「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第19回研究会)

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応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催
特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」
第19回研究会研究報告プログラム

論文リスト (口頭発表)

(「◎、○」印は招待講演)

2014年1月23日(木)

20:00-22:00

ラマン分光測定による先端LSIの歪み計測

2014年1月24日(金)

9:00-9:10

開会の挨拶

9:10-9:55

○

Title	Characteristics of Traps and Charges in High-k Gate Stacks
Author	Samares Kar (Indian Institute of Technology, Kanpur)
ページ	pp. 1 - 4

9:55-10:15

題名	極限EOT実現に向けた極薄AlO_x層によるHigh-k/Ge ゲートスタック界面制御
著者	田中亮平, 秀島伊織, 箕浦佑也 (大阪大学大学院工学研究科), 吉越章隆, 寺岡有殿 (日本原子力研究開発機構), 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	High-k/Ge Gate Stack with an Extremely Thin-EOT by Controlling Interface Reaction Using Ultrathin AlO_x Interlayer
Author	Ryohei Tanaka, Iori Hideshima, Yuya Minoura (Graduate School of Engineering, Osaka University), Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka (Japan Atomic Energy Agency), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanebe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 5 - 8

10:15-10:35

題名	HfO₂成膜前アニールにより形成したGaO_xパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO₂/In_0.53Ga_0.47As nMISFETの電子移動度向上
著者	小田穣, 入沢寿史, Wipakorn Jevasuwan, 前田辰郎, 上牟田雄一 (産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター), 市川磨, 石原敏雄, 長田剛規 (住友化学), 手塚勉 (産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター)
Title	Electron Mobility Improvement due to GaO_x Passivation Layer Formed by Pre-Deposition Anneal in HfO₂/In_0.53Ga_0.47As nMISFET with Sub-1.0 nm EOT
Author	Minoru Oda, Toshifumi Irisawa, Wipakorn Jevasuwan, Tatsuro Maeda, Yuuichi Kamimuta (GNC-AIST), Osamu Ichikawa, Toshio Ishihara, Takenori Osada (Sumitomo Chemical Co., Ltd.), Tsutomu Tezuka (GNC-AIST)
ページ	pp. 9 - 12

10:35-10:55

題名	低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件
著者	柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Oxidation Condition of Ge Surface for Realizing Ge MOS Interface Structure with Low Interface State Density
Author	Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 13 - 16

休憩

11:15-11:35

題名	内部光電子分光法によるGeO₂/Ge界面のバンドオフセット量の決定
著者	張文峰, 李忠賢, 魯辞莽, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明 (東京大学大学院工学系研究科，JST-CREST)
Title	Band Alignment and Band Tails at GeO₂/Ge Interface Probed by Internal Photoemission Spectroscopy
Author	Wenfeng Zhang, Choong-hyun Lee, Cimang Lu, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi (The University of Tokyo, JST-CREST)
ページ	pp. 17 - 20

11:35-11:55

題名	高分解能角度分解光電子分光法によるGe(100)表面近傍のバンド構造の解明
著者	坂田智裕, 武田さくら, Artoni Kevin Roquero Ang, 北川幸佑, 久米田晴香, 小久井一樹, 竹内克行, 中尾敏臣, 桃野浩樹, 前田昂平, 大門寛 (奈良先端大物質創成)
Title	Band Structure of Ge(100) in Subsurface Region by High-Resolution ARPES
Author	Tomohiro Sakata, Sakura Nishino Takeda, Artoni Kevin Roquero Ang, Kousuke Kitagawa, Haruka Kumeda, Kazuki Kokui, Katsuyuki Takeuchi, Harushige Nakao, Hiroki Momono, Kouhei Maeda, Hiroshi Daimon (Materials Science, NAIST)
ページ	pp. 21 - 24

11:55-12:15

題名	湿度制御条件下でのin-situ XPSを用いたGeO₂/GeとSiO₂/Siの吸湿性比較
著者	有馬健太, 河合佳枝 (大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻), 箕浦佑也 (大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻), 齋藤雄介, 森大地, 川合健太郎 (大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻), 細井卓治 (大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻), 森田瑞穂 (大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻), 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻), Zhi Liu (ローレンスバークレー国立研究所)
Title	Comparison of Wetting Properties between GeO₂/Ge and SiO₂/Si Revealed by in-situ XPS
Author	Kenta Arima, Yoshie Kawai (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Yuya Minoura (Department of Material and Life Science, Graduate School of Engineering, Osaka University), Yusuke Saito, Daichi Mori, Kentaro Kawai (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Takuji Hosoi (Department of Material and Life Science, Graduate School of Engineering, Osaka University), Mizuho Morita (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Heiji Watanabe (Department of Material and Life Science, Graduate School of Engineering, Osaka University), Zhi Liu (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory)
ページ	pp. 25 - 28

