「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第14回研究会)

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応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催
特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」
第14回研究会研究報告プログラム

論文リスト (口頭発表)

(「◎、○」印は招待講演)

2009年1月22日(木)

20:00-22:00

名取研二先生（筑波大）バリスティックMOSから準バリスティックMOSへ

2009年1月23日(金)

9:00-9:10

開会にあたって

9:10-10:00

◎

題名	半導体産業、明日へ向けて
著者	有門経敏 (東京エレクトロン)
Title	”What should we do towards future ?”
Author	Tsunetoshi Arikado (Development Planning Devision, Tokyo Electron LTD.)
ページ	pp. 1 - 4

10:00-10:30

○

題名	TaCx組成最適化による極微細TaCx/HfSiONデバイス性能および歪み効果の向上
著者	後藤正和 ((株)東芝セミコンダクター社)
Title	Improvement in Device Performance of Aggressively Scaled TaCx/HfSiON with SMT and Strained CESL by optimizing TaCx composition
Author	Masakazu Goto (Semiconductor Company, Toshiba Corporation)
ページ	pp. 5 - 8

10:30-10:50

題名	真空一貫プロセスによるLa添加HfSiO高誘電率絶縁膜の電気特性向上およびフラットバンド電圧制御
著者	有村拓晃, 奥雄大, 佐伯雅之, 北野尚武, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Improved Electrical Properties and Flatband Control of HfLaSiO High-k Gate Dielectrics Fabricated by In-Situ Process
Author	Hiroaki Arimura, Yudai Oku, Masayuki Saeki, Naomu Kitano, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 9 - 12

10:50-11:10

題名	PDA処理による高キャリア移動度を実現する極薄HfON/SiONゲートスタックの形成
著者	石川大, 神山聡, 黒澤悦男, 青山敬幸, 池田和人 (半導体先端テクノロジーズ)
Title	Fabrication of Aggressively Scaled HfON/SiON Gate Stack Enabling High Carrier Mobility by Post-Deposition Annealing
Author	Dai Ishikawa, Satoshi Kamiyama, Etsuo Kurosawa, Takayuki Aoyama, Kazuto Ikeda (Semiconductor Leading Edge Technologies)
ページ	pp. 13 - 16

11:10-11:30

題名	HfSiON 膜表面で観察される絶縁破壊の痕跡
著者	林倫弘, 田村知大 (筑波大学大学院数理物質科学研究科), 佐藤基之 (株式会社半導体先端テクノロジーズ), 蓮沼隆 (筑波大学大学院数理物質科学研究科,筑波大学学際物質科学研究センター), 山部紀久夫 (筑波大学大学院数理物質科学研究科,)
Title	Vestiges of Multiple Progressive Dielectric Breakdown on HfSiON Surfaces
Author	Tomohiro Hayashi, Chihiro Tamura (Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba), Motoyuki Sato (Semiconductor Leading Edge Tecnologies, Inc.), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba Research Center for Interdisciplinary Materials Science)
ページ	pp. 17 - 20

11:30-11:50

題名	価電子揺動Ce酸化物を利用したHigh-k膜中の固定電荷の抑制
著者	幸田みゆき (東工大フロンティア研), 梅澤直人 (物質材料研究機構), 角嶋邦之 (東工大院総理工), Parhat Ahmet (東工大フロンティア研), 白石賢二 (筑波大学), 知京豊祐 (物質材料研究機構), 山田啓作 (早稲田大学), 服部健雄, 岩井洋 (東工大フロンティア研)
Title	Charged Defects Reduction in High-k Gate Dielectrics with Multivalent Cerium Oxide
Author	Miyuki Kouda (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering,Tokyo Institute of Technology), Naoto Umezawa (National Institute for Materials Science, Advanced Electronic Materials Center), Kuniyuki Kakushima (Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology), Parhat Ahmet (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering,Tokyo Institute of Technology), Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Sciences,University of Tukuba), Toyohiro Chikyow (National Institute for Materials Science, Advanced Electronic Materials Center), Keisaku Yamada (Nanotechnology Research Laboratories, Waseda Univ.), Takeo Hattori, Hiroshi Iwai (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering,Tokyo Institute of Technology)
ページ	pp. 21 - 24

