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「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第23回研究会)
プログラム

著者索引: HERE

セッション表

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2018年1月18日(木)

T チュートリアル
20:00 - 21:30

2018年1月19日(金)

Opening
8:50 - 9:00

1 新デバイス
9:00 - 10:10

Coffee break
10:10 - 10:30

2 基調講演1
10:30 - 11:20

3 熱電デバイス
11:20 - 12:00

Lunch (Group photo)
12:00 - 13:20

4 基調講演2
13:20 - 14:10

5 評価1
14:10 - 14:50

Coffee break
14:50 - 15:10

S 企画セッション
15:10 - 17:35

P ポスターセッション
20:00 - 22:00

2018年1月20日(土)

6 HfO₂系強誘電体デバイス
8:30 - 10:00

Coffee break
10:00 - 10:30

7 IV族デバイス
10:30 - 12:20

Lunch
12:20 - 13:40

8 パワーデバイス
13:40 - 15:10

Coffee break
15:10 - 15:40

9 評価2
15:40 - 16:40

Break
16:40 - 16:50

Closing (Young award ceremony)
16:50 - 17:30

論文一覧

(「*」印は講演予定者を表す)

2018年1月18日(木)

セッション T チュートリアル
日時: 2018年1月18日(木) 20:00 - 21:30

T-1 (時間: 20:00 - 21:30)

題名	シリコンをプラットフォームとした異種材料集積光回路の現状と将来
著者	*西山伸彦 (東工大)
Title	Current Status and Future Prospect of Heterogeneous Material Photonic Integrated Circuit on Si-platform
Author	*Nobuhiko Nishiyama (Tokyo Inst. of Tech.)
ページ	pp. 227 - 259

2018年1月19日(金)

セッション 1 新デバイス
日時: 2018年1月19日(金) 9:00 - 10:10

1-1 (時間: 9:00 - 9:30)

題名	(招待講演) 生体機能に倣ったゆらぎと共存協調する電子デバイス
著者	*葛西誠也 (北大)
Title	(Invited Speech) Bio-inspired Electron Devices for Coexisting with Fluctuation
Author	*Seiya Kasai (Hokkaido Univ.)
ページ	pp. 1 - 4

1-2 (時間: 9:30 - 9:50)

題名	極薄ZnOチャネルトランジスタに向けたTiN/Al₂O₃/ZnOゲートスタック構造の後プラズマ／熱処理の効果
著者	*加藤公彦, 松井裕章, 田畑仁, 竹中充, 高木信一 (東大)
Title	Impact of Post Plasma/thermal Treatments on TiN/Al₂O₃/ZnO Gate Stacks for TFT with Thin ZnO Channel
Author	*Kimihiko Kato, Hiroaki Matsui, Hitoshi Tabata, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 5 - 8

1-3 (時間: 9:50 - 10:10)

題名	横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成
著者	*冨田崇史, 岡博史, 井上慶太郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (阪大)
Title	Low-Temperature Optical Property and Cavity Formation of Tensile-Strained Highly n-Doped Ge Wires Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxy
Author	*Takashi Tomita, Hiroshi Oka, Keitaro Inoue, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページ	pp. 9 - 12

セッション 2 基調講演1
日時: 2018年1月19日(金) 10:30 - 11:20

2-1 (時間: 10:30 - 11:20)

題名	(基調講演) ＭＣＵイノベーションと組込みシステムのロードマップ（エンベデッドデバイスの果たす役割）
著者	*日高秀人 (ルネサスエレクトロニクス)
Title	(Keynote Speech) Technological Challenges for Embedded Systems in the Society 5.0 Age
Author	*Hideto Hidaka (Renesas Electronics)
ページ	pp. 13 - 16

セッション 3 熱電デバイス
日時: 2018年1月19日(金) 11:20 - 12:00

3-1 (時間: 11:20 - 11:40)

題名	分子動力学法を用いた熱輸送シミュレーションのための多元系IV-IV族混晶半導体用ポテンシャルの検討
著者	*富田基裕, 小笠原成崇, 寺田拓哉, 渡邉孝信 (早大)
Title	Development of Interatomic Potential of Group IV Alloy Semiconductors for Classical Lattice Dynamics Thermal Simulation
Author	*Motohiro Tomita, Masataka Ogasawara, Takuya Terada, Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページ	pp. 17 - 20

3-2 (時間: 11:40 - 12:00)

