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| 2016年1月21日(木) |
| 題名 | 熱酸化SiO2膜の信頼性−わかったこと、わからないこと、そして、伝えたいこと |
| 著者 | *山部 紀久夫 (筑波大) |
| Title | Reliability of Thermally Grown SiO2 |
| Author | *Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba) |
| 2016年1月22日(金) |
| Title | (Special Speech) Strained Germanium Quantum Well p-FinFETs Fabricated on 45nm Fin Pitch Using Replacement Metal Gate and Germanide-Free Local Interconnect |
| Author | *Liesbeth Witters (IMEC) |
| ページ | pp. 1 - 4 |
| 題名 | 原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性 |
| 著者 | *兼松 正行, 柴山 茂久, 坂下 満男, 竹内 和歌奈, 中塚 理, 財満 鎭明 (名大) |
| Title | Formation of GeO2/Ge Interface Prepared by Using Atomic Layer Deposition and Influence of Deposition Temperature on Defects at the Interface |
| Author | *Masayuki Kanematsu, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.) |
| ページ | pp. 5 - 8 |
| 題名 | 水中で酸素還元触媒と接触したGe表面のエッチング特性と平坦化への応用 |
| 著者 | *中出 和希, 森 大地, 川瀬 達也, 川合 健太郎, 佐野 泰久, 山内 和人, 森田 瑞穂, 有馬 健太 (阪大) |
| Title | Etching Properties of Ge Surfaces in Contact with Oxygen Reduction Catalyst in Water and Its Application to Surface Flattening |
| Author | *Kazuki Nakade, Daichi Mori, Tatsuya Kawase, Kentaro Kawai, Yasuhisa Sano, Kazuto Yamauchi, Mizuho Morita, Kenta Arima (Osaka Univ.) |
| ページ | pp. 9 - 12 |
| 題名 | (招待講演) 知っておくと得するゲルマニウム制御の三つの基本 |
| 著者 | *鳥海 明 (東大) |
| Title | (Invited Speech) Three Engineering Knobs for Controlling Ge Gate Stack Technology |
| Author | *Akira Toriumi (Univ. of Tokyo) |
| ページ | pp. 13 - 16 |
| 題名 | Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析 |
| 著者 | *長江 祐樹, 柴山 茂久, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 中塚 理, 白石 賢二, 財満 鎭明 (名大) |
| Title | Theoretical and Experimental Analysis of Energy Band Structures of Si1-xSnx Semiconductor |
| Author | *Yuki Nagae, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Masaaki Araidai, Osamu Nakatsuka, Kenji Shiraishi, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.) |
| ページ | pp. 17 - 20 |
| 題名 | 界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長 |
| 著者 | *吉川 勲, 黒澤 昌志, 竹内 和歌奈, 坂下 満男, 中塚 理, 財満 鎭明 (名大) |
| Title | Interfacial Energy Controlled Low-Temperature Crystallization of GeSn Thin Films on Insulators |
| Author | *Isao Yoshikawa, Masashi Kurosawa, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.) |
| ページ | pp. 21 - 24 |
| 題名 | 横方向液相エピタキシャル成長法によって作製したGeSn-on-insulatorの電気特性評価 |
| 著者 | *冨永 幸平, 岡 博史, 天本 隆史, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大) |
| Title | Electrical Property of GeSn on Insulator Layer Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxy |
| Author | *Kohei Tominaga, Hiroshi Oka, Takashi Amamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.) |
| ページ | pp. 25 - 28 |
| 題名 | (基調講演) スピントロニクス最前線 −集積回路応用を中心に− |
| 著者 | *大野 英男 (東北大) |
| Title | (Keynote Speech) Spintronics Materials and Devices for VLSI Applications |
| Author | *Hideo Ohno (Tohoku Univ.) |
| ページ | pp. 29 - 30 |
| 題名 | 磁気トンネル接合素子のMgO膜における初期電流リークスポット密度のconductive AFM法による評価手法解析 |
