題名	300mmシリコン量子コンピュータ開発最前線：基礎からの解説
著者	伊藤公平 (慶大)
Title	Forefront of Silicon Quantum Computer Development Using 300mm Silicon Technologies
Author	Kohei M. Itoh (Keio Univ.)
ページ	pp. 251 - 275

2017年1月20日(金)

セッション 1-1 界面・ゲートスタック・評価
日時: 2017年1月20日(金) 9:10 - 10:40

1-1-1 (時間: 9:10 - 10:00)

題名	(基調講演) 放射光光電子分光によるデバイス界面の解析
著者	尾嶋正治 (東大)
Title	(Keynote Speech) Analysis of Device Interfaces by Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy
Author	Masaharu Oshima (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 1 - 4

1-1-2 (時間: 10:00 - 10:20)

題名	表面/界面電荷変調XPS法による酸化物ナノシート/SiO₂/Si界面のバンドダイアグラム解析
著者	*豊田智史, 福田勝利, 森田将史, 中田明良, 松原英一郎 (京大)
Title	Band-Diagram Analysis of Oxide Nanosheet/SiO₂/Si Interfaces by Surface/Interface Charge Modurated XPS
Author	*Satoshi Toyoda, Katsutoshi Fukuda, Masafumi Morita, Akiyoshi Nakata, Eiichiro Matsubara (Kyoto Univ.)
ページ	pp. 5 - 8

1-1-3 (時間: 10:20 - 10:40)

題名	ダイポール層の選択的発現を利用したAl₂O₃/SiO₂の繰り返し構造における大きなフラットバンド電圧シフト
著者	*鎌田啓伸, 喜多浩之 (東大)
Title	Large Flatband Voltage Shift Induced by the Selectively Formed Dipole Layers in Al₂O₃/SiO₂ Repeated Stacks
Author	*Hironobu Kamata, Koji Kita (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 9 - 12

セッション 1-2 界面・ゲートスタック・評価
日時: 2017年1月20日(金) 11:00 - 11:40

1-2-1 (時間: 11:00 - 11:20)

題名	HfO₂系強誘電体酸化膜の大きな抗電界がデバイス応用に及ぼす課題
著者	*右田真司, 太田裕之, 山田浩之, 澤彰仁 (産総研), 鳥海明 (東大)
Title	Problem of Large Coercive Fields in HfO₂-Based Ferroelectric Films
Author	*Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Hiroyuki Yamada, Akihito Sawa (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 13 - 16

1-2-2 (時間: 11:20 - 11:40)

題名	圧電応答力顕微鏡を用いたYドープHfO₂膜の強誘電性ドメインの観察
著者	*柴山茂久, 徐倫, 田璇 (東大), 右田真司 (産総研), 鳥海明 (東大)
Title	Observation of Ferroelectric Domain for Y-Doped HfO₂ Film by Piezo-Response Force Microscopy
Author	*Shigehisa Shibayama, Lun Xu, Xuan Tian (Univ. of Tokyo), Shinji Migita (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 17 - 20

セッション 2-1 パワーデバイス（１）
日時: 2017年1月20日(金) 11:40 - 12:10

2-1-1 (時間: 11:40 - 12:10)

題名	(招待講演) 縦型GaNパワーデバイス開発の最近の進展
著者	岡徹 (豊田合成)
Title	(Invited Speech) Recent Progress of Vertical GaN Power Devices
Author	Toru Oka (TOYODA GOSEI)
ページ	pp. 21 - 22

セッション 2-2 パワーデバイス（１）
日時: 2017年1月20日(金) 13:30 - 14:40

2-2-1 (時間: 13:30 - 14:00)

題名	(招待講演) パワーデバイス応用に向けたGaNの基礎物性評価とプロセス技術
著者	須田淳 (京大)
Title	(Invited Speech) Fundamental Characterization and Process Technologies for GaN Power Devices
Author	Jun Suda (Kyoto Univ.)
ページ	pp. 23 - 24

2-2-2 (時間: 14:00 - 14:20)