題名	SiO₂/Si界面欠陥がナノワイヤ型シリコンデバイスの熱電特性に及ぼす影響
著者	*橋本修一郎, 大場俊輔, 姫田悠矢, 大和亮 (早大), 松川貴 (産総研), 松木武雄 (早大/産総研), 渡邉孝信 (早大)
Title	An Influence of Interfacial Defects along SiO₂/Si on Thermoelectric Characteristics of Si Nanowires
Author	*Shuichiro Hashimoto, Shunsuke Oba, Yuya Himeda, Ryo Yamato (Waseda Univ.), Takashi Matsukawa (AIST), Takeo Matsuki (Waseda Univ./AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページ	pp. 21 - 24

セッション 4 基調講演2
日時: 2018年1月19日(金) 13:20 - 14:10

4-1 (時間: 13:20 - 14:10)

題名	(基調講演) ビックデータの活用によるメモリ製造革新－半導体製造の歩留解析支援システム－
著者	*赤堀浩史 (東芝メモリ)
Title	(Keynote Speech) Utilization of Big Data for Innovation in Semiconductor Memory Manufacturing －Comprehensive Big-Data-Based Monitoring System for Yield Analysis in Semiconductor Manufacturing－
Author	*Hiroshi Akahori (Toshiba Memory)
ページ	pp. 25 - 28

セッション 5 評価1
日時: 2018年1月19日(金) 14:10 - 14:50

5-1 (時間: 14:10 - 14:30)

題名	ARPESによるイオン打ち込みSi(001)の活性ドーパント濃度の評価
著者	*比嘉友大, 武田さくら, 江波戸達哉, 米田允俊, 藤中秋輔, 森田一帆, 森本夏輝 (NAIST), A. K. R. Ang (名工大), 大門寛 (NAIST), 筒井一生 (東工大)
Title	Active Dopant Concentration in As-implanted Si(001) Studied by ARPES
Author	*Yudai Higa, Sakura Nishino Takeda, Tatsuya Ebato, Masatoshi Yoneda, Akiho Fujinaka, Kazuho Morita, Natsuki Morimoto (NAIST), A. K. R. Ang (Nagoya Inst. of Tech.), Hiroshi Daimon (NAIST), Kazuo Tsutsui (Tokyo Inst. of Tech.)
ページ	pp. 29 - 32

5-2 (時間: 14:30 - 14:50)

題名	環境型硬X線角度分解光電子分光データを用いた積層薄膜界面の深さ方向解析 -L¹ノルム正則化法と最大エントロピー法の融合-
著者	*豊田智史 (京大), 梶野雄太, 山本知樹 (兵庫県立大), 首藤大器, 野瀬惣市, 水野勇 (スプリングエイトサービス), 住田弘祐, 三根生晋 (マツダ), 町田雅武 (シエンタオミクロン), 横山和司 (兵庫県立大)
Title	Depth Profiling of Stacked-Film Interfaces by Near Ambient Pressure Hard X-ray Angle Resolved Photoemission Spectroscopy -Assimilation of L¹-norm Regularization with Maximum Entropy Methods-
Author	*Satoshi Toyoda (Kyoto Univ.), Yuta Kajino, Tomoki Yamamoto (Univ. of Hyogo), Motoki Sudo, Soichi Nose, Isao Mizuno (SPring-8 Service), Hirosuke Sumida, Susumu Mineoi (Mazda), Masatake Machida (Scienta Omicron), Kazushi Yokoyama (Univ. of Hyogo)
ページ	pp. 33 - 36

セッション S 企画セッション
日時: 2018年1月19日(金) 15:10 - 17:35
モデレータ: 矢嶋赳彬 (東大), 岡田健治 (パナソニック・タワージャズセミコンダクター)

S-1 (時間: 15:10 - 15:15)

題名	(イントロダクトリートーク) はじめに: ポストディープラーニングに向けたニューロチップの基盤技術
著者	矢嶋赳彬 (東大), 岡田健治 (パナソニック・タワージャズセミコンダクター)
Title	(Introductory Talk) Introduction: What Will Become the Element Technology for the Post-deep-learning Neuro-chip
Author	Takeaki Yajima (Univ. of Tokyo), Kenji Okada (TowerJazz Panasonic Semiconductor Company)

S-2 (時間: 15:15 - 15:45)

題名	(招待講演) 脳型アナログ集積回路開発の経緯と展望
著者	*森江隆 (九工大)
Title	(Invited Speech) Retrospection and Outlook of Brain-like Analog Integrated Circuit Development
Author	*Takashi Morie (Kyushu Inst. of Tech.)
ページ	pp. 37 - 40