| 著者 | *佐藤 創志, 本庄 弘明, 池田 正二, 大野 英男, 遠藤 哲郎, 丹羽 正昭 (東北大) |
| Title | Characterization of Leakage Spot Density in MgO Tunneling Barrier of Magnetic Tunneling Junction by Conductive AFM |
| Author | *Soshi Sato, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Testuo Endoh, Masaaki Niwa (Tohoku Univ.) |
| ページ | pp. 31 - 34 |
| 題名 | (招待講演) 薄膜デバイスの新しいアプリケーション −センシングデバイスとエレクトロニクス応用− |
| 著者 | *木村 睦 (龍谷大) |
| Title | (Invited Speech) Novel Application using Thin-Film Devices |
| Author | *Mutsumi Kimura (Ryukoku Univ.) |
| ページ | pp. 35 - 38 |
| 題名 | (招待講演) バイオナノプロセスを用いた有機-無機複合ナノマテリアルの合成と応用 |
| 著者 | *井之上 一平 (味の素) |
| Title | (Invited Speech) Application of Organic-Inorganic Hybrid Nano-Materials Produced by Bio Nano Process |
| Author | *Ippei Inoue (Ajinomoto) |
| ページ | pp. 39 - 42 |
| 題名 | (招待講演) 原子拡散接合法によるウエハの室温接合技術とデバイス形成への応用 |
| 著者 | *島津 武仁 (東北大) |
| Title | (Invited Speech) Room Temperature Bonding of Wafers Using Thin Metal Films and Its Application to Devices Fabrication |
| Author | *Takehito Shimatsu (Tohoku Univ.) |
| ページ | pp. 43 - 46 |
| 題名 | (招待講演) ミストデポジション法と酸化物薄膜・半導体への応用 |
| 著者 | *藤田 静雄 (京大) |
| Title | (Invited Speech) Mist Deposition Technology: Overview and Its Application to Oxide Thin Films and Semiconductors |
| Author | *Shizuo Fujita (Kyoto Univ.) |
| ページ | pp. 47 - 50 |
| 題名 | (招待講演) TiO2チャネルトランジスタにおける移動度向上と室温イオン注入 |
| 著者 | *矢嶋 赳彬 (東大) |
| Title | (Invited Speech) Mobility Enhancement and Room-Temperature Ion Implantation in TiO2-Channel Thin Film Transistors |
| Author | *Takeaki Yajima (Univ. of Tokyo) |
| ページ | pp. 51 - 54 |
| 題名 | (パネルディスカッション) 新領域開拓に向けた低温化プロセス の推進と新機能の創成 |
| 著者 | 井之上 一平 (味の素), 島津 武仁 (東北大), 藤田 静雄 (京大), 矢嶋 赳彬 (東大), 松下 大介 (東芝) |
| Title | (Panel Discussion) |
| Author | Ippei Inoue (Ajinomoto), Takehito Shimatsu (Tohoku Univ.), Shizuo Fujita (Kyoto Univ.), Takeaki Yajima (Univ. of Tokyo), Daisuke Matsushita (Toshiba) |
| 2016年1月23日(土) |
| 題名 | (基調講演) デバイス信頼性からみたフィン型構造の検討 |
| 著者 | *久本 大 (日立) |
| Title | (Keynote Speech) Challenges to Reliability Issues with Fin-channel Structure |
| Author | *Dai Hisamoto (Hitachi) |
| ページ | pp. 55 - 58 |
| 題名 | 厚膜ゲート絶縁膜およびSiN MIM膜におけるTDDB統計異常およびその寿命推定への影響 |
| 著者 | *岡田 健治, 栗本 一実, 鈴木 光浩, 伊藤 豊, 鈴木 繁 (パナソニック) |
| Title | Anomalous TDDB Statistics Observed in Thick Gate Dielectrics and SiN MIM Capacitors |
| Author | *Kenji Okada, Kazumi Kurimoto, Mitsuhiro Suzuki, Yutaka Itoh, Shigeru Suzuki (TowerJazz Panasonic Semiconductor) |
| ページ | pp. 59 - 62 |
| 題名 | MONOSメモリにおけるSiO2膜中の窒素原子に起因する原子欠陥の理論的考察 |
| 著者 | *白川 裕規, 洗平 昌晃 (名大), 神谷 克政 (神奈川工科大), 白石 賢二 (名大) |
| Title | Theoretical Study on the Atomic Behavior of N, H Atoms and O Vacancy Related Defects in SiO2 Films of MONOS Memories |
| Author | *Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Katsumasa Kamiya (Kanagawa Inst. of Tech.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.) |
| ページ | pp. 63 - 66 |
| 題名 | (招待講演) 粒子ベースキャリア輸送シミュレーションによるナノデバイス特性揺らぎの統計的解析 |
| 著者 | *渡邉 孝信 (早大) |
