「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第16回研究会)

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応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催
特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」
第16回研究会研究報告プログラム

論文リスト (口頭発表)

(「◎、○」印は招待講演)

2011年1月20日(木)

併設開催の国際会議 IWDTF-11 初日

2011年1月21日(金)

基調講演 I (IWDTF-11合同開催)

13:10-14:00

◎

Title	Changing Paradigm for Advanced Gate Stack Evaluation: Reliability Modeling at Atomic Structure Level
Author	Gennadi Bersuker (SEMATECH)
ページ	p. 1

基調講演 II (IWDTF-11合同開催)

17:05-17:55

◎

Title	Technological Challenges in SiC MOS Devices
Author	Hiroyuki Matsunami (JST Innovation Plaza)
ページ	pp. 3 - 5

18:10-20:00

懇親会

2011年1月22日(土)

9:30-10:00

○

題名	”ゲートファスト”メタルゲート/high-k CMOSプロセスの展望
著者	由上二郎 (ルネサスエレクトロニクス株式会社)
Title	Developments of "Gate First" Metal-Gate/high-k CMOS Process
Author	Jiro Yugami (Renesas Electronics Corporation)
ページ	pp. 7 - 10

10:00-10:20

題名	統計分布に着目したシリコン酸化膜絶縁破壊の基板面方位依存性
著者	三谷祐一郎 ((株)東芝研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー), 鳥海明 (東京大学大学院工学研究科)
Title	Study on Influence of Silicon Wafer Surface Orientation on Gate Oxide Reliability from TDDB Statistics Point of View
Author	Yuichiro Mitani (Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation), Akira Toriumi (Department of Materials Science, The University of Tokyo)
ページ	pp. 11 - 14

10:20-10:50

○

題名	物理的プラズマダメージによるMOSFETオフリーク電流とそのバラツキの増大モデル
著者	江利口浩二, 鷹尾祥典, 斧高一 (京都大学学大学院工学研究科)
Title	Modeling of Subthreshold-Leakage Increase by Plasma-Induced Physical Damage and its Fluctuation Enhancement in Planar MOSFETs
Author	Koji Eriguchi, Yoshinori Takao, Kouichi Ono (Graduate School of Engineering, Kyoto University)
ページ	pp. 15 - 18

休憩

11:05-11:35

○

題名	強誘電体FETを用いた低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM技術
著者	竹内健 (東京大学)
Title	Ultra Low Power NAND Flash Memories and SRAMs with Fe-FETs
Author	Ken Takeuchi (University of Tokyo)
ページ	pp. 19 - 22

11:35-11:55

題名	長期データ保持を示すゲート長 0.56 µm強誘電体ゲート電界効果トランジスタの作製
著者	Le Van Hai, 高橋光恵, 酒井滋樹 (独立行政法人産業技術総合研究所)
Title	0.56 µm-Gate-Length Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors with Long Data Retention
Author	Le Van Hai, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
ページ	pp. 23 - 26

昼食

13:00-15:00

ポスターセッション

15:00-16:00

フォーカスセッション: 「ゲート絶縁膜の信頼性について（仮題）」、三谷祐一郎（東芝）、岡田健治（パナソニック）

16:10-16:40

○

題名	High-k/Ge MOSFETにおける移動度特性の向上
著者	西村知紀, 李忠賢 (東京大学大学院工学系研究科/JST-CREST), 王盛凱 (東京大学大学院工学系研究科), 田畑俊之, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明 (東京大学大学院工学系研究科/JST-CREST)
Title	Further Mobility Enhancement in High-k Ge MOSFETs
Author	Tomonori Nishimura, Choong Hyun Lee (The University of Tokyo/JST-CREST), Sheng Kai Wang (The University of Tokyo), Toshiyuki Tabata, Kosuke Nagashio, Koji Kita, Akira Toriumi (The University of Tokyo/JST-CREST)
ページ	pp. 27 - 30