S-3 (時間: 15:45 - 16:15)

題名	(招待講演) 時空間相関をもつ揺らぎの探索能力を活用するアメーバ型コンピューティング
著者	*青野真士 (慶大)
Title	(Invited Speech) Amoeba-inspired Computing Exploiting Search Ability of Fluctuations with Spatial and Temporal Correlations
Author	*Masashi Aono (Keio Univ.)
ページ	pp. 41 - 44

S-4 (時間: 16:15 - 16:45)

題名	(招待講演) 原子スイッチを用いたシナプス動作
著者	*長谷川剛 (早大)
Title	(Invited Speech) Synaptic Function of Atomic Switches
Author	*Tsuyoshi Hasegawa (Waseda Univ.)
ページ	pp. 45 - 46

S-5 (時間: 16:45 - 17:15)

題名	(招待講演) 脳のリバースエンジニアリングと創発コンピューティング
著者	高橋宏知 (東大)
Title	(Invited Speech) Reverse-Engineering of the Brain towards Emergent Computing
Author	Hirokazu Takahashi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 47 - 50

S-6 (時間: 17:15 - 17:35)

題名	(パネルディスカッション) ポストディープラーニングに向けたニューロチップの基盤技術
著者	パネリスト: 森江隆 (九工大), 青野真士 (慶大), 長谷川剛 (早大), 高橋宏知 (東大)
Title	(Panel Discussion) What Will Become the Element Technology for The Post-deep-learning Neuro-chip
Author	Panelists: Takashi Morie (Kyushu Inst. of Tech.), Masashi Aono (Keio Univ.), Tsuyoshi Hasegawa (Waseda Univ.), Hirokazu Takahashi (Univ. of Tokyo)

2018年1月20日(土)

セッション 6 HfO₂系強誘電体デバイス
日時: 2018年1月20日(土) 8:30 - 10:00

6-1 (時間: 8:30 - 9:00)

題名	(招待講演) 超低消費電力エレクトロニクスに向けた強誘電体HfO₂系薄膜材料によるデバイス技術のブレークスルー
著者	*小林正治 (東大)
Title	(Invited Speech) Technology Breakthrough by Ferroelectric HfO₂-based Material for Ultralow Power Electronics
Author	*Masaharu Kobayashi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 51 - 54

6-2 (時間: 9:00 - 9:20)

題名	強誘電体負性容量トランジスタのTCADシミュレーションにおける過渡解析の重要性
著者	*太田裕之, 右田真司, 池上努, 服部淳一, 浅井栄大, 福田浩一 (産総研), 鳥海明 (東大)
Title	Importance of Transient Analysis in TCAD Simulation of Ferroelectric Negative Capacitance FET
Author	*Hiroyuki Ota, Shinji Migita, Tsutomu Ikegami, Junichi Hattori, Hidehiro Asai, Koichi Fukuda (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 55 - 58

6-3 (時間: 9:20 - 9:40)

題名	イオン注入技術で合成するHfO₂系強誘電体薄膜
著者	*右田真司, 太田裕之, 山田浩之, 渋谷圭介, 澤彰仁, 松川貴 (産総研), 鳥海明 (東大)
Title	Synthesis of Ferroelectric HfO₂ Thin Films Using Ion Implantation Technique
Author	*Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Hiroyuki Yamada, Keisuke Shibuya, Akihito Sawa, Takashi Matsukawa (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 59 - 62

安田賞口頭講演
6-4 (時間: 9:40 - 10:00)

題名	上下ZrO₂核生成層を用いたHf_xZr_1-xO₂薄膜の強誘電性の向上
著者	*女屋崇 (明大/NIMS), 生田目俊秀 (NIMS/JST CREST), 澤本直美 (明大), 大井暁彦, 池田直樹, 知京豊裕 (NIMS), 小椋厚志 (明大)
Title	Improvement of Ferroelectricity of Hf_xZr_1-xO₂ Thin Films Using Top- and Bottom-ZrO₂ Nucleation Layers
Author	*Takashi Onaya (Meiji Univ./NIMS), Toshihide Nabatame (NIMS/JST CREST), Naomi Sawamoto (Meiji Univ.), Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページ	pp. 63 - 66

セッション 7 IV族デバイス
日時: 2018年1月20日(土) 10:30 - 12:20

7-1 (時間: 10:30 - 11:00)