| Title | (Invited Speech) Statistical Analysis of Fluctuation of Device Characteristics of Nano-scale Devices by Particle-based Charier Transport Simulation |
| Author | *Takanobu Watanabe (Waseda Univ.) |
| ページ | pp. 67 - 70 |
| 題名 | (招待講演) シリコンフォトニクス -LSIプロセスによる電光集積- |
| 著者 | *和田 一実 (東大) |
| Title | (Invited Speech) Si Photonics -Electronic and Photonic Integration on Si CMOS platform- |
| Author | *Kazumi Wada (Univ. of Tokyo) |
| ページ | pp. 71 - 72 |
| 題名 | 表面不活性化による歪みGe-on-Insulatorの発光強度増大 |
| 著者 | *橋本 秀明, 徐 学俊, 澤野 憲太郎, 丸泉 琢也 (東京都市大) |
| Title | Enhanced Light Emission from Surface-Passivated Tensile-Strained Ge-on-Insulator |
| Author | *Hideaki Hashimoto, Xuejun Xu, Kentarou Sawano, Takuya Maruizumi (Tokyo City Univ.) |
| ページ | pp. 73 - 76 |
| 題名 | 層状絶縁体h-BNの電気的絶縁破壊特性 |
| 著者 | *服部 吉晃 (東大), 谷口 尚, 渡邊 賢司 (NIMS), 長汐 晃輔 (東大/JST-さきがけ) |
| Title | Electrical Breakdown Characteristics of h-BN Layered Insulator |
| Author | *Yoshiaki Hattori (Univ. of Tokyo), Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe (NIMS), Kosuke Nagashio (Univ. of Tokyo/PRESTO-JST) |
| ページ | pp. 77 - 80 |
| 題名 | (招待講演) 酸化ガリウムデバイスの現状と今後の展開 |
| 著者 | *東脇 正高 (NICT ) |
| Title | (Invited Speech) Current Status and Future Development of Gallium Oxide Devices |
| Author | *Masataka Higashiwaki (NICT ) |
| ページ | pp. 81 - 84 |
| 題名 | SiO2/SiCの界面近傍酸化剤濃度に基づいた界面特性の考察 |
| 著者 | *花里 耕平, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大) |
| Title | Investigation of Interface Properties Based on the Oxidant Concentration near SiO2/SiC Interface |
| Author | *Kohei Hanasato, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba) |
| ページ | pp. 85 - 88 |
| 題名 | 第一原理輸送シミュレーションによる4H-SiC/SiO2界面の電子輸送特性に関する調査 |
| 著者 | *岩瀬 滋 (阪大), Kirkham Christopher, 小野 倫也 (筑波大) |
| Title | First Principle Study of Electron Transport Property at 4H-SiC/SiO2 Interface |
| Author | *Shigeru Iwase (Osaka Univ.), Kirkham Christopher, Tomoya Ono (Univ. of Tsukuba) |
| ページ | pp. 89 - 91 |
| 題名 | Poly-Si電極を用いたSiC MOSキャパシタの絶縁破壊後に見出した特徴的な破壊箇所 |
| 著者 | *佐藤 創志 (東北大), 山部 紀久夫 (筑波大), 遠藤 哲郎, 丹羽 正昭 (東北大) |
| Title | Failure Analysis of a SiC MOS Capacitor with a Poly-Si Electrode |
| Author | *Soshi Sato (Tohoku Univ.), Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba), Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa (Tohoku Univ.) |
| ページ | pp. 93 - 96 |
| 題名 | ダイヤモンドショットキーバリアダイオードのデバイス動作特性と結晶品質 |
| 著者 | *加藤 有香子, 梅沢 仁 (産総研) |
| Title | X-Ray Topographic Study of Defect in p- Diamond Layer of Schottky Barrier Diode |
| Author | *Yukako Kato, Hitoshi Umezawa (AIST) |
| ページ | pp. 97 - 99 |
| 題名 | 表面電荷反転XPS法によるhigh-k/SiO2界面分極の分光分析 |
| 著者 | *豊田 智史, 福田 勝利, 菅谷 英生, 森田 将史, 中田 明良, 内本 喜晴, 松原 英一郎 (京大) |
| Title | Spectroscopic Analysis of an Electric Dipole at the High-k/SiO2 Interface via Surface-Charge Switched XPS |
| Author | *Satoshi Toyoda, Katsutoshi Fukuda, Hidetaka Sugaya, Masashi Morita, Akiyoshi Nakata, Yoshiharu Uchimoto, Eiichiro Matsubara (Kyoto Univ.) |
| ページ | pp. 101 - 104 |
| 題名 | 強相関物質の第一原理計算技術 |
