「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第17回研究会)

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応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催
特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」
第17回研究会研究報告プログラム

論文リスト (口頭発表)

(「◎、○」印は招待講演)

2012年1月19日(木)

20:00-22:00

ショートコース：22nm以細対応立体チャネルFinFETデバイス技術（講師：独立行政法人産業技術総合研究所昌原明植）

2012年1月20日(金)

9:00-9:10

開会にあたって

9:10-10:00

◎

題名	つくばイノベーションアリーナと低消費電力デバイスの研究開発
著者	金山敏彦 (独立行政法人産業技術総合研究所)
Title	Tsukuba Innovation Arena and R&D of Ultra-Low Power Devices Therein
Author	Toshihiko Kanayama (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
ページ	pp. 1 - 3

10:00-10:30

○

題名	発熱を配慮した立体構造トランジスタの設計：バルクFinFETとSOI FinFETにおける自己加熱
著者	高橋綱己, 内田建 (東京工業大学)
Title	Thermal-Aware Device Design of Nanoscale Bulk/SOI FinFETs: Suppression of Operation Temperature and Its Variability
Author	Tsunaki Takahashi, Ken Uchida (Dept. Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
ページ	pp. 5 - 8

10:30-11:00

○

題名	トライゲート・Siナノワイヤトランジスタの高性能化技術
著者	沼田敏典 (株式会社東芝研究開発センター)
Title	High-performance Silicon Nanowire Transistors Techniques
Author	Toshinori Numata (Corporate Research & Development Center, Toshiba)
ページ	pp. 9 - 12

11:00-11:20

題名	横方向液相エピタキシャル成長により作製した単結晶GOI構造の電気特性評価
著者	鈴木雄一朗, 荻原伸平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Evaluation of the Electrical Properties of Single-Crystalline Ge-on-Insulator Structures Formed by Lateral Liquid-Phase Epitaxy
Author	Yuichiro Suzuki, Shimpei Ogiwara, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 13 - 16

11:20-11:40

題名	InGaAs MOSキャパシタにおける伝導帯内界面準位のC-V特性への影響
著者	田岡紀之, 横山正史, 金相賢, 鈴木麗菜, 飯田亮, 李成薫, 星井拓也 (東京大学), ジェバスワンウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二 (産業技術総合研究所), 市川磨, 福原昇, 秦雅彦 (住友化学), 竹中充, 高木信一 (東京大学)
Title	Influence of Interface Traps inside Conduction Band on C-V Characteristics of InGaAs MOS Capacitors
Author	Noriyuki Taoka, Masafumi Yokoyama, SangHyeon Kim, Rena Suzuki, Ryo Iida, Sunghoon Lee, Takuya Hoshii (The University of Tokyo), Wipakorn Jevasuwan, Tatsuro Maeda, Tetsuji Yasuda (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)), Osamu Ichikawa, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata (Sumitomo Chemical Co. Ltd.), Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (The University of Tokyo)
ページ	pp. 17 - 20

11:40-12:00

題名	ダイヤモンドライクカーボン薄膜をトップゲート絶縁膜としたグラフェンFET
著者	鷹林将 (東北大学電気通信研究所、JST-CREST), 楊猛, 小川修一, 高桑雄二 (東北大学多元物質科学研究所), 末光哲也, 尾辻泰一 (東北大学電気通信研究所、JST-CREST)
Title	Graphene-channel FET with a Diamondlike Carbon Top-gate Dielectric
Author	Susumu Takabayashi (RIEC, Tohoku University and JST-CREST), Meng Yang, Shuichi Ogawa, Yuji Takakuwa (IMRAM, Tohoku University), Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji (RIEC, Tohoku University and JST-CREST)
ページ	pp. 21 - 24

昼食

13:00-13:30

○

題名	3次元積層を可能にするPoly-Si MOS駆動の相変化メモリ
著者	笹子佳孝, 木下勝治, 峯邑浩行, 安齋由美子, 田井光春, 黒土健三, 森田精一, 高橋俊和, 高濱高, 森本忠雄, 峰利之, 島明生, 小林孝 (日立製作所中央研究所)
Title	Phase-change Memory Driven by Poly-Si MOS Transistor Enabling Three-dimensional Stacking
Author	Yoshitaka Sasago, Masaharu Kinoshita, Hiroyuki Minemura, Yumiko Anzai, Mitsuharu Tai, Kenzo Kurotsuchi, Seiichi Morita, Toshikazu Takahashi, Takashi Takahama, Tadao Morimoto, Toshiyuki Mine, Akio Shima, Takashi Kobayashi (Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.)
ページ	pp. 25 - 28