題名	(招待講演) 半導体スピントロニクスにおける強磁性体/半導体ヘテロ界面の重要性
著者	*浜屋宏平 (阪大)
Title	(Invited Speech) Ferromagnet-Semiconductor Heterointerfaces for Semiconductor Spintronics
Author	*Kohei Hamaya (Osaka Univ.)
ページ	pp. 67 - 70

7-2 (時間: 11:00 - 11:20)

題名	SiGe(111)上の高スピン偏極Co系ホイスラー合金のエピタキシャル成長
著者	*山田道洋, 内藤貴大, 塚原誠人, 藤田裕一, 山田晋也 (阪大), 澤野憲太郎 (東京都市大), 浜屋宏平 (阪大)
Title	Growth of Highly Spin Polarized Co-based Heusler Alloy on SiGe(111)
Author	*Michihiro Yamada, Takahiro Naito, Makoto Tsukahara, Yuichi Fujita, Shinya Yamada (Osaka Univ.), Kentarou Sawano (Tokyo City Univ.), Kohei Hamaya (Osaka Univ.)
ページ	pp. 71 - 74

7-3 (時間: 11:20 - 11:40)

題名	Ge_1-xSn_xゲートスタック構造における欠陥の電気的評価
著者	*金田裕一, 池進一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明 (名大)
Title	Electronic Characterization of Defects in Ge_1-xSn_x Gate Stack Structure
Author	*Yuichi Kaneda, Shinichi Ike, Masayuki Kanematsu, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 75 - 78

7-4 (時間: 11:40 - 12:00)

題名	エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl₂O₃層の形成と評価
著者	*繁澤えり子, 福本将士 (東京都市大), 松岡諒太郎 (慶大), 佐野良介 (東京都市大), 伊藤公平 (慶大), 澤野憲太郎, 野平博司 (東京都市大)
Title	Formation of Al₂O₃ Films by ALD Directly on Epitaxial Ge and Characterization
Author	*Eriko Shigesawa, Masashi Fukumoto (Tokyo City Univ.), Ryotaro Matsuoka (Keio Univ.), Ryosuke Sano (Tokyo City Univ.), Kohei Itoh (Keio Univ.), Kentarou Sawano, Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページ	pp. 79 - 82

7-5 (時間: 12:00 - 12:20)

題名	ECRプラズマ酸化によるALD high-k/GeO_x/Ge界面の遅い準位起源
著者	*柯夢南, 竹中充, 高木信一 (東大)
Title	Slow Trap Origins in GeO_x/Ge MOS Interfaces with ALD High-k Layers and ECR Plasma Oxidation
Author	*Mengnan Ke, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 83 - 86

セッション 8 パワーデバイス
日時: 2018年1月20日(土) 13:40 - 15:10

8-1 (時間: 13:40 - 14:10)

題名	(招待講演) Si基板上MIS型GaNパワーデバイスの開発
著者	*施泓安 (パナソニック)
Title	(Invited Speech) Recent Advances in GaN MIS-HFETs on Si Substrate
Author	*Hongan Shih (Panasonic)
ページ	pp. 87 - 90

8-2 (時間: 14:10 - 14:30)

題名	ALD-Al₂O₃/GaN界面における伝導帯端近傍の界面準位密度の低減
著者	*田岡紀之 (産総研GaN-OIL), 小林貴之, 中村昌幸, 佐川達郎 (サムコ), グェンスァンチュン, 大田晃生 (名大), 山田永, 高橋言緒 (産総研GaN-OIL), 池田弥央, 牧原克典 (名大), 久保俊晴 (名工大), 山田寿一 (産総研GaN-OIL), 江川孝志 (名工大), 宮崎誠一 (名大), 本山愼一 (サムコ), 清水三聡 (産総研GaN-OIL)
Title	Reduction of Interface Trap Density near the Conduction Band Edge at ALD-Al₂O₃/GaN Interface
Author	*Noriyuki Taoka (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Takayuki Kobayashi, Masayuki Nakamura, Tatsurou Sagawa (Samco), Xuan Truyen Nguyen, Akio Ohta (Nagoya Univ.), Hisashi Yamada, Tokio Takahashi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara (Nagoya Univ.), Toshiharu Kubo (Nagoya Inst. of Tech.), Toshikazu Yamada (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Takashi Egawa (Nagoya Inst. of Tech.), Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.), Shinichi Motoyama (Samco), Mitsuaki Shimizu (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL))
ページ	pp. 91 - 94