16:40-17:00

題名	high-k/(Si)/Ge-MIS構造におけるメタルゲート電極形成後の熱処理がフラットバンド電圧に与える影響
著者	上牟田雄一, 池田圭司, 鎌田善己, 手塚勉 (MIRAI-東芝)
Title	Effect of Post Metal-Gate Annealing on Flat-band Voltage Shift in high-k/(Si)/Ge MIS Structures
Author	Yuuichi Kamimuta, Keiji Ikeda, Yoshiki Kamata, Tsutomu Tezuka (MIRAI-Toshiba)
ページ	pp. 31 - 34

17:00-17:20

題名	急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製
著者	荻原伸平, 鈴木雄一朗, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Fabrication of SGOI Structure with High Ge Concentration by Rapid Melt Growth
Author	Shimpei Ogiwara, Yuichiro Suzuki, Chiaki Yoshimoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 35 - 38

17:20-17:50

題名	ALD-Al₂O₃/InP界面における遅い準位特性のALD温度依存性
著者	田岡紀之, 横山正史, 金相賢, 鈴木麗菜, 星井拓也, 飯田亮, 李成薫 (東京大学), 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二 (（独）産業技術総合研究所), 山田永, 福原昇, 秦雅彦 (住友化学（株）), 竹中充, 高木信一 (東京大学)
Title	ALD Temperature Dependence of Slow Trap Properties at ALD-Al₂O₃/InP Interfaces
Author	Noriyuki Taoka, Masafumi Yokoyama, SangHyeon Kim, Reina Suzuki, Takuya Hoshii, Ryo Iida, Sunghoon Lee (The University of Tokyo), Yuji Urabe, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Hisashi Yamada, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata (Sumitomo Chemical Co. Ltd.), Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (The University of Tokyo)
ページ	pp. 39 - 42

2011年1月23日(日)

9:30-10:00

○

題名	High-k/Metalゲートスタックにおける酸素空孔形成要因と実効仕事関数変調機構
著者	細井卓治, 佐伯雅之, 奥雄大, 北野尚武, 有村拓晃, 大嶽祐輝 (大阪大学大学院工学研究科), 白石賢二, 山田啓作 (筑波大学大学院数理物質科学研究科), 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Formation Kinetics of Oxygen Vacancy and Effective Work Function Modulation in High-k/metal Gate Stacks
Author	Takuji Hosoi, Masayuki Saeki, Yudai Oku, Naomu Kitano, Hiroaki Arimura, Yuki Odake (Graduate School of Engineering, Osaka University), Kenji Shiraishi, Keisaku Yamada (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 43 - 46

10:00-10:20

題名	酸素制御cap-PDA法を用いたサブ0.5 nm EOT higher-k HfO₂ゲートスタックの形成
著者	森田行則, 右田真司, 水林亘, 太田裕之 (MIRAI-NIRC AIST)
Title	Sub-half-nm EOT Higher-k HfO₂ Gate Stacks Using Oxygen-controlled Cap-PDA Technique
Author	Yukinori Morita, Shinji Migita, Wataru Mizubayashi, Hiroyuki Ota (MIRAI-NIRC AIST)
ページ	pp. 47 - 50

10:20-10:40

題名	Pr酸化膜/Si構造へのAl導入による界面反応抑制効果
著者	古田和也, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Effects of Al Incorporation on Interfacial Reaction for Pr-oxides/Si Structures
Author	Kazuya Furuta, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Hiroki Kondo, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Graduate School of engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 51 - 54

休憩

10:55-11:15

題名	Al₂O₃界面層およびラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造および電気的特性の制御
著者	加藤公彦, 京極真也, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Control of Interfacial and Electrical Properties of High-k/Ge Stacked Structure by Al₂O₃ Thin Layer and Radical Nitridation Technique
Author	Kimihiko Kato, Shinya Kyogoku, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Hiroki Kondo, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 55 - 58

11:15-11:45

○

題名	フレキシブルトランジスタとメモリのための極薄ゲート絶縁膜技術
著者	染谷隆夫 (東京大学)
Title	Ultrathin Gate Dielectric Layers for Flexible Transistors and Memories
Author	Takao Someya (The University of Tokyo)
ページ	pp. 59 - 62