昼食

13:30-14:20

◎

題名	SiCパワーデバイスの進展とMOS界面に関する課題
著者	木本恒暢 (京都大学)
Title	Progress of SiC Power Devices and Basic Issues in MOS Interface
Author	Tsunenobu Kimoto (Kyoto University)
ページ	pp. 29 - 32

14:20-14:40

題名	多結晶Ge薄膜中の欠陥密度と熱処理雰囲気との関係
著者	株柳翔一, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明 (東京大学大学院)
Title	Effects of PDA Condition on the Defect Density Decrease in Polycrystalline Ge
Author	Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi (The University of Tokyo)
ページ	pp. 33 - 36

14:40-15:00

題名	固溶限を超えるSn組成を有するGe_1-xSn_x層中におけるSn原子の熱安定性
著者	加藤公彦, 浅野孝典, 田岡紀之, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Thermal Robustness of Sn Atoms Located at Diamond Lattice Sites in Ge_1-xSn_x Layer with Sn Content Higher than Solubility Limit
Author	Kimihiko Kato, Takanori Asano, Noriyuki Taoka, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 37 - 40

15:00-15:20

題名	NiGe/Ge接合へのP添加によるn型Ge基板上オーミックコンタクトの形成
著者	岡博史, 箕浦佑也, 細井卓治 (大阪大学大学院工学研究科), 松垣仁, 黒木伸一郎 (広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所), 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Ohmic Contact Formation on n-Ge by P Ion Implantation into NiGe/Ge Junction
Author	Hiroshi Oka, Yuya Minoura, Takuji Hosoi (Graduate School of Engineering, Osaka University), Jin Matsugaki, Shin-Ichiro Kuroki (Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University), Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 41 - 44

休憩

15:40-16:10

○

題名	３次元アトムプローブによる半導体デバイス材料分析
著者	永井康介, 清水康雄, 高見澤悠, 井上耕治 (東北大学金属材料研究所)
Title	3D-Atom Probe Analysis of Materials for Semiconductor Devices
Author	Yasuyoshi Nagai, Yasuo Shimizu, Hisashi Takamizawa, Koji Inoue (Institute for Materials Research, Tohoku University)
ページ	pp. 45 - 48

16:10-16:30

題名	横方向液相エピタキシャル成長によって作製したGeワイヤのフォトルミネッセンス測定によるバンドギャップ変調評価
著者	梶村恵子, 松江将博 (大阪大学大学院工学研究科), 安武裕輔, 深津晋 (東京大学大学院総合文化研究科(駒場)), 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Photoluminescence Study of Band Gap Modulation of Ge Wires Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxy
Author	Keiko Kajimura, Masahiro Matsue (Graduate School of Engineering, Osaka University), Yuhsuke Yasutake, Susumu Fukatsu (Graduate School of Arts and Sciences, The University of Tokyo at Komaba), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 49 - 52

16:30-16:50

題名	立体Si構造における局所的な界面準位密度の抽出
著者	小路智也, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋 (東京工業大学)
Title	Interface State Density Extraction of Si-Fin Structures
Author	Tomoya Shoji, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutui, K. Natori, H. Iwai (Tokyo Institute of Technology)
ページ	pp. 53 - 56

16:50-17:30

※

題名	なぜシリコン熱酸化で良好なSi/SiO₂界面が形成されるか？
著者	白石賢二 (名古屋大学), 遠藤哲郎 (東北大学)
Title	Why High Quality Si/SiO₂ Interfaces Are Formed by Thermal Oxidation?
Author	Kenji Shiraishi (Nagoya University), Tetsuo Endoh (Tohoku University)
ページ	pp. 57 - 60

休憩

17:45-20:05

懇親会

休憩

20:20-22:20

ポスターセッション

2014年1月25日(土)

8:30-9:00

○

題名	”溶融しない”相変化メモリ ― GeTe/Sb₂Te₃超格子の電荷注入機構による不揮発記憶 ―
著者	高浦則克, 大柳孝純, 田井光春, 北村匡史, 木下政治, 秋田憲, 森川貴博 (超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)), 加藤重徳, 洗平昌晃, 神谷克政, 山本貴博, 白石賢二 (筑波大学大学院数理物質科学研究科)
Title	“Non-melting” Phase Change Memory - Charge Injection Enhancement with GeTe/Sb₂Te₃ Super-lattice -
Author	Norikatsu Takaura, Takasumi Ohyanagi, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa (Low-power Electronics Association & Project, LEAP), Shigenori Kato, Masaaki Araidai, Katsumasa Kamiya, T.Yamamoto, Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba)
ページ	pp. 61 - 64

9:00-9:20

題名	VO₂エピタキシャル極薄膜における相転移不均質性の抑制
著者	矢嶋赳彬, 二宮裕磨, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明 (東大院マテ)
Title	Inhomogeneity Mitigation in VO₂ Phase Transition by Using Epitaxial Ultra-Thin Films
Author	Takeaki Yajima, Yuma Ninomiya, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 65 - 68