13:30-13:50

題名	64 kb強誘電体NANDフラッシュメモリアレイの作製と評価
著者	高橋光恵, ジャンシージェン (独立行政法人産業技術総合研究所), 竹内健 (国立大学法人東京大学), 酒井滋樹 (独立行政法人産業技術総合研究所)
Title	Fabrication and Operation of 64 kb Ferroelectric NAND Flash Memory
Author	Mitsue Takahashi, Xizhen Zhang (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Ken Takeuchi (The University of Tokyo), Shigeki Sakai (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
ページ	pp. 29 - 32

13:50-14:10

題名	TiO₂ベースの抵抗変化型メモリのON-OFF切り替え機構の提案
著者	Moon Young Yang, 神谷克政 (筑波大学数理物質科学研究科), Seong-Geon Park, Blanka Magyari-Köpe, 西義雄 (Department of Electrical Engineering, Stanford University), 丹羽正昭, 白石賢二 (筑波大学数理物質科学研究科)
Title	Proposal of ON-OFF Switching Mechanism of TiO₂-based ReRAM
Author	Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Seong-Geon Park, Blanka Magyari-Köpe, Yoshio Nishi (Department of Electrical Engineering, Stanford University), Masaaki Niwa, Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba)
ページ	pp. 33 - 36

14:10-14:40

○

題名	ナノワイヤを用いた量子ナノメモリ
著者	松本和彦, 前橋兼三, 大野恭秀, 上村崇史, 井上恒一 (大阪大学)
Title	Quantum Nanomemory using Carbon Nanotube
Author	Kazuhiko Matsumoto, Kenzo Maehashi, Yasuhide Ohno, Takafumi Kamimura, Koichi Inoue (Osaka University)
ページ	pp. 37 - 40

休憩

15:00-17:00

ポスターセッション

17:00-17:20

題名	金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調：第一原理計算による検討
著者	小日向恭祐, 中山隆史 (千葉大学理学研究科)
Title	Schottky-barrier Change by Structural Disorders at Metal/Si Interfaces: First-principle Study
Author	Kyosuke Kobinata, Takashi Nakayama (Chiba University, Department of Physics)
ページ	pp. 41 - 44

17:20-17:40

題名	Wet酸化時に形成される負の固定電荷に関する理論的検討
著者	海老原康裕, 長川健太, 加藤重徳, 吉崎智浩, 神谷克政, 白石賢二 (筑波大学大学院)
Title	Intrinsic Origin of Negative Fixed Charge in Wet Oxidation for Silicon Carbide
Author	Yasuhiro Ebihara, Kenta Chokawa, Shigenori Kato, Tomohiro Yoshizaki, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi (University of Tsukuba)
ページ	pp. 45 - 48

17:40-18:00

題名	SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン成長初期過程の理論検討
著者	影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司 (ＮＴＴ物性科学基礎研究所), 永瀬雅夫 (徳島大学)
Title	Theory on Initial Stage of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001)
Author	Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation), Masao Nagase (University of Tokushima)
ページ	pp. 49 - 52

18:00-20:00

夕食・懇親会

2012年1月21日(土)

8:30-9:00

○

題名	HfO ₂におけるcubic相からmonoclinic相への結晶相変態過程の速度論的解析
著者	中嶋泰大, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明 (東京大学工学系研究科マテリアル工学専攻)
Title	Kinetic Analysis of Crystallographic Phase Transformation Process from Cubic to Monoclinic Phase in HfO ₂
Author	Yasuhiro Nakajima, Koji Kita, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo)
ページ	pp. 53 - 56

9:00-9:20

題名	ALDと酸素制御cap-PDA法を用いた超薄EOT higher-k HfO₂ゲートスタックの形成
著者	森田行則, 右田真司, 水林亘, 太田裕之 (産総研)
Title	Fabrication of Extremely Scaled EOT Higher-k (k=40) HfO₂ Gate Stacks by ALD and Oxygen-controlled Cap PDA
Author	Yukinori Morita, Shinji Migita, Wataru Mizubayahi, Hiroyuki Ota (AIST)
ページ	pp. 57 - 60