昼食

13:00-13:20

題名	高分解能角度分解光電子分光測定によるGe(110)表面の電子状態と有効質量の決定
著者	松岡弘憲, 武田さくら, 森田誠, 田畑裕貴, 橋本美絵, 服部賢, 大門寛 (奈良先端大/物質創成), 吉丸正樹, 片山俊治, 手塚勉 (半導体理工学研究センター)
Title	Electronic Structure and Effective Masses in Ge(110) Surface by High-Resolution Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy
Author	Hironori Matsuoka, Sakura Nishino Takeda, Makoto Morita, Hiroki Tabata, Mie Hashimoto, Ken Hattori, Hiroshi Daimon (Nara Institute of Science and Technology / Materials Science), Masaki Yoshimaru, Toshiharu Katayama, Tsutomu Teduka (Semiconductor Technology Academic Research Center)
ページ	pp. 63 - 66

13:20-13:40

題名	Si_1-xGe_x合金層における酸化誘起Ge濃縮過程：リアルタイム光電子分光による解明
著者	小川修一, 穂積英彬 (東北大多元研), 吉越章隆 (日本原子力研究開発機構), 石塚眞治 (秋田工業高等専門学校), 加賀利瑛 (東北大多元研), 寺岡有殿 (日本原子力研究開発機構), 高桑雄二 (東北大多元研)
Title	Oxidation-Enhanced Condensation of Ge Atoms on Si_1-xGe_x Alloy Layer Studied by Real-Time Photoelectron Spectroscopy
Author	Shuichi Ogawa, Hideaki Hozumi (IMRAM, Tohoku University), Akitaka Yoshigoe (Japan Atomic Energy Research Agency), Shinji Ishidzuka (Akita National College of Technology), Toshiteru Kaga (IMRAM, Tohoku University), Yuden Teraoka (Japan Atomic Energy Research Agency), Yuji Takakuwa (IMRAM, Tohoku University)
ページ	pp. 67 - 70

13:40-14:00

題名	チャネル断面の角に注目したナノワイヤトランジスタの電気特性評価
著者	佐藤創志 (東京工業大学フロンティア研究機構), 角嶋邦之 (東京工業大学大学院総合理工学研究科), Parhat Ahmet (東京工業大学フロンティア研究機構), 大毛利健治 (筑波大学大学院数理物質科学研究科), 名取研二 (東京工業大学フロンティア研究機構), 山田啓作 (筑波大学大学院数理物質科学研究科), 岩井洋 (東京工業大学フロンティア研究機構)
Title	Effects of Corners of Channel Cross-section on Electrical Performace of Silicon Nanowire Field-effect Transistors
Author	Soshi Sato (FRC, Tokyo Tech.), Kuniyuki Kakushima (IGSSE, Tokyo Tech.), Parhat Ahmet (FRC, Tokyo Tech.), Kenji Ohmori (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Kenji Natori (FRC, Tokyo Tech.), Keisaku Yamada (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Hiroshi Iwai (FRC, Tokyo Tech.)
ページ	pp. 71 - 74

14:00-14:20

題名	TCADシミュレーションによるSi系トンネルFETの比較検討
著者	高井一, 川村祐士, 鹿浜康寛, 渡邉孝信 (早稲田大学理工学術院)
Title	Comparative Study of Si-based Tunneling FETs by Means of TCAD Simulation
Author	Hajime Takai, Yuji Kawamura, Yasuhiro Shikahama, Takanobu Watanabe (Faculty of Science and Engineering, Waseda University)
ページ	pp. 75 - 78

休憩

14:40-15:10

○

題名	第一原理計算によるSi及びGe MOS界面原子構造とリーク電流特性の予測
著者	小野倫也, 齊藤正一朗 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	First-Principles Study on Electronic Structure and Leakage Current of Si- and Ge-MOS Interfaces
Author	Tomoya Ono, Shoichiro Saito (Grad. Schl. Eng., Osaka Univ.)
ページ	pp. 79 - 82