| 著者 | *濱田 智之 (日立), 大野 隆央 (NIMS) |
| Title | First Principles Calculation Technology of Strongly Correlated Electron Systems |
| Author | *Tomoyuki Hamada (Hitachi), Takahisa Ohno (NIMS) |
| ページ | pp. 105 - 108 |
| 題名 | 負性容量効果を利用した急峻スイッチング実現に向けた強誘電体HfO2とデバイス構造の設計指針 |
| 著者 | *太田 裕之, 右田 真司, 福田 浩一, 服部 淳一 (産総研), 鳥海 明 (東大) |
| Title | Ferroelectric HfO2 and Device Engineering for Realizing Steep Subthreshold Swing Using Negative Gate Capacitance |
| Author | *Hiroyuki Ota, Shinji Migita, Koichi Fukuda, Junichi Hattori (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo) |
| ページ | pp. 109 - 112 |
| 2016年1月22日(金) |
| 題名 | 分子動力学法によるhigh-k/SiO2界面ダイポールのアニール温度依存性の検討 |
| 著者 | *功刀 遼太, 志村 昴亮, 中川 宣拓, 渡邉 孝信 (早大) |
| Title | Annealing Temperature Dependency of Dipole Layer Formation at High-k/SiO2 Interfaces Studied by Molecular Dynamics |
| Author | *Ryota Kunugi, Kosuke Shimura, Nobuhiro Nakagawa, Takanobu Watanabe (Waseda Univ.) |
| ページ | pp. 113 - 116 |
| 題名 | Ar+イオン照射によるSiナノワイヤのNi合金化プロセスの制御性向上 |
| 著者 | *麻田 修平, 橋本 修一郎, 武井 康平, ソン セイ, 張 旭, 徐 泰宇, 臼田 稔宏, 遠藤 清, 大場 俊輔 (早大), 富田 基裕 (早大/学振特別研究員PD/明大), 今井 亮佑, 小椋 厚志 (明大), 松川 貴, 昌原 明植 (産総研), 渡邉 孝信 (早大) |
| Title | Improved Control of Nickelidation Process of Si Nanowire by Ar+ Ion Irradiation |
| Author | *Shuhei Asada, Shuichiro Hashimoto, Kohei Takei, Jing Sun, Xu Zhang, Taiyu Xu, Toshihiro Usuda, Kiyoshi Endo, Shunsuke Oba (Waseda Univ.), Motohiro Tomita (Waseda Univ./JSPS Research Fellow PD/Meiji Univ.), Ryosuke Imai, Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.) |
| ページ | pp. 117 - 120 |
| 題名 | ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3及びZrO2膜厚がリーク電流特性へ及ぼす影響 |
| 著者 | *女屋 崇 (明大), 生田目 俊秀, 澤田 朋実 (NIMS), 栗島 一徳 (明大), 大井 暁彦, 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大) |
| Title | Influence of Al2O3 and ZrO2 Thicknesses on Leakage Current Properties for DRAM Capacitors with ZrO2/Al2O3/ZrO2 Stack Structure |
| Author | *Takashi Onaya (Meiji Univ.), Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada (NIMS), Kazunori Kurishima (Meiji Univ.), Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyo (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.) |
| ページ | pp. 121 - 124 |
| 題名 | AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期熱酸化過程の研究 |
| 著者 | *荒井 仁, 野平 博司 (東京都市大) |
| Title | Angle-resolved Photoelectron Spectroscopy Studies of Initial Stage of Thermal Oxidation on 4H-SiC (0001) |
| Author | *Hitoshi Arai, Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.) |
| ページ | pp. 125 - 128 |
| 題名 | SiC酸化膜表面・界面のラフネス変化と電気的特性の評価 |
| 著者 | *永井 龍, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大) |
| Title | Roughness Growth on Oxide Surface and Interface of SiC and Electrical Characteristics Properties |
| Author | *Ryu Nagai, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba) |
| ページ | pp. 129 - 132 |
| 題名 | 金属/GeOx/Ge界面におけるショットキーバリアと原子拡散：第一原理計算 |
| 著者 | *佐々木 奨悟, 中山 隆史 (千葉大) |
| Title | Schottky Barrier and Atom Diffusion at Metal/GeOx/Ge Interfaces: First-Principles Study |