9:20-9:40

題名	超格子GeTe/Sb₂Te₃相変化メモリの動作メカニズムの検討
著者	加藤重徳, 洗平昌晃 (筑波大学大学院数理物質科学研究科), 大柳孝純, 高浦則克 (超低電力デバイス技術研究組合), 白石賢二 (筑波大学大学院数理物質科学研究科)
Title	Understanding the Switching Mechanism of Super-lattice GeTe/Sb₂Te₃ Phase Change Memory
Author	Shigenori Kato, Masaaki Araidai (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Takasumi Ohyanagi, Norikatsu Takaura (Low-power Electronics Association & Project), Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba)
ページ	pp. 69 - 72

9:40-10:00

題名	グラフェンFET用DLCの光電子制御プラズマCVDプロセスの開発
著者	林広幸 (東北大学多元物質科学研究所), 鷹林将 (東北大学電気通信研究所), 楊猛, イエシュコラデク, 小川修一 (東北大学多元物質科学研究所), 尾辻泰一 (東北大学電気通信研究所), 高桑雄二 (東北大学多元物質科学研究所)
Title	Development of Photoemission-Assisted Plasma Enhanced CVD Process for Diamond-Like Carbon Films for Graphene FET
Author	Hiroyuki Hayashi (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University), Susumu Takabayashi (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University), Meng Yang, Radek Jesko, Shuichi Ogawa (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University), Taiichi Otsuji (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University), Yuji Takakuwa (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University)
ページ	pp. 73 - 76

10:00-10:20

題名	Si ナノ構造の熱電変換性能に関するシミュレーション解析
著者	Indra Nur Adisusilo, 久木田健太郎 (大阪大学大学院工学研究科), 鎌倉良成 (大阪大学大学院工学研究科、JST CREST)
Title	Simulation of Thermoelectric Performance in Silicon Nanostructures
Author	Indra Nur Adisusilo, Kentaro Kukita (Graduate School of Engineering, Osaka University), Yoshinari Kamakura (Osaka University, JST CREST)
ページ	pp. 77 - 80

休憩

10:40-11:10

○

題名	超低電圧動作SOTB-CMOS向けHigh-Kゲートスタック技術
著者	山本芳樹, 槇山秀樹, 山下朋弘, 尾田秀一, 蒲原史朗, 杉井信之, 山口泰男 (超低電圧デバイス研究組合 (LEAP)), 水谷朋子, 平本俊郎 (東京大学)
Title	Gate Stack Technology for Ultralow-Voltage Operation of Silicon-on-Thin-BOX (SOTB)
Author	Yoshiki Yamamoto, Hideki Yokoyama, Tomohiro Yamashita, Syuichi Oda, Shiro Urahara, Nobuyuki Sugii, Kunio Yamaguchi (Low-power Electronics Association & Project, LEAP), Akiko Mizutani, Toshiro Hiramoto (University of Tokyo)
ページ	pp. 81 - 84

11:10-11:30

題名	シリコン表面の酸化膜密度分布
著者	土井修平, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学数理物質科学研究科)
Title	Distribution of Oxide Density on Silicon Surface
Author	Syuhei Doi, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Inst. of Appl. Sci., University of Tsukuba)
ページ	pp. 85 - 88

11:30-11:50

題名	薄膜領域における4H-SiC熱酸化膜形成機構の理解
著者	菊地リチャード平八郎, 平井悠久 (東京大学), 喜多浩之 (東京大学，JSTさきがけ)
Title	Study on Growth Mechanism of Thermal Oxide on 4H-SiC in Nanometer Region
Author	Richard Heihachiro Kikuchi, Hirohisa Hirai (University of Tokyo), Koji Kita (University of Tokyo, JST-PRESTO)
ページ	pp. 89 - 92

11:50-12:10

題名	エピタキシャル成長n⁺-Ge:Pの活性化率向上と接触抵抗低減によるGe-nMISFETの電流駆動力増大
著者	守山佳彦 (産総研GNC、大阪大学大学院基礎工学研究科), 上牟田雄一, 鎌田善己, 池田圭司 (産総研GNC), 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗 (大阪大学大学院基礎工学研究科), 手塚勉 (産総研GNC)
Title	Improvement of Dopant Activation Rate of Epitaxially Grown n⁺-Ge:P and Enhancement of Drive Current of Ge-nMISFETs by Reduction of Contact Resistance on the n⁺-Ge:P S/D
Author	Yoshihiko Moriyama (Green Nanoelectronics Center, AIST, Graduate School of Engineering Science, Osaka University), Yuuichi Kamimuta, Yoshiki Kamata, Keiji Ikeda (Green Nanoelectronics Center, AIST), Shotaro Takeuchi, Yoshiaki Nakamura, Akira Sakai (Graduate School of Engineering Science, Osaka University), Tsutomu Tezuka (Green Nanoelectronics Center, AIST)
ページ	pp. 93 - 96