15:10-15:40

○

題名	結晶HfO₂中の酸素欠陥準位の高精度バンド計算法による解析
著者	池田稔, 山崎隆浩, 金田千穂子 (富士通研究所)
Title	First-principles Analysis of Oxygen Vacancy in Monoclinic HfO₂ using Hybrid-DFT+U and GW Methods
Author	Minoru Ikeda, Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta (FUJITSU LABORATORIES LTD)
ページ	pp. 83 - 86

15:40-16:00

安田賞・服部賞表彰式

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2011年1月22日(土) 13:00-15:00)

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名	ハフニウム酸化物内部の局所的効果の誘電特性への影響
著者	瀬波大土, 土田康志, 吉野文弥, 福島啓悟, 池田裕治, 立花明知 (京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
Title	Effects of Internal Structure of Hafnia on Dielectric Property
Author	Masato Senami, Yasushi Tsuchida, Fumiya Yoshino, Akinori Fukushima, Yuji Ikeda, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページ	pp. 87 - 90

題名	角度分解X線光電子分光法によるHfO₂/Si/歪みGe/SiGe構造の評価
著者	小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎 (東京都市大), マクシムミロノフ (Warwick大), 野平博司, 白木靖寛 (東京都市大)
Title	Study of HfO₂/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
Author	Arata Komatsu, Kentaro Nasu, Yusuke Hoshi, Toru Kurebayashi, Kentaro Sawano (Tokyo City University), Maksym Myronov (The University of Warwick), Hiroshi Nohira, Yasuhiro Shiraki (Tokyo City University)
ページ	pp. 91 - 94

題名	極薄HfO₂膜のリーク電流の二次元分布とその要因
著者	菊地裕樹, 田村知大 (筑波大学電子・物理工学専攻), 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学 TIMS)
Title	Two-dimensional Leakage Current Distribution and Formative Factor of Leakage Spots in Ultra Thin HfO₂ Film
Author	Yuuki Kikuchi, Chihiro Tamura (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 95 - 98

題名	Pr酸化膜/PrON/Ge構造におけるPrの化学結合状態が電気的特性に及ぼす影響
著者	加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Effect of Chemical Bonding State of Pr on Electrical Properties of Pr-oxide/PrON/Ge Gate Stack Structures
Author	Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Hiroki Kondo, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 99 - 102

題名	Al₂O₃/Ge及びGeO₂/Geゲートスタック構造における窒素プラズマ中の光照射損傷のPAPE法による分析
著者	クスマンダリ, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明 (名古屋大学)
Title	Analysis of Light Radiation Damages in Nitrogen Plasma on Al₂O₃/Ge and GeO₂/Ge Gate Stacks by using Pallet for Plasma Evaluation
Author	Kusumandari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya University)
ページ	pp. 103 - 106

題名	La₂O₃のALD 成長のための原料選択：シクロペンタジエニル錯体とアミディネート錯体の比較
著者	小澤健児, 幸田みゆき (東工大フロンティア研産総研), 角嶋邦之 (東工大総理工), Parhat Ahmet, 岩井洋 (東工大フロンティア研), 卜部友二, 安田哲二 (産総研)
Title	Selection of Source Materials for La₂O₃ ALD: Comparison between La(ⁱPrCp)₃ and La(ⁱPrFAMD)₃
Author	Ozawa Kenji, Miyuki Kouda (Tokyo Tech. FRC AIST), Kuniyuki Kakushima (IGSSE), Parhat Ahmet, Hiroshi Iwai (Tokyo Tech. FRC), Yuji Urabe, Tetsuji Yasuda (AIST)
ページ	pp. 107 - 110

【信頼性・ゆらぎ】

題名	高温下での定電流ストレスに対するSiO₂の信頼性
著者	染谷満, 田村知大, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学電子・物理工学専攻)
Title	Reliability of SiO₂ to Constant Current Stress at High Temperature
Author	Mitsuru Sometani, Chihiro Tamura, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Inst. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 111 - 114