| Author | *Shogo Sasaki, Takashi Nakayama (Chiba Univ.) |
| ページ | pp. 133 - 136 |
| 題名 | トップダウン加工によるGeへの引張歪み印加とバンドギャップ変調 |
| 著者 | *田中 章吾, 岡 博史, 天本 隆史, 冨永 幸平, 小山 真広, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大) |
| Title | Band Gap Modulation of Tensile-Strained Ge by Top-Down Approach |
| Author | *Shogo Tanaka, Hiroshi Oka, Takashi Amamoto, Kouhei Tominaga, Masahiro Koyama, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.) |
| ページ | pp. 137 - 140 |
| 題名 | 単層h-BNにおける多原子空孔の理論的検討 |
| 著者 | *浦崎 柊, 影島 博之 (島根大) |
| Title | Theoretical Study of Multiatomic Vacancies in Single-Layer Hexagonal Boron Nitride |
| Author | *Syu Urasaki, Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.) |
| ページ | pp. 141 - 144 |
| 題名 | 角度分解光電子分光によるIn吸着Ge(110)表面のバンド分散 |
| 著者 | *江波戸 達哉, 武田 さくら (NAIST), 坂田 智裕 (アーヘン工科大), Ang Artoni Kevin, 入江 広一郎, 米田 允俊, 大門 寛 (NAIST) |
| Title | Band Dispersion of In-Adsorbed Ge(110) by Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy |
| Author | *Tatsuya Ebato, Sakura Takeda (NAIST), Tomohiro Sakata (RWTH Aachen Univ.), Ang Artoni Kevin, Koichiro Irie, Masatosi Yoneda, Hiroshi Daimon (NAIST) |
| ページ | pp. 145 - 148 |
| 題名 | 電子テンション密度を用いた局所電気伝導特性の解析 |
| 著者 | *埜崎 寛雄, 瀬波 大土, 市川 和秀, 立花 明知 (京大) |
| Title | Analysis of Local Electric Conductive Properties by Electronic Tension Density |
| Author | *Hiroo Nozaki, Masato Senami, Kazuhide Ichikawa, Akitomo Tachibana (Kyoto Univ.) |
| ページ | pp. 149 - 152 |
| 題名 | チャージポンピング法によるSOIデバイスの埋め込み酸化膜裏面界面の評価 |
| 著者 | *瀧 久幸, 井田 次郎 (金沢工大), 新井 康夫 (高エネルギー加速器研究機構) |
| Title | Evaluation of the Buried Oxide Back Surface of SOI with Charge Pumping Method |
| Author | *Hisayuki Taki, Jiro Ida (Kanazawa Inst. of Tech.), Yasuo Arai (High Energy Accelerator Research Organization) |
| ページ | pp. 153 - 156 |
| 題名 | 成膜プロセスを変えたAl2O3/SiO2界面形成と固定電荷密度と界面ダイポールの関係 |
| 著者 | *福井 僚, 若林 整, 筒井 一生, 岩井 洋, 角嶋 邦之 (東工大) |
| Title | Correlation of Fixed Charge Density and Interface Dipoles at Al2O3/SiO2 Interface upon Different Deposition Processes |
| Author | *Ryo Fukui, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutui, Hiroshi Iwai, Kuniyuki Kakushima (Tokyo Inst. of Tech.) |
| ページ | pp. 157 - 160 |
| 題名 | 局所急速加熱による自己核形成を利用した石英基板上GeSn単結晶成長 |
| 著者 | *岡 博史, 天本 隆史, 小山 真広, 冨永 幸平, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大) |
| Title | Self-Seeded Growth of Single-Crystal GeSn Alloys on Quartz Substrate by Rapid Thermal Annealing |
| Author | *Hiroshi Oka, Takashi Amamoto, Masahiro Koyama, Kohei Tominaga, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.) |
| ページ | pp. 161 - 164 |
| 題名 | SiC(Si, C, m , a面)上熱酸化SiO2膜のエッチングレート |
| 著者 | *塲本 恵介, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大) |
| Title | In-depth Profile of Etching Rates for Thermally Grown SiO2 Films on 4H-SiC (Si, C, m, a-face) |
| Author | *Keisuke Bamoto, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba) |
| ページ | pp. 165 - 168 |
| 題名 | Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果 |