9:20-9:40

題名	(TaC)_1-xAl_x/HfO₂ゲートスタックでV_fbシフトへ及ぼすAl原子の役割
著者	木村将之 (芝浦工業大学), 生田目俊秀 (物質・材料研究機構), 山田博之 (芝浦工業大学), 大井暁彦, 知京豊裕 (物質・材料研究機構), 大石知司 (芝浦工業大学)
Title	Role of Al Atoms in (TaC)_1-xAl_xon V_fb Shift for (TaC)_1-xAl_x/HfO₂ Gate Stack
Author	Masayuki Kimura (Shibaura Institute of Technology), Toshihide Nabatame (MANA Foundry and MANA Advanced Device Materials Group, National Institute for Materials Science), Hiroyuki Yamada (Shibaura Institute of Technology), Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow (MANA Foundry and MANA Advanced Device Materials Group, National Institute for Materials Science), Tomoji Ohishi (Shibaura Institute of Technology)
ページ	pp. 61 - 64

9:40-10:00

題名	Al/HfO₂/Al₂O₃/InGaAs-MISCAPにおける界面特性向上とEOT低減へ与えるAl₂O₃膜厚の影響
著者	小田穣, 入沢寿史, 上牟田雄一, 手塚勉 (産業技術総合研究所/連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター)
Title	The Impact of Al₂O₃ Inter-layer Thickness on a Reduction of EOT and an Improvement in Interfacial Characteristics of Al/HfO₂/Al₂O₃/InGaAs MISCAPs
Author	Minoru Oda, Toshifumi Irisawa, Yuuichi Kamimuta, Tsutomu Tezuka (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC))
ページ	pp. 65 - 68

10:00-10:20

題名	HfO₂エピタキシャル膜を埋め込み酸化膜層とするSOI構造の試作
著者	右田真司, 太田裕之 (産業技術総合研究所／グリーンナノエレクトロニクス研究センター)
Title	Fabrication of SOI Utilizing HfO₂ Epitaxial Film as Buried Oxide Layer
Author	Shinji Migita, Hiroyuki Ota (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/Green Nanoelectronics Center)
ページ	pp. 69 - 72

休憩

10:40-11:10

○

題名	デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解
著者	東悠介, 百々信幸, 百瀬寿代, 大黒達也, 松澤一也 (株式会社東芝研究開発センター)
Title	Comprehensive Understanding of Random Telegraph Noise with Physics Based Simulation
Author	Yusuke Higashi, N. Momo, H. S. Momose, T. Ohguro, K. Matsuzawa (Corporate R&D Center, Toshiba Corporation)
ページ	pp. 73 - 76

11:10-11:30

題名	第一原理分子軌道計算を用いた欠陥を持つSiO₂の絶縁破壊電界の推定
著者	関洋 (慶応義塾大学大学院), 渋谷寧浩 (東京都市大学大学院), 小林大輔 (宇宙研), 野平博司 (東京都市大学), 泰岡顕治 (慶応義塾大学), 廣瀬和之 (宇宙研)
Title	Estimation of Breakdown Electric-Field Strength of Defective Silicon Dioxide Gate Dielectrics Using First-Principles Molecular Orbital Calculation Technique
Author	Hiroshi Seki (Keio University), Yasuhiro Shibuya (Tokyo City University), Daisuke Kobayashi (ISAS/JAXA), Hiroshi Nohira (Tokyo City University), Kenji Yasuoka (Keio University), Kazuyuki Hirose (ISAS/JAXA)
ページ	pp. 77 - 80

11:30-11:50

題名	GAA型ナノワイヤチャネルにおける酸化膜トラップ電荷誘起の電流変動：EMC/MDシミュレーションによる検討
著者	神岡武文, 今井裕也 (早稲田大学), 鎌倉良成 (大阪大学), 大毛利健治, 白石賢二, 丹羽正昭, 山田啓作 (筑波大学), 渡邉孝信 (早稲田大学)
Title	Current Variability in Gate-All-Around Nanowire Channels Induced by an Oxide-Trap Charge Studied with Ensemble Monte Carlo/Molecular Dynamics Simulation
Author	Takefumi Kamioka, Hiroya Imai (Waseda University), Yoshinari Kamakura (Osaka University), Kenji Ohmori, Kenji Shiraishi, Masaaki Niwa, Keisaku Yamada (University of Tsukuba), Takanobu Watanabe (Waseda University)
ページ	pp. 81 - 84