題名	Poly-Si/TiN/HfO₂/SiO₂ ゲートスタックMOSFETの低周波ノイズ特性に対するゲートファーストプロセスの影響
著者	松木武雄, ランガヘッティアーラッチ, フェンウェイ (早稲田大学), 白石賢二, 山田啓作, 大毛利健治 (筑波大学)
Title	Influence of Gate-first Process on Low-frequency Noise in EOT-scaling of Poly-Si/TiN/HfO₂/SiO₂ Gate-stack MOSFETs
Author	Takeo Matsuki, Ranga Hettiarachchi, Wei Feng (Waseda University), Kenji Shiraishi, Keisaku Yamada, Kenji Ohmori (University of Tsukuba)
ページ	pp. 115 - 118

題名	極薄SiO₂膜のラフネスがMOSの信頼性へ与える影響
著者	林優介, 染谷満 (筑波大学電子・物理工学専攻), 蓮沼隆, 山部紀久夫 (学際物質科学研究センター)
Title	Effect of Uniform Ultra Thin SiO₂ Film on Reliability
Author	Yusuke Hayashi, Mitsuru Sometani (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 119 - 122

題名	電流検出型原子間力顕微鏡を用いた欠陥に起因するPr酸化膜のリーク電流機構の解明
著者	足立正樹, 加藤雄三, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明 (名大院工)
Title	Investigation of Mechanism of Leakage Current Caused by Defects in Pr-oxide Films by Using Conductive Atomic Force Microscopy
Author	Masaki Adachi, Yuzo Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Hiroki Kondo, Osamu Nakatsuka, Sigeaki Zaima (Graduate School of Eng., Nagoya Univ.)
ページ	pp. 123 - 126

【形成・評価・基礎物性】

題名	第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法
著者	関洋 (慶應義塾大学), 渋谷寧浩, 野平博司 (東京都市大学), 小林大輔 (宇宙研), 泰岡顕治 (慶應義塾大学), 廣瀬和之 (宇宙研)
Title	The Estimation of Local Breakdown Voltage of Si•Al Compounds Using First-principles Molecular Orbitals Calculation
Author	Hiroshi Seki (Keio University), Yasuhiro Shibuya, Hiroshi Nohira (Tokyo City University), Daisuke Kobayashi (JAXA/ISAS), Kenji Yasuoka (Keio University), Kazuyuki Hirose (JAXA/ISAS)
ページ	pp. 127 - 130

題名	第一原理計算を用いた Si 化合物の静的誘電率推定
著者	渋谷寧浩 (東京都市大工宇宙研), 小林大輔 (宇宙研), 野平博司 (東京都市大工), 廣瀬和之 (宇宙研)
Title	Estimation Method for Permittivity due to Electronic and Lattice Polarization by using First-principles Calculation
Author	Yasuhiro Shibuya (Tokyo City Univ. , ISAS/JAXA), Daisuke Kobayashi (ISAS/JAXA), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.), Kazuyuki Hirose (ISAS/JAXA)
ページ	pp. 131 - 134

題名	ルテニウムの化学結合および電子状態評価
著者	三嶋健斗, 後藤優太, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎 (広島大学大学院先端物質科学研究科), 宮崎誠一 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Characterization of Chemical and Electronic States of Ruthenium
Author	Kento Mishima, Yuta Goto, Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Seiichi Miyazaki (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 135 - 138

題名	Ar/O₂ラジカル酸化改質されたCVD-SiO₂膜のX線反射率による密度分布評価
著者	河瀬和雅 (三菱電機), 寺本章伸 (東北大学), 梅田浩司 (ルネサスエレクトロニクス), 諏訪智之 (東北大学), 上原康 (三菱電機), 服部健雄, 大見忠弘 (東北大学)
Title	X-ray Reflectivity Study of CVD-SiO₂ Film Treated by Ar/O₂ Radical Oxidation
Author	Kazumasa Kawase (Mitsubishi Electric Corp.), Akinobu Teramoto (Tohoku Univ.), Hiroshi Umeda (RENESAS Electronics Corp.), Tomoyuki Suwa (Tohoku Univ.), Yasushi Uehara (Mitsubishi Electric Corp.), Takeo Hattori, Tadahiro Ohmi (Tohoku Univ.)
ページ	pp. 139 - 142