服部賞口頭講演
8-3 (時間: 14:30 - 14:50)

題名	プラズマ酸化で形成したGa酸化物薄膜/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的界面特性
著者	*山本泰史 (名大/産総研GaN-OIL), 田岡紀之 (産総研GaN-OIL), 大田晃生 (名大), グェンスァンチュン (名大/産総研GaN-OIL), 山田永, 高橋言緒 (産総研GaN-OIL), 池田弥央, 牧原克典 (名大), 清水三聡 (産総研GaN-OIL), 宮崎誠一 (名大)
Title	Energy Band Diagram and Electrical Interface Properties at Thin Ga-oxide/GaN Interface Formed by Plasma Oxidation
Author	*Taishi Yamamoto (Nagoya Univ./National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Noriyuki Taoka (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Akio Ohta (Nagoya Univ.), Xuan Truyen Nguyen (Nagoya Univ./National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Hisashi Yamada, Tokio Takahashi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara (Nagoya Univ.), Mitsuaki Shimizu (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 95 - 98

8-4 (時間: 14:50 - 15:10)

題名	単結晶Ga₂O₃/多結晶SiC貼り合わせ基板のヘテロ界面電気抵抗評価
著者	*林家弘 (NICT), 八田直記 (サイコックス), 小西敬太 (農工大), 渡辺信也, 倉又朗人 (タムラ製作所), 八木邦明 (サイコックス), 東脇正高 (NICT)
Title	Characterization of Heterointerface Electrical Resistance of Single-Crystal Ga₂O₃/Poly-Crystal SiC Bonding Substrates
Author	*Chia-Hung Lin (NICT), Naoki Hatta (SICOXS), Keita Konishi (Tokyo Univ. of Agri. and Tech.), Shinya Watanabe, Akito Kuramata (Tamura), Kuniaki Yagi (SICOXS), Masataka Higashiwaki (NICT)
ページ	pp. 99 - 102

セッション 9 評価2
日時: 2018年1月20日(土) 15:40 - 16:40

9-1 (時間: 15:40 - 16:00)

題名	GaN-HEMTの表面準位の挙動の顕微分光を用いた定量的解明
著者	大美賀圭一 (東北大), 舘野泰範 (住友電気工業), 永村直佳 (NIMS), 河内剛志, 八重樫誠司 (住友電気工業), 駒谷務 (住友電工デバイス・イノベーション), 今野隼, 高橋良暢, 小嗣真人 (東京理科大), 堀場弘司 (高エネルギー加速器研究機構), 尾嶋正治 (東大), 末光眞希, *吹留博一 (東北大)
Title	Quantitative Elucidation of Surface States of GaN-HEMT by Using Spectromicroscopy
Author	Keiichi Omika (Tohoku Univ.), Yasunori Tateno (Sumitomo Electric Industries), Naoka Nagamura (NIMS), Tsuyoshi Kouchi, Seiji Yaegashi (Sumitomo Electric Industries), Tsutomu Komatani (Sumitomo Electric Industries Device Innovations), Shun Konno, Yoshinobu Takahashi, Masato Kotsugi (Tokyo Univ. of Science), Koji Horiba (KEK), Masaharu Oshima (Univ. of Tokyo), Maki Suemitsu, *Hirokazu Fukidome (Tohoku Univ.)
ページ	pp. 103 - 106

9-2 (時間: 16:00 - 16:20)

題名	シリコンキャップアニール処理したn型4H-SiC表面の電子状態評価
著者	*花房宏明, 東堂大地, 東清一郎 (広島大)
Title	Electronic State Estimation of Silicon-cap-annealed n-Type 4H-SiC Surface
Author	*Hiroaki Hanafusa, Daichi Todo, Seiichiro Higashi (Hiroshima Univ.)
ページ	pp. 107 - 110

9-3 (時間: 16:20 - 16:40)

題名	Sb添加高Sn濃度MOCVD-GeSn薄膜の硬X線光電子分光法（HAXPES）による化学結合状態解析
著者	*臼田宏治, 吉木昌彦 (東芝), 須田耕平, 小椋厚志 (明大), 富田充裕 (東芝)
Title	Analysis of Chemical States in Sb Doped High Sn Concentration GeSn Thin Film Grown by MOCVD by HAXPES Method
Author	*Koji Usuda, Masahiko Yoshiki (TOSHIBA/Corporate R&D Center), Kohei Suda, Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Mitsuhiro Tomita (TOSHIBA/Corporate R&D Center)
ページ	pp. 111 - 114