昼食

13:30-14:20

◎

題名	低電力エレクトロニクスとデバイス・材料
著者	桜井貴康 (東京大学生産技術研究所)
Title	Low-Power Electronics and Its Implications to Device and Material
Author	Takayasu Sakurai (University of Tokyo)
ページ	pp. 97 - 98

14:20-14:50

○

題名	急峻スロープトランジスタにおけるゲートスタック技術の重要性
著者	右田真司, 森貴洋, 福田浩一, 森田行則, 水林亘, 田邊顕人, 松川貴, 遠藤和彦, 柳永勛, 大内真一, 昌原明植, 太田裕之 (産業技術総合研究所, 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(GNC))
Title	Importance of Gate Stack Technology for Steep-Slope Transistors
Author	Shinji Migita, Takahiro Mori, Koichi Fukuda, Yukinori Morita, Wataru Mizubayashi, Akihito Tanabe, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Yongxun Liu, Shin-Ichi O'uchi, Meishoku Masahara, Hiroyuki Ota (AIST, Green Nanoelectronics Center)
ページ	pp. 99 - 102

14:50-15:10

題名	合成電界効果によるFin型トンネルFETの性能向上
著者	森田行則, 森貴洋, 右田真司, 水林亘, 田邊顕人, 福田浩一, 遠藤和彦, 松川貴, 大内真一, 柳永勛, 昌原明植, 太田裕之 (産業技術総合研究所)
Title	Performance Enhancement of Fin-Shape Tunnel FET by Synthetic Electric Field
Author	Yukinori Morita, Takahiro Mori, Shinji Migita, Wataru Mizubayashi, Akihito Tanabe, Koichi Fukuda, Kazuhiko Endo, Takashi Matsukawa, Shin-Ichi O'uchi, Yongxun Liu, Meishoku Masahara, Hiroyuki Ota (AIST)
ページ	pp. 103 - 106

休憩

15:30-16:00

○

題名	SiC初期酸化過程の第一原理計算による検討
著者	神谷克政 (神奈川工科大学), 長川健太, 加藤重徳, 白川裕規, 遠藤賢太郎, 丸山翔太郎 (筑波大学), 白石賢二 (名古屋大学)
Title	First-Principles Study on Initial Oxidation of SiC
Author	Masakatsu Kamiya (Kanagawa Institute of Technology), Kenta Chokawa, Shigenori Kato, Hiroki Shirakawa, Kentaro Endo, Syotaro Maruyama (University of Tsukuba), Kenji Shiraishi (Nagoya University)
ページ	pp. 107 - 109

16:00-16:20

題名	SiC熱酸化膜MOS構造における特徴的な絶縁破壊痕の解析とモデル化
著者	佐藤創志 (東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター), 廣井佑紀, 山部紀久夫 (筑波大学大学院数理物質科学研究科), 北畠真 (次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構新材料パワー半導体研究開発センター), 遠藤哲郎, 丹羽正昭 (東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター)
Title	Model of Characteristic Concaves Formed by Dielectric Breakdown of Silicon Carbide MOS Capacitors
Author	Soshi Sato (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University), Yuki Hiroi, Kikuo Yamabe (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Makoto Kitabatake (R&D Partnership for Future Power Electronics Technology), Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University)
ページ	pp. 111 - 114

16:20-16:40

題名	FLA法を用いて作製した短チャネル多結晶Ge p-/n-MOSFETの実証
著者	臼田宏治, 鎌田善己, 上牟田雄一, 森貴洋, 小池正浩, 手塚勉 ((独)産総研-GNC)
Title	Demonstration of Poly-Ge Short Channel p- and n-MOSFETs Fabricated by Flash Lamp Annealing
Author	Koji Usuda, Yoshiki Kamata, Yuuichi Kamimuta, Takahiro Mori, Masahiro Koike, Tsutomu Tezuka (GNC, AIST)
ページ	pp. 115 - 118

休憩

16:55-17:15

安田賞・服部賞表彰式

17:15-17:25

最優秀ポスター講演

17:25-17:35

閉会

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2014年1月24日(金) 20:20-22:20)

【ゲート絶縁膜】

題名	Ti被着により酸素引き抜きを行った多結晶HfO₂膜の電気的特性
著者	門馬久典, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学)
Title	Electrical Characteristics of Polycrystalline HfO₂ Films Drawing the Oxygen Vacancies by Ti Deposition
Author	Hisanori Momma, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (University of Tsukuba)
ページ	pp. 119 - 122