題名	Al₂O₃/GaN MOS界面における表面ポテンシャル揺らぎのAl₂O₃形成温度依存性
著者	*田岡紀之 (産総研), 久保俊晴 (名工大), 山田寿一 (産総研), 江川孝志 (名工大), 清水三聡 (産総研)
Title	ALD Temperature Dependence of Surface Potential Fluctuation at ALD-Al₂O₃/GaN MOS Interfaces
Author	*Noriyuki Taoka (AIST), Toshiharu Kubo (Nagoya Inst. of Tech.), Toshikazu Yamada (AIST), Takashi Egawa (Nagoya Inst. of Tech.), Mitsuaki Shimizu (AIST)
ページ	pp. 25 - 28

2-2-3 (時間: 14:20 - 14:40)

題名	SiCとAlN/GaN短周期超格子を用いた新原理パワーデバイスの理論的提案
著者	*小嶋英嗣, 長川健太, 白川裕規, 洗平昌晃 (名大), 海老原康裕, 金村高司, 恩田正一 (デンソー), 白石賢二 (名大)
Title	Theoritical Proposal of New Type of Power Devices Based on SiC and AlN/GaN Short Period Super Lattices
Author	*Eiji Kojima, Kenta Chokawa, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Yasuhiro Ebihara, Takashi Kanemura, Shoichi Onda (Denso), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 29 - 32

セッション 3 特別招待
日時: 2017年1月20日(金) 15:00 - 15:30

3-1 (時間: 15:00 - 15:30)

Title	(Invited Speech) Space Radiation: Effects on Electronics and Process/Design Mitigation Strategies
Author	Robert Baumann (Texas Instruments)
ページ	pp. 33 - 36

セッション S 企画セッション
日時: 2017年1月20日(金) 15:30 - 17:40

S-1 (時間: 15:30 - 15:40)

題名	(パネルディスカッション) はじめに
著者	井上真雄 (ルネサスエレクトロニクス), 喜多浩之 (東大)
Title	(Panel Discussion) Introduction
Author	Masao Inoue (Renesas Electronics), Koji Kita (Univ. of Tokyo)

S-2 (時間: 15:40 - 16:10)

題名	(招待講演) 宇宙用半導体デバイス～日本に残すべき耐環境性技術～
著者	廣瀬和之 (東大/JAXA)
Title	(Invited Speech) Semiconductor Devices for Space Applications ~Environmentally Resitant Technology~
Author	Kazuyuki Hirose (Univ. of Tokyo/JAXA)
ページ	pp. 37 - 40

S-3 (時間: 16:10 - 16:40)

題名	(招待講演) 化合物半導体電子デバイス～日本が復活すべきデバイス製造技術～
著者	宮本恭幸 (東工大)
Title	(Invited Speech) Direction of Compound Semiconductor Industry in Japan
Author	Yasuyuki Miyamoto (Tokyo Inst. of Tech.)
ページ	pp. 41 - 44

S-4 (時間: 16:40 - 17:10)

題名	(招待講演) パワー半導体デバイス～日本に残すべき体系的パワエレ技術～
著者	岩室憲幸 (筑波大)
Title	(Invited Speech) Power Semiconductor Devices as One of the Comprehensive Power Electronics Technologies
Author	Noriyuki Iwamuro (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 45 - 48

S-5 (時間: 17:10 - 17:40)

Title

(Panel Discussion) Panel Discussion

2017年1月21日(土)

セッション 4 パワーデバイス（２）
日時: 2017年1月21日(土) 9:00 - 10:30

4-1 (時間: 9:00 - 9:50)

題名	(基調講演) 次世代自動車のためのパワーデバイス
著者	渡辺行彦 (豊田中研)
Title	(Keynote Speech) Power Devices for Next-Generation Vehicle
Author	Yukihiko Watanabe (TOYOTA Central R&D Labs.)
ページ	pp. 49 - 50

4-2 (時間: 9:50 - 10:10)

題名	2次元正孔ガス層による耐圧>1600VダイヤモンドpチャネルMOSFET
著者	*川原田洋, 北林祐哉, 柴田将暢, 松村大輔, 工藤拓也, 牟田翼, 大井信敬, 稲葉優文, 平岩篤 (早大)
Title	High Voltage >1600V Diamond p-Channel MOSFET Using 2 Dimensional Hole Gas
Author	*Hiroshi Kawarada, Y. Kitabayashi, M. Shibata, D. Matsumura, T. Kudo, T. Muta, N. Oi, M. Inaba, A. Hiraiwa (Waseda Univ.)
ページ	pp. 51 - 54

