産総研), 松木 武雄, 渡邉 孝信 (早大)
TitleImpact of Thermal Boundary Resistance on Temperature Rise of Cu Interconnects
Author*Tianzhou Zhan, Kaito Oda, Shuaizhe Ma, Motohiro Tomita, Hiroki Takezawa, Kohei Mesaki (Waseda Univ.), Yen-ju Wu, Yibin Xu (NIMS), Takashi Matsukawa, Takeo Matsuki (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 149 - 152

P-13
題名プレーナ型Siナノワイヤ熱電デバイスの配線構造設計
著者*織田 海斗, 安部 克基, 富田 基裕 (早大), 松川 貴, 松木 武雄 (産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitleInterconnect Structure Engineering of Planar Si-nanowire Thermoelectric Generator
Author*Kaito Oda, Katsuki Abe, Motohiro Tomita (Waseda Univ.), Takashi Matsukawa, Takeo Matsuki (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 153 - 156

P-14
題名絶縁膜埋め込みSi-NWを用いた熱電デバイスにおけるSi-NW間距離が発電性能に及ぼす影響
著者*田邉 咲華, 織田 海斗, 武澤 宏樹, 目崎 航平, 富田 基裕 (早大), 松木 武雄, 松川 貴 (産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitleEffect of Si-Nanowire Inter-space on the Performance of Si-Nanowire Thermoelectric Generator Embedding in Dielectric Film
Author*Sakika Tanabe, Kaito Oda, Hiroki Takezawa, Kohei Mesaki, Motohiro Tomita (Waseda Univ.), Takeo Matsuki, Takashi Matsukawa (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 157 - 160

P-15
TitleThermoelectric Enhancement of Silicon Nanowire Thermoelectric Generator Based on Thermally Conductive Multilayers
Author*Zhicheng Jin, Tianzhuo Zhan, Shuaizhe Ma, Hiroki Takezawa, Kohei Mesaki, Shuhei Hirao, Motohiro Tomita (Waseda Univ.), Yen-Ju Wu, Yibin Xu (NIMS), Takashi Matsukawa, Takeo Matsuki (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 161 - 164

P-16
題名GaNの表面ポテンシャル揺らぎがMOSFETのキャリア移動度に及ぼす影響
著者*田岡 紀之 (名大), 山田 寿一, 清水 三聡 (産総研-名大GaN-OIL)
TitleImpacts of Surface Potential Fluctuation of GaN on Carrier Mobility in an Inversion Layer
Author*Noriyuki Taoka (Nagoya Univ.), Toshikazu Yamada, Mitsuaki Shimizu (AIST-NU GaN-OIL)
ページpp. 165 - 168

P-17
題名パワーICに向けたn- およびp-チャンネルGaN MOSFETの動作実証
著者Nguyen Huu Trung (産総研-名大GaN-OIL), *田岡 紀之 (名大), 山田 永, 高橋 言緒, 山田 寿一, 清水 三聡 (産総研-名大GaN-OIL)
TitleFirst Experimental Demonstration of n- and p-GaN MOSFETs Operation
AuthorNguyen Huu Trung (AIST-NU GaN-OIL), *Noriyuki Taoka (Nagoya Univ.), Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Toshikazu Yamada, Mitsuaki Shimizu (AIST-NU GaN-OIL)
ページpp. 169 - 172

P-18
題名気相反応の観点から見たGaN MOVPE中の炭素混入の原因の解明
著者*大河内 勇斗, 長川 健太, 洗平 昌晃 (名大), 草場 彰 (学習院大), 寒川 義裕 (名古屋大/九州大), 柿本 浩一 (九大), 叶 正, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 白石 賢二 (名大)
TitleStudy of the Cause of Carbon Incorporation in GaN MOVPE from the Viewpoint of Gas Phase Reaction
Author*Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Akira Kusaba (Gakushuin Univ.), Yoshihiro Kangawa (Nagoya Univ./Kyushu Univ.), Koichi Kakimoto (Kyushu Univ.), Zheng Ye, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 173 - 177

P-19
題名ペロブスカイト半導体の光吸収スペクトルの第一原理計算：GaAsとの比較
著者*初鹿 純奈, 石川 真人, 中山 隆史 (千葉大)
TitleFirst-principles Calculation of Photo-absorption Spectra of Perovskite Semiconductors; Comparison to GaAs
Author*Junna Hatsushika, Masato Ishikawa, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 179 - 182

P-20
題名第一原理計算による半導体と金属の量子化による有効質量増大の評価
著者*南 興, 武田 さくら (NAIST)
TitleEvaluation of Effective Mass Enhancement Due to Quantization by First Principles Calculation
Author*Ko Minami, Sakura N. Takeda (NAIST)
ページpp. 183 - 185

P-21
題名XPSによるSi系材料の複素誘電関数・光学定数の評価
著者*大田 晃生, 田岡 紀之, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮�� 誠一 (名大)
TitleEvaluation of Complex Dielectric Function of Si-based Materials from XPS Measurements
Author*Akio Ohta, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 187 - 192

P-22
題名雰囲気制御軟X線光電子分光によるAu薄膜/Si基板界面反応の動的観察
著者*豊田 智史 (東北大), 山本 知樹 (兵庫県立大), 西 静佳, 下出 直幸 (原子力機構), 吉村 真史 (スプリングエイトサービス), 住田 弘祐, 三根生 晋 (マツダ), 町田 雅武 (シエンタオミクロン), 鈴木 哲, 横山 和司 (兵庫県立大), 吉川 彰 (東北大), 富永 亜希, 吉越 章隆 (原子力機構)
TitleDynamic Observation of Interfacial Reactions at the Au Film/Si Substrate by Ambient-Controlled Soft X-ray Photoemission Spectroscopy
Author*Satoshi Toyoda (Tohoku Univ.), Tomoki Yamamoto (Univ. of Hyogo), Shizuka Nishi, Naoyuki Shimode (JAEA), Masashi Yoshimura (SPring-8 Service), Hirosuke Sumida, Susumu Mineoi (Mazda), Masatake Machida (Scienta Omicron), Satoru Suzuki, Kazushi Yokoyama (Univ. of Hyogo), Akira Yoshikawa (Tohoku Univ.), Aki Tominaga, Akitaka Yoshigoe (JAEA)
ページpp. 193 - 196

P-23
題名金属/半導体界面のショットキーバリアに対する界面接触度の効果：第一原理計算に基づく検討
著者*植田 夏葉, 中山 隆史 (千葉大)
TitleEffects of Contactness on Schottky Barrier at Metal/semiconductor Interfaces; First-principles Study
Author*Kayo Ueda, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 197 - 200