2018年1月19日(金)

セッション P ポスターセッション
日時: 2018年1月19日(金) 20:00 - 22:00

P-1

題名	金属/絶縁体界面における金属原子侵入の電場による加速; 第一原理計算による基板依存性の検討
著者	*長澤立樹, 浅山佳大, 中山隆史 (千葉大)
Title	Electric-field Induced Acceleration of Metal-atom Penetration at Metal/Insulator Interfaces; First Principles Study on Substrate Dependence
Author	*Riki Nagasawa, Yoshihiro Asayama, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページ	pp. 115 - 118

P-2

題名	第一原理計算に基づくSiO₂中の金属ナノドットの構造・荷電安定性の理論検討
著者	*山﨑翔太, 中山隆史 (千葉大)
Title	Theoretical Study on Structure and Charging Degradation of Metal Nanodots in SiO₂ Based on First Principles Calculations
Author	*Shota Yamazaki, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページ	pp. 119 - 122

P-3

題名	AlN熱伝導膜の熱伝導率向上によるSiナノワイヤ熱電発電デバイスの出力向上
著者	*ジャンテンゾウ, 大和亮, 橋本修一郎, 大場俊輔, 姫田悠矢 (早大), 横川凌 (明大), 徐一斌 (NIMS), 松川貴 (産総研), 渡邉孝信 (早大)
Title	Power Enhancement of a Si-nanowire Thermoelectric Generator Owing to the Improved Thermal Conductivity of AlN Thermally Conductive Film
Author	*Tianzhuo Zhan, Ryo Yamato, Shuichiro Hashimoto, Shunsuke Oba, Yuya Himeda (Waseda Univ.), Ryo Yokogawa (Meiji Univ.), Yibin Xu (NIMS), Takashi Matsukawa (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページ	pp. 123 - 126

P-4

題名	p型シリコンナノワイヤを用いた熱電発電デバイスの短チャネル効果
著者	*熊田剛大, 橋本修一郎, 大場俊輔, 姫田悠矢, 大和亮, 徐茂, 武澤宏樹, 目﨑航平, 詹天卓 (早大), 松川貴 (産総研), 渡邉孝信 (早大)
Title	Short Channel Effect of p-type Silicon Nanowire Thermoelectric Generator
Author	*Takehiro Kumada, Shuichiro Hashimoto, Shunsuke Oba, Yuya Himeda, Ryo Yamato, Mao Xu, Hiroki Takezawa, Kohei Mesaki, Tianzhuo Zhan (Waseda Univ.), Takashi Matsukawa (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページ	pp. 127 - 130

P-5

題名	Geデバイスに向けた熱輸送特性の評価
著者	*中島佑太 (東京理科大), 内田紀行 (産総研), 町田龍人, 藤代博記 (東京理科大), 服部淳一, 福田浩一, 前田辰郎 (産総研)
Title	Thermal Transport Characterization in Ge Devices
Author	*Yuta Nakajima (Tokyo Univ. of Science), Noriyuki Uchida (AIST), Ryuto Machida, Hiroki Fujishiro (Tokyo Univ. of Science), Junichi Hattori, Koichi Fukuda, Tatsurou Maeda (AIST)
ページ	pp. 131 - 134

P-6

題名	TiN/Ge(001)界面におけるショットキーバリアの第一原理計算による検討
著者	*西本俊輝, 中山隆史 (千葉大)
Title	First-principles Study on Schottky Barrier at TiN/Ge(001) Interfaces
Author	*Toshiki Nishimoto, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページ	pp. 135 - 138

P-7

題名	Cイオン注入に伴いGe中に形成される結晶欠陥の電気的特性
著者	*中島啓佑, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明 (名大)
Title	Electrical Characterization of Crystal Defects Formed by C Ion Implantation in Ge
Author	*Keisuke Nakashima, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 139 - 142

P-8

題名	エキシマレーザーによるGe中のAsの高効率活性化及びX線光電子分光法を用いた化学状態評価
著者	*村上秀樹 (久留米高専), 浜田慎也, 東清一郎 (広島大), 諏訪輝 (ギガフォトン/九大), 池上浩 (九大)
Title	Efficient Activation of As⁺ Ion Implanted into Ge by Excimer Laser Irradiation and Characterization of the Chemical Bonding Feature Using X-ray Photoelectron Spectroscopy
Author	*Hideki Murakami (National Inst. of Tech., Kurume College), Shinya Hamada, Seiichiro Higashi (Hiroshima Univ.), Akira Suwa (Gigaphoton/Kyushu Univ.), Hiroshi Ikenoue (Kyushu Univ.)
ページ	pp. 143 - 146