題名	High-k/SiO₂ 界面のダイポール層がチャネル内電界に与える影響
著者	橋口誠広, 栗山亮, 志村昂亮, 高橋隆介 (早大理工), 小椋厚志 (明大理工, JST-CREST), 佐藤真一 (兵庫県立大, JST-CREST), 渡邉孝信 (早大理工, 早大ナノ機構, JST-CREST)
Title	Impact of High-k/SiO₂ Interfacial Dipole on Electrostatic Filed in Channel
Author	Masahiro Hashiguchi, Ryo Kuriyama, Kosuke Shimura, Ryusuke Takahashi (Waseda Univ.), Atsushi Ogura (Meiji Univ., JST-CREST), Shinichi Satoh (Univ. of Hyogo, JST-CREST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ., Waseda-INN, JST-CREST)
ページ	pp. 123 - 126

題名	極薄膜RuO₂膜の実効仕事関数
著者	山本逸平 (芝浦工業大学), 生田目俊秀 (物質・材料研究機構), Katareeya Taweesup (Chulalongkorn University), 高橋誠, 伊藤和博 (大阪大学), 大井暁彦, 知京豊裕 (物質・材料研究機構), 大石知司 (芝浦工業大学)
Title	Effective Work Function of Ultra-Thin RuO₂ Film
Author	Ippei Yamamoto (Shibaura Institute of Technology), Toshihide Nabatame (National Institute for Materials Science), Taweesup Katareeya (Chulalongkorn University), Makoto Takahashi, Kazihiro Ito (Osaka University), Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyo (National Institute for Materials Science), Tomoji Ohishi (Shibaura Institute of Technology)
ページ	pp. 127 - 130

題名	MOCVD法により形成した極薄GeO₂を用いた Al₂O₃/GeO_x/Ge構造の電気的特性および構造評価
著者	吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明 (名古屋大学工学研究科)
Title	Characterization of Electrical and Structural Properties of Al₂O₃/GeO_x/Ge Structure Using Ultra Thin GeO₂ Formed by MOCVD Method
Author	Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 131 - 134

【ゲートスタック形成技術】

題名	ルチル型TiO₂緩衝層を用いたHigh-k/Ge界面構造制御に関する研究
著者	長田貴弘 (物質・材料研究機構), 小橋和義 (明治大学), 生田目俊秀, 山下良之 (物質・材料研究機構), 小椋厚志 (明治大学), 知京豊裕 (物質・材料研究機構)
Title	Interface Engineering of High-k/Ge Gate Stack Structure by Rutile TiO₂ Buffer Layer
Author	Takahiro Nagata (National Institute for Materials Science), Kazuyoshi Kobashi (Meiji University), Toshihide Nabatame, Yoshiyuki Yamashita (National Institute for Materials Science), Atsushi Ogura (Meiji University), Toyohiro Chikyow (National Institute for Materials Science)
ページ	pp. 135 - 138

題名	HfO₂/TaGe_xO_y絶縁膜を用いたGe-MISキャパシタにおける熱処理効果
著者	橋本邦明 (広島大学大学院先端物質科学研究科), 大田晃生 (名古屋大学), 村上秀樹, 小野貴寛, 東清一郎 (広島大学大学院先端物質科学研究科), 宮崎誠一 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Impact of Post-Metallization Annealing on Chemical Structures in Ge-MIS Capacitors with HfO₂/TaGe_xO_y Dielectrics
Author	Kuniaki Hashimoto (Grad. School of AdSM, Hiroshima University), Akio Ohta (Nagoya University), Hideki Murakami, Takahiro Ono, Seiichiro Higashi (Grad. School of AdSM, Hiroshima University), Seiichi Miyazaki (Grad. School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 139 - 142

題名	PE-ALD法で作製したAl₂O₃絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性の変化
著者	栗島一徳 (明治大学), 生田目俊秀, 清水麻希, 相川慎也, 塚越一仁, 大井暁彦, 知京豊裕 (物質・材料研究機構), 小椋厚志 (明治大学)
Title	Electrical Properties of IGZO-TFT with Al₂O₃ Gate Insulators by PE-ALD Method
Author	Kazunori Kurishima (Meiji University), Toshihide Nabatame, Maki Shimizu, Shinya Aikawa, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyo (National Institute for Materials Science), Atsushi Ogura (Meiji University)
ページ	pp. 143 - 146

Title	Al ₂O₃ Gate Dielectric Formed by Novel Solution-Process Method for Graphene Field Effect Transistors
Author	Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiich Otsuji, Maki Suemitsu (Tohoku University)
ページ	pp. 147 - 149

題名	プラズマ支援原子層堆積法によるSiO₂低温成長機構に関する研究
著者	盧翌 (名古屋大学), 小林明子 (日本ASM), 石川健治, 近藤博基, 関根誠, 堀勝 (名古屋大学)
Title	In-situ ATR-FTIR Study on Reaction Mechanism of Low-Temperature Growth of SiO₂ Employing Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition
Author	Yi Lu (Nagoya University), Akiko Kobayashi (ASM Japan), Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori (Nagoya University)
ページ	pp. 151 - 154