4-3 (時間: 10:10 - 10:30)

題名	Al₂O₃ゲート絶縁膜とSiイオン注入ソース、ドレインを有するエンハンスメント型Ga₂O₃ MOSFET
著者	*ワンマンホイ, 中田義昭 (NICT), 倉又朗人, 山腰茂伸 (タムラ製作所), 東脇正高 (NICT)
Title	Enhancement-Mode Ga₂O₃ MOSFET with Al₂O₃ Gate Dielectric and Si-Ion-Implanted Source and Drain
Author	*Man Hoi Wong, Yoshiaki Nakata (NICT), Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi (Tamura), Masataka Higashiwaki (NICT)
ページ	pp. 55 - 58

セッション 5 Ge, GeSn
日時: 2017年1月21日(土) 10:50 - 12:30

5-1 (時間: 10:50 - 11:10)

題名	金属の特性に基づいた金属/Ge界面のフェルミレベルピンニングの制御
著者	*西村知紀, 松本創央志, 矢嶋赳彬, 鳥海明 (東大)
Title	Control of Fermi-Level Pinning at Metal/Ge Interface Based on a Metal Property
Author	*Tomonori Nishimura, Sohshi Matsumoto, Takeaki Yajima, Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 59 - 62

5-2 (時間: 11:10 - 11:30)

題名	金属/Ge接合へのSi_xGe_1-x-ySn_y界面層導入がショットキー障壁高さに及ぼす効果
著者	*鈴木陽洋, 戸田祥太, 中塚理, 坂下満男, 財満鎭明 (名大)
Title	Impact of Introducing Si_xGe_1-x-ySn_y Interlayer on Schottky Barrier Height of Metal/Ge Contact
Author	*Akihiro Suzuki, Shota Toda, Osamu Nakatsuka, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 63 - 66

5-3 (時間: 11:30 - 11:50)

題名	水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge_1-xSn_x層中Sbの高活性化
著者	*高橋恒太 (名大/日本学術振興会特別研究員), 黒澤昌志 (名大/JSTさきがけ), 池上浩 (九大), 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明 (名大)
Title	High Activation of Sb in Poly-Ge_1-xSn_x Layer Using Pulsed Laser Annealing in Water
Author	*Kouta Takahashi (Nagoya Univ./JSPS Research Fellow), Masashi Kurosawa (Nagoya Univ./JST PRESTO), Hiroshi Ikenoue (Kyushu Univ.), Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 67 - 70

5-4 (時間: 11:50 - 12:10)

題名	プラズマ酸化により形成したAl₂O₃/GeO_x/Ge MOS界面の遅い準位の起源
著者	*柯夢南, 玉虓, 張志宇, 竹中充, 高木信一 (東大)
Title	Origin of Slow Traps in Al₂O₃/GeO_x/Ge MOS Interfaces Fabricated by Plasma Post Oxidation
Author	*Mengnan Ke, Xiao Yu, Chih-Yu Chang, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 71 - 74

5-5 (時間: 12:10 - 12:30)

題名	表面不活性化と円形ブラッグ・グレーティングを有するGeマイクロディスクの共振PL
著者	*橋本秀明, 徐学俊, 澤野憲太郎, 丸泉琢也 (東京都市大)
Title	Photoluminescence from Ge Microdisks with Circular Bragg Gratings by Surface Passivation
Author	*Hideaki Hashimoto, Xuejun Xu, Kentarou Sawano, Takuya Maruizumi (Tokyo City Univ.)
ページ	pp. 75 - 78

セッション 6-1 信頼性、Ⅲ-Ⅴ、新デバイス
日時: 2017年1月21日(土) 14:00 - 15:50

6-1-1 (時間: 14:00 - 14:30)

題名	(招待講演) 共鳴核反応法によるゲート絶縁膜中水素分布測定と水素起因信頼性劣化モデリング
著者	東悠介 (東芝)
Title	(Invited Speech) Measurement of Hydrogen Depth Profile with Using Nuclear Reaction Analysis and Modeling of Dielectric Degradation
Author	Yusuke Higashi (Toshiba)
ページ	pp. 79 - 82