昼食

13:00-14:00

フォーカスセッション

題名	ランタン酸化膜を用いたhigh-k/Si直接接合
著者	角嶋邦之、川那子高暢、岩井洋 (東京工業大学)
Title	Direct contact of High-k/Si with La₂O₃
Author	K. Kakushima, T. Kawanago, H. Iwai (Tokyo Institute of Technology)

14:00-14:30

○

題名	ダイヤモンド半導体の特異な物性とデバイス開発
著者	山崎聡 (（独）産業技術総合研究所)
Title	Unique Properties of Diamond and its Applications
Author	Satoshi Yamasaki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
ページ	pp. 85 - 88

14:30-14:50

題名	Sub-μmサイズひずみSOI層の液浸Ramanによる異方性ひずみ緩和評価
著者	臼田宏治, 手塚勉 (産総研グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(GNC)), 小瀬村大亮, 富田基裕, 小椋厚志 (明治大学)
Title	Evaluation of Anisotropic Strain Relaxation in Sub-µm SSOI Mesa Structure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
Author	Koji Usuda, Tsutomu Tezuka (Green Nanoelectronics Collaborative Research Center, AIST), Daisuke Kosemura, Motohiro Tomita, Atsushi Ogura (Meiji University)
ページ	pp. 89 - 92

14:50-15:10

題名	Ge熱酸化-酸化温度が熱酸化膜構造に及ぼす影響
著者	大田晃生, シティクディニサハリ, 池田弥央, 松井真史, 三嶋健人, 村上秀樹, 東清一郎 (広島大学大学院先端物質科学研究科), 宮崎誠一 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Thermal Oxidation of Ge Surface - Impact of Oxidation Temperature on Ge Oxide Structure
Author	Akio Ohta, Siti Kudini Sahari, Mitsuhisa Ikeda, Masafumi Matsui, Kento Mishima, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Seiichi Miyazaki (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 93 - 96

15:10-15:30

題名	ゲルマニウム熱酸化膜中の残留秩序構造
著者	志村考功, 下川大輔, 松宮拓也, 細井卓冶, 渡部平司 (大阪大学)
Title	Residual Order in the Thermally Oxidized Thin Film on Ge Substrates
Author	Takayoshi Shimura, Daisuke Shimokawa, Takuya Matsumiya, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe (Osaka University)
ページ	pp. 97 - 100

15:30-15:50

題名	湿度制御雰囲気下でのin-situ XPSによるGeO₂表面における吸着水形成過程の観測
著者	有馬健太, 村敦史, 秀島伊織, 細井卓治, 渡部平司 (大阪大学/大学院工学研究科), Zhi Liu (ローレンスバークレー国立研究所)
Title	Water Growth on GeO₂ Surface Revealed by In-situ XPS under Controlled Relative Humidity
Author	Kenta Arima, Atsushi Mura, Iori Hideshima, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University), Zhi Liu (Lawrence Berkeley National Laboratory)
ページ	pp. 101 - 104

休憩

16:10-16:30

安田賞・服部賞表彰式

16:30-16:50

最優秀ポスター講演

16:50-17:00

閉会にあたって

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2012年1月20日(金) 15:00-17:00)

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名	ALD-La₂O₃とCVD-CeO₂の積層構造形成と移動度改善効果
著者	幸田みゆき, 鈴木拓也 (産総研、東工大フロンティア研), 角嶋邦之 (東工大総工), Parhat Ahmet, 岩井洋 (東工大フロンティア研), 安田哲二 (産総研)
Title	Stack Structures of ALD-La₂O₃ and CVD-CeO₂: Fabrication and Mobility Improvement Effects
Author	Miyuki Kouda, Takuya Suzuki (AIST,Tokyo Tech. FRC), Kuniyuki Kakushima (IGSSE), Parhat Ahmet, Hiroshi Iwai (Tokyo Tech. FRC), Tetsuji Yasuda (AIST)
ページ	pp. 105 - 108

題名	TiN電極の減圧表面酸化処理によるpoly-Si/TiN/HfSiO/SiO₂ゲートスタックの実効仕事関数制御
著者	力石薫介 (大阪大学大学院工学研究科), 北野尚武 (キヤノンアネルバ（株）), 有村拓晃, 細井卓治, 志村考功 (大阪大学大学院工学研究科), 中川隆史 (キヤノンアネルバ（株）), 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Effective Work Function Control of Poly-Si/TiN/HfSiO/SiO₂ Gate Stacks by in situ Low-pressure Oxidation of TiN Electrode Surface
Author	Keisuke Chikaraishi (Graduate School of Engineering, Osaka University), Naomu Kitano (Canon ANELVA Corporation), Hiroaki Arimura, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura (Graduate School of Engineering, Osaka University), Takashi Nakagawa (Canon ANELVA Corporation), Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 109 - 112