昼食

12:50-13:20

○

題名	高移動度チャネルMOSトランジスタの性能予測シミュレーション
著者	土屋英昭 (神戸大学大学院/工学研究科電気電子工学専攻)
Title	A Computational Study on Drive Current of High Mobility n-Channel MOSFETs
Author	Hideaki Tsuchiya (Electrical and Electronics Engineering/Graduate School of Engineering, Kobe University)
ページ	pp. 25 - 28

13:20-13:50

○

題名	III-Vチャネル上への高品質MIS界面の形成
著者	安田哲二 (産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター)
Title	Quality MIS Interface Formation on III-V Channel Materials
Author	Tetsuji Yasuda (Nanodevice Innovation Research Center (NIRC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))
ページ	pp. 29 - 32

13:50-14:10

題名	Si基板上SiC薄膜を用いたエピタキシャルグラフェン成長
著者	宮本優, 半田浩之, 齋藤英司 (電気通信研究所東北大学), 末光真希 (電気通信研究所東北大学, JST-CREST), 吹留博一 (電気通信研究所東北大学), 伊藤隆 (学際科学高等研究センター東北大学)
Title	Formation of Epitaxial Graphene from SiC Thin Film on Si Substrate
Author	Yuu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Eiji Saito (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku Univ.), Maki Suemitsu (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku Univ., JST-CREST), Fukidome Hirokazu (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku Univ.), Itoh Takashi (Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University)
ページ	pp. 33 - 35

14:10-14:30

題名	Ge酸化物の酸化数がGe MOSデバイスの熱安定性および電気的特性に与える影響
著者	鎌田善己, 高島章, 手塚勉 (東芝/研究開発センター)
Title	Influence of Oxidation State of Ge Oxide on Thermal Stability and Electrical Characteristics of Ge MOS Devices
Author	Yoshiki Kamata, Akira Takashima, Tsutomu Teduka (Toshiba Corporation/Corporate R&D Center)
ページ	pp. 37 - 40

14:30-14:50

題名	Ge-MIS界面特性評価における少数キャリア応答の重要性
著者	田岡紀之 (半導体MIRAI-ASRC), 山本豊二, 原田真臣, 山下良美, 杉山直治 (半導体MIRAI-ASET), 高木信一 (東京大学、半導体MIRAI-ASRC)
Title	Importance of Minority Carrier Response in Accurate Characterization of Ge Metal-Insulator-Semiconductor Interface traps
Author	Noriyuki Taoka (MIRAI-ASRC), Toyoji Yamamoto, Masatomi Harada, Yoshimi Yamashita, Naoharu Sugiyama (MIRAI-ASET), Shin-ichi Takagi (The University of Tokyou, MIRAI-ASRC)
ページ	pp. 41 - 44

14:50-15:10

題名	Ge親和性High-kゲート絶縁膜LaLuO₃のGe MISゲートスタックにおける有用性の実証
著者	田畑俊行, 李忠賢, 喜多浩之, 鳥海明 (東京大学)
Title	Utility Demonstrations of LaLuO₃ for Ge MIS Gate Stacks as a Ge-friendly High-k Gate Dielectric Film
Author	Toshiyuki Tabata, C. H. Lee, Koji Kita, Akira Toriumi (The University of Tokyo)
ページ	pp. 45 - 48

15:10-15:30

題名	Siナノワイヤーの伝導特性に関する第一原理解析
著者	池田裕治, 福島啓悟, 瀬波大土, 立花明知 (京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
Title	First Principles Analysis for The Conduction Characteristics of Si Nanowires
Author	Yuji Ikeda, Akinori Fukushima, Masato Senami, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページ	pp. 49 - 52

休憩

15:50-16:30

ポスターショートプレゼンテーション

16:30-17:50

若手企画パネルディスカッション

19:30-22:00

ポスターセッション

2009年1月24日(土)

8:40-9:30

◎

題名	NAND型フラッシュメモリ技術の動向と課題
著者	八重樫利武 (東芝セミコンダクター社半導体研究開発センターフラッシュメモリデバイス技術開発部)
Title	Trends and Challenges of NAND Flash Memory Technology
Author	Toshitake Yaegashi (Flash Memory Device Technology Department, Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation Semiconductor Company)
ページ	pp. 53 - 56