| 著者 | *加藤 まどか (東京都市大), 村上 太陽, 有元 圭介, 山中 淳二, 中川 清和 (山梨大), 澤野 憲太郎 (東京都市大) |
| Title | Effects of Ion Implantation on Strain Relaxation of SiGe Films on Si(110) Substrates |
| Author | *Madoka Kato (Tokyo City Univ.), Taiyou Murakami, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa (Univ. of Yamanashi), Kentarou Sawano (Tokyo City Univ.) |
| ページ | pp. 169 - 172 |
| 題名 | MoS2の結晶成長極初期過程の理論検討 |
| 著者 | *岡田 克也, 影島 博之 (島根大) |
| Title | Theoretical Study of Very Initial Stage MoS2 Crystal Growth |
| Author | *Katsuya Okada, Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.) |
| ページ | pp. 173 - 176 |
| 題名 | GaN熱酸化における酸化物形成過程 |
| 著者 | *伊藤 丈予, 淺原 亮平, 野崎 幹人, 山田 高寛 (阪大), 中澤 敏志, 石田 昌宏, 上田 哲三 (パナソニック), 吉越 章隆 (原子力機構), 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大) |
| Title | GaOx Formation Process in Thermal Oxidation of GaN |
| Author | *Joyo Ito, Ryohei Asahara, Mikito Nozaki, Takahiro Yamada (Osaka Univ.), Satoshi Nakazawa, Masahiro Ishida, Tetsuzo Ueda (Panasonic), Akitaka Yoshigoe (Japan Atomic Energy Agency), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.) |
| ページ | pp. 177 - 180 |
| 題名 | CドープIn-Si-Oチャネルの酸化物TFTのバイアスストレス特性の改善 |
| 著者 | *栗島 一徳 (明大), 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦 (NIMS), 山本 逸平, 大石 知司 (芝浦工大), 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大) |
| Title | Improvement of Bias Stress Characteristics in Oxide TFT Using Carbon-Doped In-Si-O Channel |
| Author | *Kazunori Kurishima (Meiji Univ.), Toshihide Nabatame, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Tomomi Sawada, Akihiko Ohi (NIMS), Ippei Yamamoto, Tomoji Ohishi (Shibaura Inst. of Tech.), Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.) |
| ページ | pp. 181 - 184 |
| 題名 | SiO2/4H-SiC構造の電子障壁高さの決定と欠陥準位密度の深さ方向分析 |
| 著者 | *渡辺 浩成, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一 (名大) |
| Title | Evaluation of Energy Band Diagram and Depth Profile of Electronic Defect State Density for SiO2/4H-SiC Structures |
| Author | *Hiromasa Watanabe, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.) |
| ページ | pp. 185 - 188 |
| 題名 | BaSi2における表面構造と不純物原子拡散の第一原理計算による検討 |
| 著者 | *大須賀 祐喜, 中山 隆史 (千葉大) |
| Title | First-Principles Study on Surface Structures and Impurity Atom Diffusion in BaSi2 |
| Author | *Yuki Osuga, Takashi Nakayama (Chiba Univ.) |
| ページ | pp. 189 - 192 |
| 題名 | 局所電気伝導率を用いたコンダクタンス評価方法 |
| 著者 | *中西 真, 埜崎 寛雄, 瀬波 大土, 立花 明知 (京大) |
| Title | Computational Methods of Conductance by Local Conductivity |
| Author | *Makoto Nakanishi, Hiroo Nozaki, Masato Senami, Akitomo Tachibana (Kyoto Univ.) |
| ページ | pp. 193 - 196 |
| 題名 | TMA原料とTiO2膜の酸素の自己制御型反応によるアナターゼTiO2膜への酸素欠損の形成のメカニズム |
| 著者 | *山本 逸平 (芝浦工大), 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦 (NIMS), 栗島 一徳 (明大), Thang Duy Dao, 長尾 忠昭, 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大), 大石 知司 (芝浦工大) |
| Title | Mechanism of Vo Formation into Polycrystalline Anatase TiO2 (Anatase-TiO2) by Self-Limiting Reaction with TMA and Oxygen of TiO2 |