6-1-2 (時間: 14:30 - 14:50)

題名	極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価
著者	*後藤高寛 (東大), 満原学, 星拓也, 杉山弘樹 (NTT), 竹中充, 高木信一 (東大)
Title	Evaluation of MOS Interface Properties in GaAsSb MOS Structures with Ultrathin InGaAs Interfacial Layers
Author	*Takahiro Gotow (Univ. of Tokyo), Manabu Mitsuhara, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama (NTT), Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 83 - 86

6-1-3 (時間: 14:50 - 15:10)

題名	3次元ICに向けた多結晶InSb nMOSFETの実現
著者	*高橋正紘 (東京理科大), 入沢寿史, 張文馨, 富永淳二 (産総研), 藤川紗千恵, 藤代博記 (東京理科大), 前田辰郎 (産総研)
Title	Poly-InSb nMOSFETs for Monolithic 3D-IC
Author	*Masahiro Takahashi (Tokyo Univ. of Science), Toshihumi Irisawa, Wen-Hsin Chang, Junji Tominaga (AIST), Sachie Fujikawa, Hiroki Fujishiro (Tokyo Univ. of Science), Tatsuro Maeda (AIST)
ページ	pp. 87 - 90

6-1-4 (時間: 15:10 - 15:30)

題名	トポロジカル絶縁体CaAgAs薄膜の分子線エピタキシー成長
著者	*中村伊吹, 太田隼輔, 浦田隆広, 畑野敬史, 飯田和昌, 生田博志 (名大)
Title	Growth of Topological Insulator CaAgAs Thin Films by Molecular Beam Epitaxy
Author	*Ibuki Nakamura, Shunsuke Ohta, Takahiro Urata, Takafumi Hatano, Kazumasa Iida, Hiroshi Ikuta (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 91 - 94

6-1-5 (時間: 15:30 - 15:50)

題名	シリコンナノワイヤ型熱電発電デバイスにおける短チャネル効果
著者	*大場俊輔, 橋本修一郎, 麻田修平, 徐泰宇, 姫田悠矢, 大和亮 (早大), 松川貴 (産総研), 渡邉孝信 (早大)
Title	Short Channel Effect of Silicon Nanowire Thermoelectric Generator
Author	*Shunsuke Oba, Shuichiro Hashimoto, Shuhei Asada, Taiyu Xu, Yuya Himeda, Ryo Yamato (Waseda Univ.), Takashi Matsukawa (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページ	pp. 95 - 98

セッション 6-2 信頼性、Ⅲ-Ⅴ、新デバイス
日時: 2017年1月21日(土) 16:10 - 17:20

6-2-1 (時間: 16:10 - 16:40)

題名	(招待講演) 散逸ゆらぎを活用した新規デバイスの可能性
著者	田畑仁 (東大)
Title	(Invited Speech) Possibility of New Devices Based on Dissipation Fluctuation
Author	Hitoshi Tabata (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 99 - 102

6-2-2 (時間: 16:40 - 17:00)

題名	SiGe構造の熱伝導率低減における界面の影響～フォノンモード解析～
著者	*高橋憲彦, 金田千穂子 (富士通研)
Title	Effect of Interface on Thermal Conductivity Reduction in SiGe Structures: Phonon Mode Analyses
Author	*Norihiko Takahashi, Chioko Kaneta (Fujitsu Labs.)
ページ	pp. 103 - 106

6-2-3 (時間: 17:00 - 17:20)

題名	負性容量効果を利用した急峻スイッチングFinFET実現に向けた強誘電体材料の設計指針
著者	*太田裕之, 右田真司, 服部淳一, 福田浩一 (産総研), 鳥海明 (東大)
Title	Design of Ferroelectric Materials for Realizing Steep Subthreshold Swing FinFET Using Negative Gate Capacitance
Author	*Hiroyuki Ota, Shinji Migita, Junichi Hattori, Koichi Fukuda (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 107 - 110

2017年1月20日(金)