9:30-10:00

○

題名	NAND型フラッシュメモリの現状と、今後の不揮発性半導体メモリの新展開
著者	遠藤哲郎 (東北大学学際科学国際高等研究センター)
Title	Current Status of NAND Type Flash Memory and Future Prospect of the Next Generation Nonvolatile Semiconductor Memory
Author	Tetsuo Endo (Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University)
ページ	pp. 57 - 60

休憩

10:20-10:50

○

題名	RRAM動作特性の電極材料依存性と電極／酸化物界面の化学結合状態
著者	島久 (独立行政法人産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門)
Title	Electrode Material Dependence of RRAM Operational Performance and Chemical State of Electrode/oxide Interface
Author	Hisashi Shima (Nanotechnology Research Institute (NRI))
ページ	pp. 61 - 64

10:50-11:10

題名	混載メモリ用不純物添加NiSi₂-FUSI/SiONゲートスタック
著者	間部謙三, 増崎幸治, 小倉卓 (NECエレクトロニクス), 西藤哲史 (NEC), 砂村潤, 渡辺啓仁 (NECエレクトロニクス)
Title	Impurity-segregated NiSi₂-FUSI/SiON Gate Stack for Embedded Memory Application
Author	Kenzo Manabe, Koji Masuzaki, Takashi Ogura (NEC Electronics), Motofumi Saitoh (NEC), Hiroshi Sunamura, Hirohito Watanabe (NEC Electronics)
ページ	pp. 65 - 68

11:10-11:30

題名	MONOS型メモリの電荷蓄積機構の第一原理計算による考察
著者	大竹朗 (筑波大学大学院数理物質科学研究科), 山口慶太 (筑波大学物理学系), 小林賢司, 白石賢二 (筑波大学大学院数理物質科学研究科)
Title	First-Principles Investigations on the Charge Trap Mechanism of MONOS-type Memory
Author	Akira Otake (Graduate School of Pure and Applied Science, University of Tsukuba), Keita Yamaguchi (Institute of Physics, University of Tsukuba), Kenji Kobayashi, Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Science, University of Tsukuba)
ページ	pp. 69 - 72

昼食

12:30-13:00

○

題名	アモルファスSiO₂中の格子間O₂分子の発光測定
著者	梶原浩一 (首都大学東京大学院都市環境科学研究科環境調和・材料化学専攻)
Title	Photoluminescence Measurements of Interstitial O₂ Molecules in Amorphous SiO₂
Author	Koichi Kajiwara (Department of Applied Chemistry,Graduate School of Urban Environmental Sciences, Tokyo Metropolitan University)
ページ	pp. 73 - 76

13:00-13:20

題名	角度分解光電子分光測定によるPb吸着Si(001)表面空間電荷層中のホールサブバンド分散
著者	谷川洋平, 武田さくら, 森田誠, 大杉拓也, 加藤有香子, 山中佑一郎, 小池潤一郎, 大門寛 (奈良先端大/物質創成), 吉丸正樹, 今村健 (半導体理工学研究センター)
Title	Hole Subband Dispersion in Pb/Si(001) Surface Space Charge Layers Measured by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
Author	Yohei Tanigawa, Sakura Nishino Takeda, Makoto Morita, Takuya Ohsugi, Yukako Kato, Yuichiro Yamanaka, Junichiro Koike, Hiroshi Daimon (Nara Institute of Science and Technology / Materials Science), Masaki Yoshimaru, Takeshi Imamura (Semiconductor Technology Academic Research Center)
ページ	pp. 77 - 80

13:20-13:40

題名	Si高指数面上に形成した酸化膜界面構造の真空紫外RDS評価
著者	尾形祥一, 大野真也, 田中正俊 (横浜国立大学), 安田哲二 (産業技術総合研究所)
Title	Structures of the High-Index Si/SiO₂ Interfaces Evaluated by Reflectance Difference Spectroscopy in VUV
Author	Shouichi Ogata, Shinya Ohono, Masatoshi Tanaka (Yokohama National University), Tetsuji Yasuda (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
ページ	pp. 81 - 84