題名	第一原理計算によるHfO₂/SiO₂/Si界面原子構造の予測
著者	小嶋隆史, 小野倫也 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	First-Principles Study on Electronic Structure of HfO₂/SiO₂/Si Interfaces
Author	Takashi Kojima, Tomoya Ono (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 113 - 116

題名	第一原理計算によるHf_0.5Ti_0.5O₂の誘電特性評価
著者	萩原敦, 中村淳 (電通大院先進理工)
Title	First-principles Evaluation for Dielectric Properties of Hf_0.5Ti_0.5O₂
Author	Atsushi Hagiwara, Jun Nakamura (Department of Engineering Sciences, The Univ. of Electro-Communications(UEC-Tokyo))
ページ	pp. 117 - 120

題名	HfO₂/Ge界面へのTaO_x層挿入による界面反応制御
著者	三嶋健斗, 村上秀樹, 大田晃生, 橋本邦明, 東清一郎 (広島大学大学院先端物質科学研究科), 宮崎誠一 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Control of Interfacial Reaction by TaO_x Insertion to HfO₂/Ge Interfaces
Author	Kento Mishima, Hideki Murakami, Akio Ohta, Kuniaki Hashimoto, Seiichiro Higashi (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Seiichi Miyazaki (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 121 - 124

題名	ラジカルプロセスによるAl₂O₃/Ge界面特性の改善
著者	加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Improvement of Al₂O₃/Ge Interfacial Properties by Radical Process
Author	Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 125 - 128

題名	Al₂O₃/Geに対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果
著者	柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Effect of O₂ Annealing on Electrical Properties and Chemical Bonding States of Al₂O₃/Ge Structure
Author	Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 129 - 132

【形成・評価・基礎物性】

題名	高指数Si表面の水素終端構造と絶縁膜形成
著者	兼村瑠威 (横浜国立大学), 西澤正泰 (産総研), 大野真也, 田中正俊 (横浜国立大学), 安田哲二 (産総研)
Title	Hydrogen Termination of High-index Si Surfaces and Its Effect on Insulator
Author	Rui Kanemura (Yokohama National University), Masayasu Nishizawa (AIST), Shinya Ohno, Masatoshi Tanaka (Yokohama National University), Tetsuji Yasuda (AIST)
ページ	pp. 133 - 136

題名	初期SiO₂膜形成における準安定吸着酸素の役割の解明：Si(111)7×7とSi(001)2×1の比較
著者	唐佳芸, 西本究, 小川修一, 高桑雄二 (東北大学)
Title	Role of Metastable Adsorbed Oxygen in Initial SiO₂ Growth: Comparison between Si(111) 7×7 and Si(001)2×1 Surfaces
Author	JiaYi Tang, Kiwamu Nishimoto, Shuichi Ogawa, Yuji Takakuwa (Tohoku University)
ページ	pp. 137 - 140

題名	酸素ラジカルと酸素分子用いて形成したSiO₂/Si界面における構造遷移層の解明
著者	諏訪智之 (東北大学未来科学技術共同研究センター), 熊谷勇喜 (東北大学大学院工学研究科), 寺本章伸 (東北大学未来科学技術共同研究センター), 木下豊彦, 室隆桂之 (高輝度光科学研究センター), 須川成利, 服部健雄, 大見忠弘 (東北大学未来科学技術共同研究センター)
Title	Difference between the Chemical Structure of SiO₂/Si Interface Formed Using Oxygen Radicals and That Formed Using Oxygen Molecules
Author	Tomoyuki Suwa (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University), Yuki Kumagai (Graduate School of Engineering, Tohoku University), Akinobu Teramoto (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University), Toyohiko Kinoshita, Takayuki Muro (Japan Synchrotron Radiation Research Institute), Shigetoshi Sugawa, Takeo Hattori, Tadahiro Ohmi (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University)
ページ	pp. 141 - 144

題名	Si MOSキャパシタのコンダクタンス測定における表面ポテンシャル揺らぎの実験的評価
著者	シンサンフン, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一 (東京大学大学院工学系研究科)
Title	Experimental Characterization of Surface Potential Fluctuation in Conductance Measurement of Si Capacitors
Author	SangHoon Shin, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (School of Engineering, The University of Tokyo)
ページ	pp. 145 - 148