題名	大気圧プラズマを用いたミスト化学気相堆積法によるSiO₂絶縁膜の低温形成
著者	孫昿達, 竹田圭吾, 石川健治, 近藤博基, 関根誠, 堀勝 (名古屋大学大学院・工学研究科)
Title	Formation of SiO₂ Films at Low-Temperature by Chemical Vapor-Mist Deposition Employed Atmospheric Pressure Plasmas
Author	Kuangda Sun, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 155 - 158

題名	ALD法を用いたLa₂O₃/In_0.53Ga_0.47As構造に及ぼす(NH₄)₂S表面処理の効果
著者	笠原大 (東京都市大学), 角嶋邦之 (東京工業大学総合理工学研究科), 岩井洋 (東京工業大学フロンティア研究機構), 野平博司 (東京都市大学)
Title	The Effect of (NH₄)₂S Surface Treatment on La₂O₃/In_0.53Ga_0.47As Using ALD
Author	Masaru Kasahara (Tokyo City University), Kuniyuki Kakushima (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology), Hiroshi Iwai (Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology), Hiroshi Nohira (Tokyo City University)
ページ	pp. 159 - 162

題名	金属性HfN/絶縁性HfN_xによる全窒化膜Geゲートスタックの研究
著者	三浦脩, 田中正俊 (横浜国立大学), 安田哲二, 前田辰郎 (産総研)
Title	Study of All Nitride Ge Gate Stack with Metal and Insulator HfN_x
Author	Shu Miura, Masatoshi Tanaka (Yokohama National University), Tetsuji Yasuda, Tatsuro Maeda (AIST)
ページ	pp. 163 - 166

【信頼性・ゆらぎ】

題名	極薄多結晶HfO₂膜を用いたMOSキャパシタにおける結晶粒界を流れるリーク電流の抽出
著者	戸村有佑, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学数理物質科学研究科), 右田真司 (産総研ナノエレクトロニクス研究部門)
Title	Extraction of Leakage Current through Grain Boundary in MOS Capacitor with Ultra Thin Polycrystalline HfO₂ Films
Author	Yusuke Tomura, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Inst. of Appl. Sci., University of Tsukuba), Shinji Migita (AIST NRI)
ページ	pp. 167 - 170

題名	高温下でのSiO₂膜の劣化評価
著者	滝ヶ浦佑介, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学数理物質科学研究科)
Title	SiO₂ Film Degradation at High Temperature
Author	Yusuke Takigaura, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Inst. of Appl. Sci., University of Tsukuba)
ページ	pp. 171 - 174

題名	実回路における回復効果
著者	森博子, 松山英也 (富士通セミコンダクター株式会社)
Title	Recovery Effect for Real Circuit Degradation
Author	Hiroko Mori, Hideya Matsuyama (FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED)
ページ	pp. 175 - 178

【評価・基礎物性】

題名	光電子エネルギー損失信号による極薄酸化物のエネルギーバンドギャップの決定手法の再検討
著者	大田晃生 (名古屋大学大学院工学研究科), 村上秀樹 (広島大学大学院先端物質科学研究科), 牧原克典, 宮崎誠一 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Progress in Determination Method of Ultrathin Oxide Bandgaps from Analysis of Energy Loss Signals for Photoelectrons
Author	Akio Ohta (Graduate School of Engineering, Nagoya University), Hideki Murakami (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 179 - 182

題名	Ge(100)基板への低温As⁺イオン注入による低抵抗浅接合形成
著者	小野貴寛, 村上秀樹 (広島大学大学院先端物質科学研究科), 大田晃生 (名古屋大学大学院工学研究科), 東清一郎 (広島大学大学院先端物質科学研究科), 宮崎誠一 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Fabrication of Low-Resistance Shallow Juntion by Low Temperature As⁺-Ion Implantation to Ge(100)
Author	Takahiro Ono, Hideki Murakami (Grad. School of AdSM, Hiroshima Univ.), Akio Ohta (Grad. School of Eng., Nagoya Univ.), Seiichiro Higashi (Grad. School of AdSM, Hiroshima Univ.), Seiichi Miyazaki (Grad. School of Eng., Nagoya Univ.)
ページ	pp. 183 - 186

題名	Siナノワイヤ形成プロセスがその後のNiシリサイド化反応速度に与える影響
著者	小杉山洋希, 鹿浜康寛, 山下広樹, 橋本修一郎, 武井康平, 孫静 (早大理工), 松川貴, 昌原明植 (産総研), 渡邉孝信 (早大理工)
Title	Impact of Si Nanowire Fabrication Process on Its Ni Silicidation Rate
Author	Hiroki Kosugiyama, Yasuhiro Shikahama, Hiroki Yamashita, Shuichiro Hashimoto, Kohei Takei, Jing Sun (Waseda University), Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda University)
ページ	pp. 187 - 190