13:40-14:00

題名	極薄シリコン酸窒化膜の水素拡散バリア性
著者	劉紫園 (NEC エレクトロニクス/テスト評価技術部, CREST-JST), 伊藤周 (NEC エレクトロニクス/テスト評価技術部), Markus Wilde, 福谷克之 (東京大学/生産技術研究所, CREST-JST)
Title	Hydrogen Permeability of Ultra Thin Oxynitride Layer between Oxide and Nitride films
Author	Ziyuan Liu (NEC Electronics Corporation/Test and Analysis Engineering Division, and CREST-JST), Shuu Ito (NEC Electronics Corporation/Test and Analysis Engineering Division), Markus Wilde, Katsuyuki Fukutani (Institute of Industrial Science, University of Tokyo, and CREST-JST)
ページ	pp. 85 - 88

14:00-14:20

題名	アモルファスTi-Si-N MOSゲート電極の熱的安定性およびスケーラビリティ
著者	宮本和明, 古米孝平, 近藤博基, 坂下満男, 財満鎭明 (名古屋大学)
Title	Thermal Stability and Scalability of Amorphous Ti-Si-N MOS Gate Electrodes
Author	Kazuaki Miyamoto, Kouhei Furumai, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima (Nagoya University)
ページ	pp. 89 - 92

14:20-14:40

題名	第一原理計算によるシリサイドの安定性に関する研究
著者	五月女真一, 進士翔 (千葉大学理学研究科基盤理学専攻), 中山隆史 (千葉大学理学研究科)
Title	First-principles Study on Stability of Silicides
Author	Shinichi Sotome, Sho Shinji, Takashi Nakayama (Department of Physics, Chiba University)
ページ	pp. 93 - 96

14:40-15:00

題名	局所横方向液相エピタキシャル成長による絶縁膜上Geワイヤの作製
著者	橋元達也, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (大阪大学工学研究科)
Title	Fabrication of Ge Wire on Insulator using Lateral Liquid-phase Epitaxial Growth
Author	Tatsuya Hashimoto, Chiaki Yoshimoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 97 - 100

休憩

15:20-15:50

○

題名	Vth低減のためのDual High-k技術がBTI, 1/fノイズ特性に与える影響
著者	佐藤基之 ((株)半導体先端テクノロジーズ)
Title	Impact of Dual High-k Technology for Vth Reduction on BTI and 1/f Noise
Author	Motoyuki Sato (Semiconductor Leading Edge Technologies)
ページ	pp. 101 - 104

15:50-16:20

○

題名	MOSトランジスタの特性ばらつきの定量とその解析
著者	西田彰男 (MIRAI-Selete)
Title	Measurement and Analyses of Vth Fluctuation in 65nm-MOSFETs
Author	Akio Nishida (MIRAI-Selete)
ページ	pp. 105 - 108

16:20-16:40

題名	終端元素による絶縁破壊寿命ワイブル分布改善の可能性
著者	三谷祐一郎, 佐竹秀喜 (㈱東芝研究開発センター), 鳥海明 (東京大学大学院工学研究科)
Title	Improvement of Weibull Distribution of Time-to-Breakdown
Author	Yuichiro Mitani, Hideki Satake (Corprate R&D Center, Toshiba Corporation), Akira Toriumi (Department of Materials Science, The University of Tokyo)
ページ	pp. 109 - 112

16:40-17:00

題名	金属／high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制
著者	大毛利健治 (早稲田大学ナノテクノロジー研究所), 松木武雄, 石川大, 諸岡哲, 網中敏夫, 杉田義博 (半導体先端テクノロジーズ), 知京豊裕 (物質・材料研究機構), 白石賢二 (筑波大学), 奈良安雄 (半導体先端テクノロジーズ), 山田啓作 (早稲田大学ナノテクノロジー研究所)
Title	Impact of Additional Factors in Threshold Voltage Variability of Metal/High-k Gate Stacks and Its Reduction by Controlling Crystalline Structure and Grain Size in the Metal Gates
Author	Kenji Ohmori (Nanotechnology Laboratory, Waseda University), Takeo Matsuki, Dai Ishikawa, Tetsu Morooka, Toshio Aminaka, Yoshihiro Sugita (Semiconductor Leading Edge Technologies), Toyohiro Chikyow (National Institute for Materials Science), Kenji Shiraishi (University of Tsukuba), Yasuo Nara (Semiconductor Leading Edge Technologies), Keisaku Yamada (Nanotechnology Laboratory, Waseda University)
ページ	pp. 113 - 116

17:00-17:05

安田賞・服部賞

17:05-17:10

閉会にあたって

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2009年1月23日(金) 19:30-22:00)