題名	熱処理による不純物濃度分布と反転層中の電子状態への影響
著者	坂田智裕, 武田さくら, 安田馨, 広田望, Nur Idayu, 田畑裕貴, 松岡弘憲, 森田誠 (奈良先端科学技術大学院大学), 手塚勉, 片山俊治, 吉丸正樹 (半導体理工学研究センター), 山谷寛, 大門寛 (奈良先端科学技術大学院大学)
Title	Effect of the Flash Annealing on the Impurity Distribution and the Electronic Structure in Inversion Layer
Author	Tomohiro Sakata, S. N. Takeda, Kaoru Yasuda, Nozomu Hirota, Nur Idayu Ayob, Hiroki Tabata, Hironori Matsuoka, Makoto Morita (Nara Institute of Science and Technology), Tsutomu Tezuka, Toshiharu Katayama, Masaki Yoshimaru (Semiconductor Technology Academic Research Center), Hiroshi Yamatani, Hiroshi Daimon (Nara Institute of Science and Technology)
ページ	pp. 149 - 152

題名	モンテカルロ法によるSiナノ構造中のフォノン輸送解析
著者	久木田健太郎, 鎌倉良成 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Analysis of Phonon Transport in Silicon Nanostructures Based on Monte-Carlo Method
Author	Kentaro Kukita, Yoshinari Kamakura (Graduated School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 153 - 156

題名	第一原理計算を用いたSiO₂多形の静的誘電率推定
著者	渋谷寧浩 (東京都市大工宇宙研), 小林大輔 (宇宙研), 野平博司 (東京都市大工), 廣瀬和之 (宇宙研)
Title	Estimation Method for Static Dielectric Constants of Polymorphic Forms of Silicon Dioxide with a First-principles Calculation System
Author	Yasuhiro Shibuya (Tokyo City Univ. , ISAS/JAXA), Daisuke Kobayashi (JAXA), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.), Hirose Kazuyuki (JAXA)
ページ	pp. 157 - 160

題名	Si/SiO₂界面酸化過程の可変電荷分子動力学シミュレーション
著者	高橋憲彦, 山崎隆浩, 金田千穂子 (富士通研究所)
Title	Molecular Dynamics Study of Oxidation Process in Si/SiO₂ System
Author	Norihiko Takahashi, Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta (FUJITSU LABORATORIES LTD.)
ページ	pp. 161 - 164

題名	HfO₂膜中の結晶/アモルファス界面近傍欠陥とリーク電流
著者	蓮沼隆, 宮本雄太, 下田恭平, 上殿明良, 山部紀久夫 (筑波大学)
Title	Defects at Crystal/amorphous Boundaries in HfO₂ Films and Leakage current
Author	Ryu Hasunuma, Yuuta Miyamoto, Kyouhei Shimoda, Akira Uedono, Kikuo Yamabe (University of Tsukuba)
ページ	pp. 165 - 168

題名	熱処理による金属/GeO₂界面化学構造変化－X線光電子分光分析
著者	松井真史, 大田晃生, 村上秀樹, 小野貴寛, 東清一郎 (広島大学大学院先端物質科学研究科), 宮崎誠一 (名古屋大学)
Title	XPS Study of Changes in Chemical Structures at Metal/GeO₂ Interfaces with Thermal Annealing
Author	Masafumi Matsui, Akio Ohta, Hideki Murakami, Takahiro Ono, Seiichiro Higashi (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Seiichi Miyazaki (Nagoya University)
ページ	pp. 169 - 172

題名	第一原理計算によるGeO₂/Ge(001)界面原子構造と電子状態の解析
著者	齊藤正一朗, 小野倫也 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	First-Principles Study on Atomic and Electronic Structure of GeO₂/Ge(001) Interfaces
Author	Shoichiro Saito, Tomoya Ono (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 173 - 176