P-9

題名	Ge 2p及びGe 3d内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える効果
著者	*佐野良介, 此島志織, 澤野憲太郎, 野平博司 (東京都市大)
Title	Effect of Strain on the Binding Energy of Ge 2p and 3d Core Level
Author	*Ryousuke Sano, Shiori Konoshima, Kentarou Sawano, Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページ	pp. 147 - 150

P-10

題名	石英基板上単結晶GeSn層形成と光電子デバイス応用
著者	*細井卓治, 岡博史, 井上慶太郎, 志村考功, 渡部平司 (阪大)
Title	Single-Crystalline GeSn Formation on Quartz Substrate and Its Optoelectronic Applications
Author	*Takuji Hosoi, Hiroshi Oka, Keitaro Inoue, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページ	pp. 151 - 154

P-11

題名	二次元結晶合成に向けたAg上Ge極薄膜の形成
著者	*伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一 (名大)
Title	Ultrathin Ge Growth on Ag Toward Creation of Ge 2D Crystal
Author	*Koichi Ito, Akio Ohta, Masashi Kurosawa, Masaaki Araidai, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 155 - 158

P-12

題名	プラズマ酸化を援用して形成した低欠陥密度グラフェンの構造評価とその起源
著者	*南映希, 伊藤亮太, 細尾幸平, 佐野泰久, 川合健太郎, 有馬健太 (阪大)
Title	Origin of Graphene Formation with Low Density of Defects Assisted by Plasma Oxidation
Author	*Ouki Minami, Ryota Ito, Kohei Hosoo, Yasuhisa Sano, Kentaro Kawai, Kenta Arima (Osaka Univ.)
ページ	pp. 159 - 162

P-13

題名	Si放出モデルに基づくV-MOSFET製造の設計指針
著者	*名倉拓哉, 長川健太, 白川裕規 (名大), 洗平昌晃 (名大/JST-ACCEL), 影島博之 (島根大/JST-ACCEL), 遠藤哲郎 (東北大/JST-ACCEL), 白石賢二 (名大/JST-ACCEL)
Title	Guiding Principles for the Fabrication of V-MOSFETs Based on a Si Emission Model
Author	*Takuya Nagura, Kenta Chokawa, Hiroki Shirakawa (Nagoya Univ.), Masaaki Araidai (Nagoya Univ./JST-ACCEL), Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ./JST-ACCEL), Tetsuo Endoh (Tohoku Univ./JST-ACCEL), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ./JST-ACCEL)
ページ	pp. 163 - 166

P-14

題名	不純物を含むSiO₂を用いた抵抗変化メモリに関する研究
著者	*水谷一翔, 宗田伊理也, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之 (東工大)
Title	A Study on Resistive Switching of SiO₂ with Impurities
Author	*Kazuto Mizutani, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Kuniyuki Kakushima (Tokyo Inst. of Tech.)
ページ	pp. 167 - 169

安田賞ポスター講演
P-15

題名	熱処理によるSiN膜中捕獲電荷の分布変化
著者	*小澤航大, 蓮沼隆 (筑波大)
Title	Charge Distribution in SiN Changed by Annealing
Author	*Koudai Ozawa, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 171 - 174

P-16

題名	αクオーツ中のカリウムイオン原子の化学的挙動
著者	*宮島岳史, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二 (名大)
Title	Chemical Behavior of Potassium Atom in Alpha-Quartz
Author	*Takeshi Miyajima, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 175 - 178

P-17

題名	量子電気伝導現象における抵抗の起源とテンション密度の関係
著者	*築島千馬, 瀬波大土 (京大)
Title	Relation between Tension Density and the Origin of Electric Resistance in Quantum Conduction Phenomena
Author	*Kazuma Tsukishima, Masato Senami (Kyoto Univ.)
ページ	pp. 179 - 182

P-18

題名	表面プラズモン共鳴を用いたカラーフィルタの開発
著者	*池田直樹, 大井暁彦, 生田目俊秀 (NIMS)
Title	Development of Color Filter with Surface Plasmon Resonance
Author	*Naoki Ikeda, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame (NIMS)
ページ	pp. 183 - 185