題名	金属／Si界面における不純物原子の偏析過程の理論検討
著者	平松智記, 中山隆史 (千葉大学理学研究科)
Title	Theoretical Study on Segregation Processes of Inpurity Atoms at Metal/Si Interfaces
Author	Tomoki Hiramatsu, Takashi Nakayama (Graduate School of Science, Chiba University)
ページ	pp. 191 - 194

題名	Germanide/Ge界面におけるショットキーバリアの組成比依存性
著者	飯塚将太, 中山隆史 (千葉大学理学研究科)
Title	Stoichiometry Dependence of Schottky Barrier Height at Germanide/Ge Interfaces
Author	Shota Iizuka, Takashi Nakayama (Graduate School of Science, Chiba University)
ページ	pp. 195 - 196

題名	Silicon on Insulatorの超薄膜化プロセス、電子状態測定への試み
著者	小久井一樹, 武田さくら, 坂田智裕, アルトニケビンロケロアン, 竹内克行, 中尾敏臣, 前田昂平, 桃野浩樹, 北川幸佑, 久米田晴香, 大門寛, 堀田昌宏, 菱谷大輔 (奈良先端大物質創成), 佐野泰久 (大阪大学精密科学・応用物理学専攻)
Title	The Thinning Process and Attempt to Measurement of Electronic State of Silicon on Insulator
Author	Kazuki Kokui, Sakura Nishino Takeda, Tomohiro Sakata, Artoni Kevin Roquero Ang, Katsuyuki Takeuchi, Harushige Nakao, Kouhei Maeda, Hiroki Momono, Kousuke Kitagawa, Haruka Kumeda, Hiroshi Daimon, Masahiro Horita, Daisuke Hishitani (Materials Science, NAIST), Yasuhisa Sano (Department of Precision Science and Technology, Osaka University)
ページ	pp. 197 - 200

題名	HXPESによるFe₃ Si/Geヘテロ構造の評価
著者	櫻井拓也, 笹子知弥 (東京都市大学), 山田晋也, 笠原健司, 浜屋宏平, 宮尾正信 (九州大学), 澤野憲太郎, 野平博司 (東京都市大学)
Title	HXPES Study of Fe₃ Si/Ge Hetero Structure
Author	Takuya Sakurai, Tomoya Sasago (Tokyo City University), Shinya Yamada, Kenji Kasahara, Kohei Hamaya, Masanobu Miyao (Kyushu University), Kentarou Sawano, Hiroshi Nohira (Tokyo City University)
ページ	pp. 201 - 204

【新分野 (新材料，パワーデバイス，その他)】

題名	Al₂O₃/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性
著者	田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明 (名古屋大学)
Title	Electrical Properties Near Conduction Band Edge at Al₂O₃/SiC MOS Structures
Author	Noriyuki Taoka, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya University)
ページ	pp. 205 - 208

題名	NF₃添加酸化によるSiO₂/SiC(0001)界面の安定化
著者	名越政仁, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学数理物質科学研究科)
Title	Stabilization of SiO₂/SiC(0001) Interface by NF₃ Added Oxidation
Author	Masahito Nagoshi, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Inst. of Appl. Sci., University of Tsukuba)
ページ	pp. 209 - 212

題名	4H-SiC(0001)面の酸化過程の動的シミュレーション：Si面とC面
著者	小山洋, 山崎隆浩, 奈良純 (（独）物質・材料研究機構/理論計算科学ユニット), 清水達雄 (東芝研究開発センター), 大野隆央 (（独）物質・材料研究機構/理論計算科学ユニット)
Title	Molecular Dynamics Simulations for Oxidation Processes of 4H-SiC(0001): Si and C Surfaces
Author	Hiroshi Koyama, Takahiro Yamasaki, Jun Nara (NIMS/Computational Materials Science Unit), Tatsuo Shimizu (Toshiba Corporate Research & Development Center), Takahisa Ohno (NIMS/Computational Materials Science Unit)
ページ	pp. 213 - 216

題名	室温近傍でのプラズマ酸化を援用したSiC表面上への低欠陥グラフェン成長
著者	齋藤直樹, 今福亮斗, 西川央明, 川合健太郎, 佐野泰久, 森田瑞穂, 有馬健太 (大阪大学)
Title	Pit-free Graphene Growth on SiC Surface Assisted by Plasma Oxidation at Near Room Temperature
Author	Naoki Saito, Akito Imafuku, Hiroaki Nishikawa, Kentaro Kawai, Yasuhisa Sano, Mizuho Morita, Kenta Arima (Osaka Univ.)
ページ	pp. 217 - 220

題名	4H-SiC表面におけるNO初期酸化過程の理論的検討
著者	遠藤賢太郎, 丸山翔太郎, 加藤重徳, 長川健太, 神谷克政 (筑波大学), 白石賢二 (名古屋大学)
Title	Theoretical Studies on NO Initial Oxidation Process of 4H-SiC Surfaces
Author	Kentaro Endo, Syotaro Maruyama, Shigenori Kato, Kenta Chokawa, Katsumasa Kamiya (University of Tsukuba), Kenji Shiraishi (Nagoya University)
ページ	pp. 221 - 224