セッション P ポスターセッション
日時: 2017年1月20日(金) 20:30 - 22:30

P-1

題名	SiC C面上に乾燥酸素および水蒸気雰囲気で形成した熱酸化SiO₂膜密度
著者	*飯塚望, 小澤航大, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大)
Title	Density of SiO₂ Films on SiC (000-1) Thermally Grown in Dry O₂ or H₂O Ambient
Author	*Nozomu Iitsuka, Koudai Ozawa, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 111 - 114

P-2

題名	熱酸化SiO₂/SiC界面近傍の不均一層とそのリーク電流特性
著者	*永井龍, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大)
Title	Non-Uniform Film Region in the Vicinity of Thermally Grown SiO₂ on 4H-SiC and Leakage Current Characteristics in the Region
Author	*Ryu Nagai, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 115 - 118

P-3

題名	SiC上TEOS-SiO₂の熱処理による絶縁特性の改善
著者	*川村浩晃, 前田貫太, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大)
Title	Improvement Insulating Property of TEOS - SiO₂ on SiC by Thermal Annealing
Author	*Hiroaki Kawamura, Kanta Maeda, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 119 - 122

P-4

題名	第一原理計算によるHfO₂/SiO₂/Siにおける酸素空孔欠陥に起因したリーク電流の評価
著者	*高木謙介, 小野倫也 (筑波大)
Title	The First-Principles Study of Leakage Current Caused by Oxygen Vacancies
Author	*Kensuke Takagi, Tomoya Ono (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 123 - 126

P-5

題名	4H-SiC MOSキャパシタのAlON絶縁膜のリーク電流特性に窒素結合状態が与える効果
著者	*竹内和歌奈 (名大), 山本建策, 三村智博 (デンソー), 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明 (名大)
Title	Effect of N Bonding Structure in AlON Insulator Layers on Leakage Current of 4H-SiC MOS Capacitor
Author	*Wakana Takeuchi (Nagoya Univ.), Kensaku Yamamoto, Tomohiro Mimura (DENSO), Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 127 - 130

P-6

題名	High-kシード層がHf_xZr_1-xO₂膜の強誘電性へ及ぼす影響
著者	*女屋崇 (明大), 生田目俊秀 (NIMS), 栗島一徳, 澤本直美 (明大), 大井暁彦, 池田直樹, 知京豊裕 (NIMS), 小椋厚志 (明大)
Title	Influence of High-k Seed Layer on Ferroelectricity of Hf_xZr_1-xO₂ Film
Author	*Takashi Onaya (Meiji Univ.), Toshihide Nabatame (NIMS), Kazunori Kurishima, Naomi Sawamoto (Meiji Univ.), Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページ	pp. 131 - 134

P-7

題名	酸化物薄膜トランジスタにおけるCドープIn-Si-OとIn-Si-Oチャネルの信頼性の比較
著者	*栗島一徳 (明大), 生田目俊秀, 木津たきお, 塚越一仁, 大井暁彦, 池田直樹, 知京豊裕 (NIMS), 小椋厚志 (明大)
Title	Comparison of Reliability between Carbon-Doped In-Si-O and In-Si-O Channel for Oxide-TFT
Author	*Kazunori Kurishima (Meiji Univ.), Toshihide Nabatame, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページ	pp. 135 - 138

P-8

題名	電気的ストレスがAl₂O₃/InGaAs MOS 界面とInGaAs トンネルFET に与える影響
著者	*尹尚希, 張志宇, 安大煥, 竹中充, 高木信一 (東大)
Title	Impact of Electronical Stress to Al₂O₃/InGaAs MOS Interface and InGaAs Tunnel FET
Author	*Sanghee Yoon, Chih-Yu Chang, Daehwan Ahn, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 139 - 142

P-9

題名	硬X線光電子分光法（HAXPES）によるMOCVD法形成ゲルマニウムスズ薄膜の化学結合状態解析
著者	*臼田宏治, 高石理一郎, 吉木昌彦 (東芝), 須田耕平, 小椋厚志 (明大), 富田充裕 (東芝)
Title	Depth Characterization of Chemical States in GeSn Thin Film Grown by MOCVD with HAXPES Method
Author	*Koji Usuda, Riichiro Takaishi, Masahiko Yoshiki (TOSHIBA), Kohei Suda, Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Mitsuhiro Tomira (TOSHIBA)
ページ	pp. 143 - 146