題名	種々の表面処理によるIn_0.53Ga_0.47As表面の化学結合状態の角度分解光電子分光法による評価
著者	沼尻侑也, 山下晃司, 小松新 (東京都市大学), ザデダリューシュ (東京工業大学フロンティア研究機構), 角嶋邦之 (東京工業大学大学院総合理工学研究科), 岩井洋 (東京工業大学フロンティア研究機構), 野平博司 (東京都市大学)
Title	AR-XPS Study on Chemical Bounding State of In_0.53Ga_0.47 Surface treated by Various Surface Treatments
Author	Yuya Numajiri, Kouji Yamashita, Arata Komatsu (Tokyo City University), Zade Darius (Frontier Research Center Tokyo Institute of Technology), Kuniyuki Kakushima (Graduate School of Science and Engineering Tokyo Institute of Technology), Hiroshi Iwai (Frontier Research Center Tokyo Institute of Technology), Hiroshi Nohira (Tokyo City University)
ページ	pp. 177 - 180

題名	熱酸化に伴うSiO₂/4H-SiC(0001)表面および界面ラフネス増加
著者	深澤辰哉 (筑波大学), 小杉亮治, 石田夕起 (産業技術総合研究所), 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学)
Title	Roughness Growth at SiO₂/4H-SiC(0001) Surface and Interface during Thermal Oxidation
Author	Tatsuya Fukasawa (University of Tsukuba), Ryoji Kosugi, Yuuki Ishida (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (University of Tsukuba)
ページ	pp. 181 - 184

題名	4H-SiC表面のNO初期酸化過程の第一原理計算による検討
著者	加藤重徳 (筑波大学理工学群物理学類白石・岡田研究室), 海老原康裕, 吉崎智浩 (筑波大学数理物質研究科物質創成先端科学専攻), 長川健太 (筑波大学理工学群物理学類), 神谷克政, 白石賢二 (筑波大学数理物質研究科物質創成先端科学専攻)
Title	First-Principles Analysis of NO Initial Oxidation Process of 4H-SiC Surfaces
Author	Shigenori Kato, Yasuhiro Ebihara, Tomohiro Yoshizaki, Kenta Chokawa, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi (University of Tsukuba)
ページ	pp. 185 - 188

題名	第一原理計算による4H-SiC表面の初期酸化過程の考察
著者	長川健太, 加藤重徳, 海老原康裕, 吉崎智浩, 神谷克政, 白石賢二 (筑波大学物理学専攻)
Title	First Principle Analysis of the Initial Oxidation Process of 4H-SiC Surfaces
Author	Kenta Chokawa, Shigenori Kato, Yasuhiro Ebihara, Tomonori Yoshizaki, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi (Institute of Physics, University of Tsukuba)
ページ	pp. 189 - 192

題名	熱酸化における4H-SiCの欠陥の理論的検討
著者	吉崎智浩, 海老原康裕, 長川健太, 加藤重徳, 神谷克政, 白石賢二 (筑波大学大学院数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻)
Title	Theoretical Studies on Defects in 4H-SiC during Thermal Oxidation
Author	Tomohiro Yoshizaki, Yasuhiro Ebihara, Kenta Choukawa, Shigenori Kato, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi (University of Tsukuba, Graduate School of Pure and Applied Sciences)
ページ	pp. 193 - 195

題名	不純物を含むシリコンナノワイヤの局所的な電気伝導率
著者	池田裕治, 瀬波大土, 立花明知 (京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
Title	Local Electrical Conductivity of Silicon Nanowires with Impurities
Author	Yuji Ikeda, Masato Senami, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University, Kyoto 606-8501, Japan)
ページ	pp. 197 - 200

題名	トップゲート型グラフェン・チャネルFETのゲートスタック用炭素系絶縁膜の合成プロセスの開発
著者	楊猛, 小川修一, 鷹林将, 尾辻泰一, 高桑雄二 (東北大学)
Title	Development of the Synthesis Process of Carbon-based Insulator Films for Top-gate Graphene-channel FET Gate Stack
Author	Meng Yang, Shuichi Ogawa, Susumu Takabayashi, Taiichi Otsuji, Yuji Takakuwa (Tohoku University)
ページ	pp. 201 - 204

【高移動度化技術・新構造ゲートスタック】

題名	立体化によるショットキー障壁トンネルFETの性能向上
著者	鹿浜康寛, 川村祐士, 山下広樹, 神岡武文, 渡邉孝信 (早大理工)
Title	Improved Device Performance of the Schottky Barrier Tunnel FET by 3D Structuring
Author	Yasuhiro Shikahama, Yuji Kawamura, Hiroki Yamashita, Takefumi Kamioka, Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページ	pp. 205 - 208