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名	角度分解光電子分光法によるシリコン窒化膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究
著者	諏訪智之 (東北大学未来科学技術共同研究センター), 荒谷崇 (信越半導体), 樋口正顕 (東芝), 須川成利 (東北大学大学院工学研究科), 池永英司 (高輝度光科学研究センター), 牛尾二郎 (日立製作所), 野平博司 (武蔵工業大学), 寺本章伸, 大見忠弘, 服部健雄 (東北大学未来科学技術共同研究センター)
Title	Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
Author	Tomoyuki Suwa (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University), Takashi Aratani (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Masaaki Higuchi (Toshiba Corporation), Shigetoshi Sugawa (Graduate School of Engineering, Tohoku University), Eiji Ikenaga (Japan Synchrotron Radiation Research Institute), Jiro Ushio (Hitachi, Ltd.), Hiroshi Nohira (Musashi Institute of Technology), Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi, Takeo Hattori (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University)
ページ	pp. 117 - 120

題名	窒化アルミナ絶縁層を有したHigh-k/Geゲートスタックの作製と特性評価
著者	岡本学, 朽木克博, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (大阪大学工学研究科)
Title	Fabrication and Electrical Characterization of High-k/Ge Gate Stacks with Al-oxynitride Dielectrics
Author	Gaku Okamoto, Katsuhiro Kutsuki, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 121 - 124

題名	Pr(EtCp)₃を用いたMOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性の評価
著者	松井裕高, 櫻井晋也, 近藤博基, 坂下満男, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Fabrication of Pr Oxide Films by MOCVD Using Pr(EtCp)₃ and Evaluation of Electrical Properties
Author	Hirotaka Matsui, Shinya Sakurai, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 125 - 128

題名	HfSiOxにおけるしきい値電圧経時劣化の成分分離
著者	田村知大, 林倫弘 (筑波大学電子・物理工学専攻), 菊地裕樹 (筑波大学工学基礎学類), 大毛利健治 (早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所), 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学電子・物理工学専攻)
Title	Characterization of Threshold Voltage Shift by Negative Bias Temperature Stress in HfSiOx
Author	Chihiro Tamura, Tomohiro Hayashi (Inst. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba), Yuuki Kikuchi (College of Engineering Sciences, Univ. of Tsukuba), Kenji Ohmori (Nanotechnology Laboratory, Waseda University), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Inst. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 129 - 132

題名	Al₂O₃界面層挿入によるLaAlO₃/Ge 界面制御効果
著者	加藤亮祐, 京極真也, 坂下満男, 近藤博基, 財満鎭明 (名古屋大学工学院工学研究科)
Title	The Control Effect of The LaAlO₃/Ge Interface by Insertion of The Al₂O₃ Interfacial Layer
Author	Kato Ryosuke, Kyogoku Shinya, Sakaishta Mitsuo, Kondo Hiroki, Zaima Shigeaki (Graduate School of Eng., Nagoya Univ.)
ページ	pp. 133 - 136

題名	DFT+U法によるhigh-k金属酸化物の第一原理計算
著者	濱田智之 (株式会社日立製作所基礎研究所), 大野隆央 (独立行政法人物質・材料研究機構)
Title	DFT+U First Principles Study of High-k Metal Oxides
Author	Tomoyuki Hamada (Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd.), Takahisa Ohno (National Institute for Materials Science)
ページ	pp. 137 - 140

題名	RFスパッタ法により作製されたAl₂O₃薄膜の結晶性および電気特性
著者	西岡浩, 福田夏樹, 菊地真, 木村勲, 神保武人, 鄒弘綱 (アルバック半導体技術研究所)
Title	Crystalline and Electrical Properties of Al₂O₃ Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering Method
Author	Yutaka Nishioka, Natsuki Fukuda, Shin Kikuchi, Isao Kimura, Takehito Jimbo, Koukou Suu (Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc.)
ページ	p. 141