P-10

題名	メタルSDを利用したガラス基板上の自己整合平面型ダブルゲート低温poly-Ge薄膜トランジスタ
著者	*内海大樹, 佐々木大精, 関口竣也, 竹内翔弥, 大澤弘樹, 原明人 (東北学院大)
Title	Self-Aligned Planar Metal Double-Gate Low-Temperature Poly-Ge TFTs using Metal Source-Drain on a Glass Substrate
Author	*Hiroki Utsumi, Taisei Sasaki, Shunya Sekiguchi, Shoya Takeuchi, Hiroki Ohsawa, Akito Hara (Tohoku Gakuin Univ.)
ページ	pp. 147 - 150

P-11

題名	2段階熱処理により作製したAlOx/GeOx/Geゲートスタックの特性
著者	*部家彰, 西井アハマド, 松尾直人 (兵庫県立大)
Title	Characteristics of AlO_x/GeO_x/Ge Gate Stack Structure fabricated by Two-Step-Thermal Treatment
Author	*Akira Heya, Ahmed Nishii, Naoto Matsuo (Univ. of Hyogo)
ページ	pp. 151 - 154

P-12

題名	MoS₂の結晶成長極初期過程の理論検討
著者	*岡田克也, 影島博之 (島根大)
Title	Theoretical Study of Very Initial Stage of MoS₂ Crystal Growth
Author	*Katsuya Okada, Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.)
ページ	pp. 155 - 158

P-13

題名	金属/SiO₂界面における金属原子の拡散：電場効果に関する理論検討
著者	*浅山佳大, 山﨑翔太, 中山隆史 (千葉大)
Title	Metal-Atom Diffusion at Metal/SiO₂ Interfaces: Theoretical Study on Electric Field Effects
Author	*Yoshihiro Asayama, Shota Yamazaki, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページ	pp. 159 - 162

P-14

題名	第一原理計算によるGaN/Insulator界面構造の考察
著者	*長川健太, 小嶋英嗣, 洗平昌晃, 白石賢二 (名大)
Title	First Principles Calculation Study for the GaN/Insulator Surface Structures
Author	*Kenta Chokawa, Eiji Kojima, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 163 - 166

P-15

題名	局所物理量による電気伝導現象の解析
著者	*瀬波大土, 稲田健, 中西真, 立花明知 (京大)
Title	Analysis of Conduction Phenomena by Local Physical Quantities
Author	*Masato Senami, Ken Inada, Makoto Nakanishi, Akitomo Tachibana (Kyoto Univ.)
ページ	pp. 167 - 170

P-16

題名	ホール効果測定による窒化SiO₂/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位評価
著者	*畠山哲夫, 木内祐治, 染谷満 (産総研), 岡本大 (筑波大), 原田信介 (産総研), 矢野裕司 (筑波大), 米澤喜幸, 奥村元 (産総研)
Title	Characterization of Traps at Nitrided SiO₂/SiC Interfaces Near the Conduction Band Edge by using Hall Effect Measurements
Author	*Tetsuo Hatakeyama, Yuji Kiuchi, Mitsuru Sometani (AIST), Dai Okamoto (Univ. of Tsukuba), Shinsuke Harada (AIST), Hiroshi Yano (Univ. of Tsukuba), Yoshiyuki Yonezawa, Hajime Okumura (AIST)
ページ	pp. 171 - 174

P-17

題名	単層MoS₂における帯電した原子空孔の第一原理計算
著者	*浦崎柊, 影島博之 (島根大)
Title	First Principles Calculations of Charged Vacancies in Single-Layer Molybdenum Disulfide
Author	*Syu Urasaki, Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.)
ページ	pp. 175 - 178

P-18

題名	圧縮歪みを伴ったVertical-BC-MOSFETのSi熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究
著者	*川内伸悟, 名倉拓哉, 長川健太, 白川裕規, 洗平昌晃 (名大), 影島博之 (島根大), 遠藤哲郎 (東北大), 白石賢二 (名大)
Title	Theoretical Study on Interface Orientation Dependence of Si Thermal Oxidation of Vertical-BC-MOSFET with Compressive Strain
Author	*Shingo Kawachi, Takuya Nagura, Kenta Chokawa, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.), Tetsuo Endoh (Tohoku Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 179 - 182