題名	DIWによるGe表面ラフネスの制御とGe/GeO₂界面の電気特性における影響
著者	李忠賢, 西村知紀, 田畑俊行, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明 (東京大学 / マテリアル工学)
Title	Control of Surface Roughness on Ge by Deionized Water and Its Effects on Electrical Properties in Ge/GeO₂ MOS Interface
Author	Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Toshiyuki Tabata, Kosuke Nagashio, Koji Kita, Akira Toriumi (The University of Tokyo, Department of Materials Engineering)
ページ	pp. 209 - 212

題名	Ge ショットキー・MIS トンネル接合におけるフェルミレベルピンニング
著者	西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明 (東京大学大学院工学系研究科)
Title	Fermi Level Pinning in Ge Schottky and MIS Tunnel Junctions
Author	Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Koji Kita, Akira Toriumi (The University of Tokyo)
ページ	pp. 213 - 216

【メモリ技術】

題名	リステリアフェリチンを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製
著者	上武央季, 小原孝介, 上沼睦典, 鄭彬, 石河泰明, 山下一郎, 浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大学)
Title	Nanodot-Type Floating Gate Memory with High-Density Nanodot Array Formed Utilizing Listeria Ferritin
Author	Hiroki Kamitake, Kosuke Ohara, Mutsunori Uenuma, Bin Zheng, Yasuaki Ishikawa, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka (Nara Institute of Science and Technology)
ページ	pp. 217 - 220

題名	RFスパッタで形成したSiリッチ酸化薄膜の化学構造分析と抵抗変化特性評価
著者	大田晃生, 後藤優太, 西垣慎吾, 村上秀樹, 東清一郎 (広島大学大学院先端物質科学研究科), 宮崎誠一 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Evaluation of Chemical Structure and Resistance-Switching Properties of RF Sputtered Si-rich Oxide Thin Films
Author	Akio Ohta, Yuta Goto, Shingo Nishigaki, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Seiichi Miyazaki (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 221 - 224

題名	酸化タンタルナノ粒子を用いた抵抗変化メモリの作製
著者	番貴彦, 柿原康弘, 上沼睦典, 鄭彬, 石河泰明, 山下一郎, 浦岡行治 (奈良先端大/物質創成科学研究科)
Title	Fabrication of Resistive Memory using Ta-oxide Nano-particles
Author	Takahiko Ban, Yasuhiro Kakihara, Mutsunori Uenuma, Bin Zheng, Yasuaki Ishikawa, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka (Nara Institute of Science and Technology/ Graduate School of Materials Science)
ページ	pp. 225 - 228

【その他】

題名	酸化還元熱処理によるITO/HfO₂ キャパシタのV_fbシフトとITO膜の物性との関係
著者	山田博之 (芝浦工業大学), 生田目俊秀 (物質・材料研究機構), 木村将之 (芝浦工業大学), 大井暁彦, 知京豊裕 (物質・材料研究機構), 大石知司 (芝浦工業大学)
Title	Correlation between Physical Properties of ITO Films and V_fb Shift in ITO/HfO₂ Capacitors by Redox Annealing
Author	Hiroyuki Yamada (Shibaura Institute of Technology), Toshihide Nabatame (National Institute for Materials Science), Masayuki Kimura (Shibaura Institute of Technology), Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow (National Institute for Materials Science), Tomoji Ohishi (Shibaura Institute of Technology)
ページ	pp. 229 - 232

題名	high-k / SiO₂ 界面におけるダイポール形成が太陽電池表面キャリア再結合に与える影響
著者	池野成裕, 立花福久 (明治大学/半導体ナノテクノロジー研究室), 長田貴弘 (物質・材料研究機構/半導体デバイス材料グループ), Lee Hyunju (明治大学/半導体ナノテクノロジー研究室), 小椋厚志 (明治大学/ 半導体ナノテクノロジー研究室), 知京豊裕 (物質・材料研究機構/ 半導体デバイス材料グループ)
Title	Effects of Dipole Formation on Surface Carrier Recombination at the high-k / SiO₂ Interface for Application of Solar Cells
Author	Norihiro Ikeno, Tomihisa Tachibana (Meiji University/ Nano-technology Laboratory), Takahiro Nagata (National Institute for Materials Science/ Advanced Device Materials group), Hyunju Lee, Atsushi Ogura (Meiji University/ Nano-technology Laboratory), Toyohiro Chikyow (National Institute for Materials Science/ Advanced Device Materials group)
ページ	pp. 233 - 236

応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 第17回研究会研究報告プログラム