P-19

題名	GaNエピタキシャル基板のための反応性スパッタ法によるAlNバッファー層作成条件の検討
著者	*立島滉大 (明大/NIMS), 長田貴弘 (NIMS), 石橋啓次, 高橋健一郎, 鈴木摂 (コメット), 小椋厚志 (明大), 知京豊裕 (NIMS)
Title	Growth Condition Optimization of AlN Buffer Layer Deposited by Reactive Sputtering for GaN Epitaxial Substrate
Author	*Kouta Tatejima (Meiji Univ./NIMS MANA), Takahiro Nagata (NIMS, MANA), Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Setsu Suzuki (COMET), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Toyohiro Chikyow (NIMS, MANA)
ページ	pp. 187 - 190

P-20

題名	TEOS-CVD-SiO₂ / SiC の界面特性の評価
著者	*川村浩晃, 蓮沼隆 (筑波大)
Title	Evaluation of Interface Properties of TEOS - CVD - SiO₂ / SiC
Author	*Hiroaki Kawamura, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 191 - 194

P-21

題名	SiC C面上にwet及びdry酸化過程で形成したSiO₂膜界面欠陥の比較
著者	*飯塚望, 蓮沼隆 (筑波大)
Title	Comparison of Interface Defects of SiO₂ Films Formed by Wet and Dry Oxidation Process on SiC (000-1)
Author	*Nozomu Iitsuka, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 195 - 198

P-22

Title	Difference of NIT Density Distribution in 4H-SiC MOS Interfaces for Si- and C-faces
Author	*Xufang Zhang, Dai Okamoto (Univ. of Tsukuba), Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada (AIST), Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 199 - 202

P-23

題名	角度分解X線光電子分光法によるsoft-ICPエッチングプロセスがダイヤモンド半導体表面に与える影響の評価
著者	*滝沢耕平 (東京都市大), 加藤有香子, 牧野俊晴, 山崎聡 (産総研), 野平博司 (東京都市大)
Title	Evaluation of the Effect of Soft-ICP Etching Process on Diamond Semiconductor Surface by AR-XPS
Author	*Kohei Takizawa (Tokyo City Univ.), Yukako Kato, Toshiharu Makino, Satoshi Yamasaki (AIST), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページ	pp. 203 - 206

P-24

題名	Al₂O₃/Siスタック構造における極薄Al₂O₃膜およびAl₂O₃/Si界面の評価
著者	*小川慎吾, 棚橋優策, 関洋文 (東レ)
Title	Investigation of Ultrathin Al₂O₃ Films and Al₂O₃/Si Interfaces in Al₂O₃/Si Stacks
Author	*Shingo Ogawa, Yusaku Tanahashi, Hirofumi Seki (Toray Research Center)
ページ	pp. 207 - 210

P-25

題名	SiO₂/CeO_x/SiO₂積層構造の充放電特性評価
著者	*高久淑考, 星井拓也, 宗田伊理也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之 (東工大)
Title	Charge and Discharge Characteristics of SiO₂/CeO_x/SiO₂ laminated Structure
Author	*Yoshitaka Takaku, Takuya Hoshii, Iriya Muneta, Hitoshi Wkabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Kuniyuki Kakushima (Tokyo Inst. of Tech.)
ページ	pp. 211 - 213

服部賞ポスター講演
P-26

題名	XPSによる極薄high-k／SiO₂ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価
著者	*藤村信幸, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一 (名大)
Title	Characterization of Electronic States and Chemical Bonding Features of Ultrathin High-k Dielectrics/SiO₂ Gate Stack by XPS
Author	*Nobuyuki Fujimura, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 215 - 218

P-27

題名	シリコン酸化膜の動特性の酸素濃度依存性
著者	*矢島雄司 (島根大), 白石賢二 (名大/JST-ACCEL), 遠藤哲郎 (東北大/JST-ACCEL), 影島博之 (島根大/JST-ACCEL)
Title	Oxygen Concentration Dependence of Silicon Oxide Dynamical Properties
Author	*Yuji Yajima (Shimane Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ./JST-ACCEL), Tetsuo Endoh (Tohoku Univ./JST-ACCEL), Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ./JST-ACCEL)
ページ	pp. 219 - 222

P-28

題名	HF溶液中でのC-V測定によるSiO₂中電荷密度の深さ方向分布評価
著者	*中澤優斗, 蓮沼隆 (筑波大)
Title	Evaluation of Depthprofile of Charge Distribution in SiO₂ by C-V Measurement in HF Solution
Author	*Yuto Nakazawa, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 223 - 226

「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第23回研究会) プログラム

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