P-19

題名	Si熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究
著者	*名倉拓哉, 川内伸悟, 長川健太, 白川裕規, 洗平昌晃 (名大), 影島博之 (島根大), 遠藤哲郎 (東北大), 白石賢二 (名大)
Title	Theoretical Study on Interface Orientation Dependence of Si Thermal Oxidation
Author	*Takuya Nagura, Shingo Kawachi, Kenta Chokawa, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.), Tetsuo Endoh (Tohoku Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 183 - 186

P-20

題名	X線光電子分光法による極薄酸化物積層構造の電位変化・ダイポール評価
著者	*藤村信幸, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一 (名大)
Title	Evaluation of Inner Potential Change and Electrical Dipole in Ultrathin Oxide Stacked Structure Using XPS Measurements
Author	*Nobuyuki Fujimura, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 187 - 190

P-21

題名	シードレス液相成長による単結晶GeSn超薄膜形成と電気特性評価
著者	*小山真広, 岡博史, 田中章吾, 冨田崇史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (阪大)
Title	Thin GeSn Single Crystalline Layer Formed on Quartz Substrate by Seedless Liquid Phase Growth and Its Electrical Properties
Author	*Masahiro Koyama, Hiroshi Oka, Shogo Tanaka, Takashi Tomita, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページ	pp. 191 - 194

P-22

題名	横方向液相エピタキシャル成長による高濃度Sbドープ単結晶Ge細線の作製と光学特性評価
著者	*冨田崇史, 岡博史, 小山真広, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (阪大)
Title	Enhanced Luminescence of Sb-Doped Single-Crystalline Ge Wires Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxy
Author	*Takashi Tomita, Hiroshi Oka, Masahiro Koyama, Shogo Tanaka, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページ	pp. 195 - 198

P-23

Title	Verification of Modified Distributed Circuit Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Interface
Author	*Xufang Zhang, Dai Okamoto (Univ. of Tsukuba), Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi (AIST), Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 199 - 202

P-24

題名	室温近傍でのプラズマ酸化とウェットエッチングによるSiC表面上へのC堆積物の生成
著者	*伊藤亮太, 細尾幸平, 川合健太郎, 佐野泰久, 森田瑞穂, 有馬健太 (阪大)
Title	Formation of Carbon Aggregates on SiC by Combination of Plasma Oxidation at Near Room Temperature and Wet Etching
Author	*Ryota Ito, Kohei Hosoo, Kentaro Kawai, Yasuhisa Sano, Mizuho Morita, Kenta Arima (Osaka Univ.)
ページ	pp. 203 - 206

P-25

題名	光電子分光法によるリモートプラズマCVD SiO₂/GaNの化学結合状態および電子占有欠陥評価
著者	*グェンチュンスァン, 大田晃生, 牧原克典, 池田弥央, 宮崎誠一 (名大)
Title	Photoemission Study of Chemical Bonding Features and Electronic Defect States of Remote Plasma CVD SiO₂/GaN Structure
Author	*TruyenXuan Nguyen, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 207 - 210

P-26

題名	a-SiO₂ 中における不純物原子の安定性の理論検討：中性と荷電状態の比較
著者	*山崎翔太, 恩田由紀子, 浅山佳大, 中山隆史 (千葉大)
Title	Theoretical Study on Impurity-Atom Stability in Amorphous SiO₂ : Comparison between Neutral and Charged States
Author	*Shota Yamazaki, Yukiko Onda, Yoshihiro Asayama, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページ	pp. 211 - 214

P-27

題名	Pt触媒効果を用いたALD-Al₂O₃膜の熱処理雰囲気とV_fbシフトの関係
著者	*弓削雅津也 (芝浦工大), 生田目俊秀, 大井暁彦, 池田直樹, 知京豊裕 (NIMS), 大石知司 (芝浦工大)
Title	Correlation between V_fb Shift and Annealing Condition of ALD-Al₂O₃ Film by Pt Catalytic Effect
Author	*Kazuya Yuge (Shibaura Inst. of Tech.), Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Toyohiro Chikyow (NIMS), Tomoji Ohishi (Shibaura Inst. of Tech.)
ページ	pp. 215 - 218