題名	X線光電子分光法による金属/ GeO₂界面の化学結合状態分析
著者	松井真史, 藤岡知宏, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎 (広島大学大学院先端物質科学研究科), 宮崎誠一 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Characterization of Chemical Bonding Features at Metal/GeO₂ Interface using X-ray Photoelectron Spectroscopy
Author	Masafumi Matsui, Tomohiro Fujioka, Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Seiichi Miyazaki (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 143 - 146

題名	不純物ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討
著者	町田義明, 五月女真一, 中山隆史 (千葉大学理学研究科基盤理学専攻)
Title	Theoretical Study of Electronic Structures of Impurity-Doped Metal Silicides
Author	Yoshiaki Machida, Shinichi Sotome, Takashi Nakayama (Department of Physics, Chiba University)
ページ	pp. 147 - 150

題名	高分解能角度分解光電子分光測定による高濃度n型Si(001)及びp型歪みSi(001)表面の電子状態
著者	田畑裕貴, 武田さくら, 森田誠, 松岡弘憲 (奈良先端大/物質創成), 有馬健太 (大阪大学), 手塚勉, 片山俊治, 吉丸正樹 (半導体理工学研究センター), 大門寛 (奈良先端大/物質創成)
Title	Electronic Structure in High-doped n-type Si(001) and p-type Strained Si(001) by High-resolution Angle-resolved Photoelectron Spectroscopy
Author	Hiroki Tabata, Sakura Nishino Takeda, Makoto Morita, Hironori Matsuoka (Nara Institute of Science and Technology / Materials Science), Kenta Arima (Osaka University), Tsutomu Tezuka, Toshiharu Katayama, Masaki Yoshimaru (Semiconductor Technology Academic Research Center), Hiroshi Daimon (Nara Institute of Science and Technology / Materials Science)
ページ	pp. 151 - 154

題名	金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変化の理論的検討
著者	小日向恭祐, 中山隆史 (千葉大学)
Title	Theoretical Study of Schottky Barrier Change by Structural Disorder at Metal/Si Interfaces
Author	Kyousuke Kobinata, Takashi Nakayama (Chiba University)
ページ	pp. 155 - 157

題名	電子エネルギー損失分光法を用いたSiOxNyゲート絶縁膜の窒素分布解析
著者	橋川直人, 河上恵, 中嶋伸恵, 加藤好美, 国宗依信, 青野英樹, 朝山匡一郎 (ルネサスエレクトロニクス(株))
Title	Characterization of Nitrogen Profiles in SiOxNy Gate Oxide Using Electron Energy Loss Spectrum Measurements
Author	Naoto Hashikawa, Megumi Kawakami, Nobue Nakajima, Yoshimi Kato, Yorinobu Kunimune, Hideki Aono, Kyoichiro Asayama (Renesas Electronics Corp.)
ページ	pp. 159 - 160

【高移動度化技術・新構造ゲートスタック】

題名	極薄Ge熱酸化膜の高密度プラズマ窒化により形成したGeON絶縁膜の熱安定性評価
著者	糟谷篤志, 朽木克博, 秀島伊織, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院/工学研究科)
Title	Thermal Stability of GeON Gate Dielectrics Fabricated by High-density Plasma Nitridation of Ultrathin Thermal GeO₂ on Ge (100)
Author	Atsushi Kasuya, Katsuhiro Kutsuki, Iori Hideshima, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka University/Graduate School of Engineering)
ページ	pp. 161 - 164

【メモリ技術】

題名	ロジック混載に向けたHfO₂を用いた電荷トラップ型不揮発性メモリセルの研究
著者	川下明洋, 榎田奨 (九州工業大学大学院情報工学府), 大西克典 (九州工業大学マイクロ化総合技術センター)
Title	Nonvolatile Memory Cell with HfO₂ as the Charge Trap Layer for Embedded Applications
Author	Akihiro Kawashimo, Shou Enokida (Graduate School of Computer Sience and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology), Katsunori Onishi (Center for Microelectronic System, Kyushu Institute of Technology)
ページ	pp. 165 - 168

応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 第16回研究会研究報告プログラム