題名	CeO₂/La₂O₃/Si(100)構造の深さ方向組成分布および化学結合状態に及ぼす熱処理の影響
著者	野平博司, 今陽一郎, 北村幸司 (武蔵工大工), 幸田みゆき (東工大フロンティア研), 角嶋邦之 (東工大院総理工), 岩井洋 (東工大フロンティア研)
Title	Influence of Post Deposition Annealing on Compositional Depth Profile and Chemical Structures of CeO₂/La₂O₃/Si(100)
Author	Hiroshi Nohira, Youichirou Kon, Koji Kitamura (Musashi Inst. of Tech.), Miyuki Kouda (FRC. Tokyo Inst. of Tech.), Kuniyuki Kakushima (IGSSE. Tokyo Inst. of Tech.), Hiroshi Iwai (FRC. Tokyo Inst. of Tech.)
ページ	pp. 143 - 146

【信頼性・ゆらぎ】

題名	可変ストレス誘起リーク電流(V-SILC)の機構解析
著者	石田猛, 手賀直樹, 毛利友紀, 三木浩史, 峰利之 (日立中研), 久米均 (日立超LSIシステムズ), 鳥居和功 (日立中研), 村口正和 (東北大), 高田幸宏, 白石賢二 (筑波大), 山田廉一 (日立中研)
Title	Dynamic Fluctuation Mechanism of Stress-induced Leakage Current
Author	Takeshi Ishida, Naoki Tega, Yuki Mori, Hiroshi Miki, Toshiyuki Mine (Hitachi, Ltd. Central Research Lab.), Hitoshi Kume (Hitachi ULSI Systems Co., Ltd.), Kazuyoshi Torii (Hitachi, Ltd. Central Research Lab.), Masakazu Muraguchi (Tohoku Univ.), Takada Yukihiro, Kenji Shiraishi (Univ. of Tsukuba), Renichi Yamada (Hitachi, Ltd. Central Research Lab.)
ページ	pp. 147 - 150

題名	ラジカル酸化と熱酸化によるシリコン酸化膜の膜質制御
著者	呂釗, 佐藤慎九郎, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学数理物質科学研究科)
Title	Reliability Control of Silicon Dioxide Films by Radical and Thermal Oxidation
Author	Lu Zhao, Sato Shinkuro (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Hasunuma Ryu, Yamabe Kikuo (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba/TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 151 - 154

【形成・評価・基礎物性】

題名	古典的分子動力学法によるGeO₂/Ge界面構造の大規模モデリング
著者	恩田知弥 (早稲田大学理工学術院), 渡邉孝信, 大泊巌 (早稲田大学理工学術院、早稲田大学ナノ理工学研究機構)
Title	Large-Scale Modeling of GeO₂/Ge Interface Structure by Means of Classsical Molecular Dynamics
Author	Tomoya Onda (Faculty of Science & Engineering, Waseda University), Takanobu Watanabe, Iwao Ohdomari (Faculty of Science & Engineering, Waseda University Institute for Nanoscience and Nanotechnology, Waseda University)
ページ	pp. 155 - 158

題名	SiO₂中の窒素と窒素酸化物分子の理論検討
著者	影島博之 (NTT物性科学基礎研究所), 秋山亨 (三重大学), 植松真司 (慶應大学), 伊藤智徳 (三重大学)
Title	Theoretical Study on Nitrogen and Nitrogen Oxide Molecules in SiO₂
Author	Hiroyuki Kageshima (NTT Basic Research Laboratories), Toru Akiyama (Mie University), Shinji Uematsu (Keio University), Tomonori Ito (Mie University)
ページ	pp. 159 - 162

題名	ラジカル窒化法によるGe₃N₄/Ge構造の形成過程
著者	加藤公彦, 小田繁尚, 近藤博基, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Formation Processes of Ge₃N₄/Ge Structures by Radical Nitridation Technique
Author	Kimihiko Kato, Shigehisa Oda, Hiroki Kondo, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 163 - 166

題名	SiO₂/Si(001)界面の炭素原子によるSi酸化反応機構への影響
著者	穂積英彬, 小川修一 (東北大学), 吉岡章隆 (日本原子力研究所), 石塚眞治 (秋田工業高等専門学校), 寺岡有殿 (日本原子力研究所), 高桑雄二 (東北大学)
Title	The Effect of C Atom Impurities on Si0₂/Si(001) Interface during Si Oxidation Reaction
Author	Hideaki Hozumi, Shuichi Ogawa (Tohoku University), Akitaka Yoshigoe (Japan Atomic Energy Agency), Shinji Ishidzuka (Akita National College of Technology), Yuden Teraoka (Japan Atomic Energy Agency), Yuji Takakuwa (Tohoku University)
ページ	pp. 167 - 170