題名	ラジカル窒化処理したSiO₂/4H-SiCの窒素分布のXPSによる評価
著者	岡田葉月 (東京都市大学), 高嶋明人, 室隆桂之 ((公) 高輝度光科学研究センター), 野平博司 (東京都市大学)
Title	The XPS Study on Depth Profile of N Atom in Oxynitride Film Formed on 4H-SiC by Radical Nitridation
Author	Hazuki Okada (Tokyo City University), Akito Takashima, Takayuki Muro (JASRI), Hiroshi Nohira (Tokyo City University)
ページ	pp. 225 - 228

題名	SiC(0001) Si面上でのエピタキシャルグラフェン成長初期過程における[11-20]ステップの役割
著者	影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司 (NTT物性科学基礎研究所), 永瀬雅夫 (徳島大学)
Title	Role of [11-20] Step in Initial Stage of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001) Si-Face
Author	Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation), Masao Nagase (The University of Tokushima)
ページ	pp. 229 - 232

題名	4H-SiC中の貫通螺旋転位の様々な構造
著者	山崎隆浩, 奈良純 (（独）物質・材料研究機構/理論計算科学ユニット), 甲賀淳一朗, 宇田毅 (（株）アスムス), 黒田明義, 南一生 (理化学研究所計算科学研究機構), 大野隆央 (（独）物質・材料研究機構/理論計算科学ユニット)
Title	Various Structures of Threading-Screw-Dislocations in 4H-SiC
Author	Takahiro Yamasaki, Jun Nara (NIMS/Computational Materials Science Unit), Junichiro Koga, Tsuyoshi Uda (ASMS), Akiyoshi Kuroda, Kazuo Minami (RIKEN AICS), Takahisa Ohno (NIMS/Computational Materials Science Unit)
ページ	pp. 233 - 235

【高移動度化技術・新構造ゲートスタック】

題名	高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出
著者	山堀俊太, 澤野憲太郎 (東京都市大学), 池永英司 (公益財団法人高輝度光科学研究センター), 白木靖寛, 野平博司 (東京都市大学)
Title	Detection of Effect of Uniaxial Strain on the Valence Band of SiGe by HXPES with High Spatial Resolution
Author	Shunta Yamahori, Kentarou Sawano (Tokyo City University), Eiji Ikenaga (Japan Synchrotron Radiation Research Institute), Yasuhiro Shiraki, Hiroshi Nohira (Tokyo City University)
ページ	pp. 237 - 240

題名	Pをイオン注入したGe基板の熱処理による結晶性の回復と活性化率の関係
著者	中村俊允, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明 (東京大学工学系研究科マテリアル工学専攻)
Title	Relationship between Activation Rate and Recovery of Crystallinity by Annealing of P-implanted Ge
Author	Toshimitsu Nakamura, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo)
ページ	pp. 241 - 244

【シミュレーション】

題名	酸化膜に覆われたナノワイヤ型Si結晶のフォノン分散関係に格子歪が及ぼす影響
著者	図師知文 (早稲田大学理工学術院、日本学術振興会特別研究員DC2), 志村昂亮 (早稲田大学理工学術院), 大毛利健治, 山田啓作 (筑波大学大学院数理物質学研究科), 渡邉孝信 (早稲田大学理工学術院)
Title	Lattice Strain Effect on Phonon Dispersion in Silicon Nanowire Covered with Oxide Film
Author	Tomofumi Zushi (Waseda University, JSPS Research Fellow), Kosuke Shimura (Waseda University), Kenji Ohmori, Keisaku Yamada (University of Tsukuba), Takanobu Watanabe (Waseda University)
ページ	pp. 245 - 248

題名	モンテカルロ法によるシリコンナノワイヤのフォノン輸送シミュレーション
著者	久木田健太郎, Indra Nur Adisusilo, 鎌倉良成 (大阪大学工学研究科)
Title	Monte Carlo Simulation of Phonon Transport in Silicon Nanowires
Author	Kentaro Kukita, Indra Nur Adisusilo, Yoshinari Kamakura (Osaka University)
ページ	pp. 249 - 252

題名	局所電気伝導率を用いたシリコンナノワイヤーの物性解析
著者	田川啓太郎, 瀬波大土, 立花明知 (京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
Title	Analysis of Silicon Nanowire with Local Electrical Conductivity
Author	Keitaro Tagawa, Masato Senami, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページ	pp. 253 - 256

題名	電子スピンに対する局所的トルクの理論的研究
著者	福田将大, 小木曽陽司, 瀬波大土, 立花明知 (京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
Title	Theoretical Study of the Local Torque for the Electron Spin
Author	Masahiro Fukuda, Yoji Ogiso, Masato Senami, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページ	pp. 257 - 260

応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 第19回研究会研究報告プログラム