| Author | *Ippei Yamamoto (Shibaura Inst. of Tech.), Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Akihiko Ohi (NIMS), Kazunori Kurishima (Meiji Univ.), Thang Duy Dao, Tadaaki Nagao, Toyohiro Chikyo (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Tomoji Ohishi (Shibaura Inst. of Tech.) |
| ページ | pp. 197 - 200 |
| 題名 | 第一原理計算による絶縁膜中での金属原子の安定性：形成エネルギーに基づく化学的傾向 |
| 著者 | *恩田 由紀子, 平松 智記, 中山 隆史 (千葉大) |
| Title | First-Principles Study of Metal-Atom Stability in Insulators: Chemical Trend Based on Formation Energy |
| Author | *Yukiko Onda, Tomoki Hiramatsu, Takashi Nakayama (Chiba Univ.) |
| ページ | pp. 201 - 204 |
| 題名 | SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響 |
| 著者 | *加藤 祐介, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一 (名大) |
| Title | Effect of Embedding Ti Nanodots into SiOx Film on Its Resistive Switching Properties |
| Author | *Yuusuke Katou, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.) |
| ページ | pp. 205 - 208 |
| 題名 | Si, 4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価 |
| 著者 | *藤村 信幸, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一 (名大) |
| Title | Evaluation of Valence Band Top and Electron Affinity of Si, 4H-SiC, and SiO2 Using X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| Author | *Nobuyuki Fujimura, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.) |
| ページ | pp. 209 - 212 |
| 題名 | レーザーアブレーション法によるGe上ルチル型TiO2絶縁膜作製の条件最適化 |
| 著者 | *鈴木 良尚 (明大), 長田 貴弘, 山下 良之, 生田目 俊秀 (NIMS), 小椋 厚志 (明大), 知京 豊裕 (NIMS) |
| Title | Optimization of Growth Conditions for Rutile Type TiO2 on Ge Depisited by PLD |
| Author | *Yoshihisa Suzuki (Meiji Univ.), Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame (NIMS), Atushi Ogura (Meiji Univ.), Toyohiro Chikyow (NIMS) |
| ページ | pp. 213 - 216 |
| 題名 | リモートH2プラズマ照射による4H-SiC(0001)の表面の改質 |
| 著者 | *グェン スァンチュン, 竹内 大智, 大田 晃生, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一 (名大) |
| Title | 4H-SiC(0001) Surface Modification by Remote Hydrogen Plasma Exposure |
| Author | *Xuan Truyen Nguyen, Daichi Takeuchi, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.) |
| ページ | pp. 217 - 220 |
| 題名 | Si/SiO2(100)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の 歪み依存性に関する理論的研究 |
| 著者 | *川内 伸悟, 白川 裕規, 洗平 昌晃 (名大), 影島 愽之 (島根大), 遠藤 哲郎 (東北大), 白石 賢二 (名大) |
| Title | Theoretical Study on the Dependence of Strain of Thermal Oxidation and Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO2(100) Interface |
| Author | *Shingo Kawachi, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.), Tetsuo Endoh (Tohoku Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.) |
| ページ | pp. 221 - 224 |
| 題名 | 新規金ナノ粒子含有カーボン薄膜電極の開発と、電極表面電子反応を用いた水中 ヒ素イオンセンサーへの応用 |
| 著者 | *加藤 大喜 (筑波大), 鎌田 智之, 加藤 大, 丹羽 修 (産総研) |
| Title | The Development of the New Gold Nanoparticles Embedded Carbon Film Electrode and Application of Electrochemical As3+ Detection Sensor |
| Author | *Daiki Kato (Univ. of Tsukuba), Tomoyuki Kamata, Dai Kato, Osamu Niwa (AIST) |
| ページ | pp. 225 - 228 |