P-28

題名	High-k/SiO₂界面における酸素イオン移動の駆動力
著者	*功刀遼太, 中川宣拓, 渡邉孝信 (早大)
Title	Driving Force of Oxygen Ions Migration at High-k/SiO₂ Interface
Author	*Ryota Kunugi, Nobuhiro Nakagawa, Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページ	pp. 219 - 222

P-29

題名	分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体の格子-フォノン物性の予測と評価
著者	*富田基裕 (早大), 小椋厚志 (明大), 渡邉孝信 (早大)
Title	Evaluation and Prediction of Group IV Binary Alloy Semiconductors by Lattice Dynamics Simulation
Author	*Motohiro Tomita (Waseda Univ.), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページ	pp. 223 - 226

P-30

題名	非平衡グリーン関数法を用いた多層グラフェンの輸送特性解析
著者	*橋本風渡, 森伸也 (阪大)
Title	Nonequilibrium Green Function Simulation of Electron Transport in Multilayer Graphenes
Author	*Futo Hashimoto, Nobuya Mori (Osaka Univ.)
ページ	pp. 227 - 230

P-31

題名	高空間分解能HXPESによるGe 2p内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える影響の検出
著者	*佐野良介, 此島志織, 澤野憲太郎, 野平博司 (東京都市大)
Title	Detection of Strain Effect on Binding Energy of Ge 2p Core Level by HXPES with High Spatial Resolution
Author	*Ryousuke Sano, Shiori Konoshima, Kentarou Sawano, Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページ	pp. 231 - 234

P-32

題名	コンビナトリアル手法によるGe上TiO₂絶縁膜のアクセプタードーピングによる影響の検討
著者	*鈴木良尚 (明大), 長田貴弘, 山下良之, 生田目俊秀 (物質材料研究機構), 小椋厚志 (明大), 知京豊裕 (物質材料研究機構)
Title	Combinatorial Study of Influence of Acceptor Doping for TiO₂/ Ge Stuck Structure
Author	*Yoshihisa Suzuki (Meiji Univ.), Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Toyohiro Chikyow (NIMS)
ページ	pp. 235 - 238

P-33

題名	エピタキシャルGe上直接ALDによるAl₂O₃/Ge界面特性向上
著者	*池上和彦, 佐藤慶次郎, 澤田浩介 (東京都市大), Maksym Myronov (ウォーリック大学), 野平博司, 澤野憲太郎 (東京都市大)
Title	Al₂O₃/Ge Interface Characteristic Improvements by Direct Atomic Layer Deposition on Epitaxial Ge
Author	*Kazuhiko Ikegami, Keijiro Sato, Kousuke Sawada (Tokyo City Univ.), Maksym Myronov (Univ. of Warwick), Hiroshi Nohira, Kentaro Sawano (Tokyo City Univ.)
ページ	pp. 239 - 242

P-34

題名	シリコンナノワイヤ型熱電デバイスにおける逆向きの熱起電流の発生
著者	*橋本修一郎, 麻田修平, 徐泰宇, 大場俊輔 (早大), 松川貴 (産総研), 渡邉孝信 (早大)
Title	Anomalous Thermoelectric Characteristic of a Silicon Nanowire Thermoelectric Generator
Author	*Shuichiro Hashimoto, Shuhei Asada, Taiyu Xu, Shunsuke Oba (Waseda Univ.), Takashi Matsukawa (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページ	pp. 243 - 246

P-35

Title	Surface Characterization of Si-Based Nanosheets Synthesized from CaSi₂ Using Metal Chlorides, IP6 and Acid Solutions
Author	*Peiling Yuan, Kenta Sasaki, Yuki Kumazawa, Yuya Saito, Shinya Kusazaki, Keita Hikichi, Nanae Atsumi, Hirokazu Tatsuoka (Shizuoka Univ.)
ページ	pp. 247 - 250

「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第22回研究会) プログラム

セッション表

論文一覧

「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第22回研究会)
プログラム