題名	Si基板上に直接成長させた歪みSiGe層の熱酸化膜中の残留秩序構造
著者	下川大輔, 岡本佑樹, 井上智之, 細井卓司, 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Residual Order in the Thermally Oxidized Thin Film of Strained SiGe Layers Grown on Si Substrates
Author	Daisuke Shimokawa, Yuuki Okamoto, Tomoyuki Inoue, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 171 - 174

題名	第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定
著者	五十嵐智 (武蔵工大工), 小林大輔 (宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部), 野平博司 (武蔵工大工), 廣瀬和之 (宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部)
Title	First Principles Calculation for Estimating Optical Dielectric Constants of Dielectric Films
Author	Satoru Igarashi (Musashi Inst. Technol), Daisuke Kobayashi (ISAS, JAXA), Hiroshi Nohira (Musashi Inst. Technol), Kazuyuki Hirose (ISAS, JAXA)
ページ	pp. 175 - 178

題名	原子的平坦Si (111)表面に形成した熱酸化膜のラフネス
著者	大沢敬一朗, 林優介 (筑波大学), 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学, 学際物質科学研究センター)
Title	Micro Roughness of Silicon Dioxide Thermally Grown on Atomically Flat Silicon (111) Terrace
Author	Keichiro Ohsawa, Yusuke Hayashi (University of Tsukuba), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (University of Tsukuba, Tsukuba Research Center for Interdisciplinary Materials Science (TIMS))
ページ	pp. 179 - 182

題名	応力緩和によるTEOS-SiO₂のリーク電流の抑制
著者	染谷満, 蓮沼隆 (筑波大学電子・物理工学), 荻野正明, 栗林均, 須ヶ原紀之 (富士電機デバイス研), 山部紀久夫 (筑波大学電子・物理工学)
Title	Suppression of Leakage Current of TEOS-SiO₂ by Stress Relaxation
Author	Sometani Mitsuru, Ryu Hasunuma (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba,), Ogino Masaaki, Kuribayashi Hitoshi, Sugahara Yoshiyuki (Electron Device Laboratory, Fuji Electric Device Technology), Kikuo Yamabe (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba,)
ページ	pp. 183 - 186

題名	界面層によるショットキーバリア変調の化学的傾向に関する理論研究
著者	湯野裕高, 中山隆史 (千葉大学理学研究科物理学コース)
Title	Theoretical Study on Chemical Trend of Schottky Barrier Modulation by Interface Layers
Author	Hirotaka Yuno, Takashi Nakayama (Department of Physics, Chiba University)
ページ	pp. 187 - 190

題名	アモルファスTi-Si-NおよびHf-Si-N MOSゲート電極の結晶構造と抵抗率の窒素濃度依存性
著者	近藤博基, 宮本和明, 古米孝平, 坂下満男, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Nitrogen-content Dependence of Crystalline Structures and Resistivity of Amorphous Ti-Si-N and Hf-Si-N MOS Gate Electrodes
Author	Hiroki Kondo, Kazuaki Miyamoto, Kouhei Furumai, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 191 - 194

題名	Pt上に形成したHf-Ti系酸化薄膜の化学結合状態分析および電子障壁高さの決定
著者	大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一 (広島大学大学院先端物質科学研究科), 谷奥正巳, 堀川貢弘, 荻島淳史 (エルピーダメモリ(株))
Title	Evaluation of Chemical Bonding Features and Energy Band Profiles for Ultrathin Hf-Ti Oxide Films Formed on Pt
Author	Akio Ohta, Hideki Murakam, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Masami Tanioku, Mitsuhiro Horikawa, Atsushi Ogishima (Elpida Memory, Inc.)
ページ	pp. 195 - 198

題名	La(TMOD)₃を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成
著者	要垣内亮, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一 (広島大学大学院先端物質科学研究科)
Title	Formation of La-Oxide Thin Films by MOCVD Using La(TMOD)₃
Author	Ryo Yougauch, Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki (Graduate School of AdSM, Hiroshima University)
ページ	pp. 199 - 202

題名	DPM錯体を用いたMOCVDにより形成したHf-Gd系酸化膜の化学結合状態評価
著者	貫目大介, 大田晃生, 要垣内亮, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一 (広島大学先端物質科学研究科)
Title	Characterization of Chemical Bonding Features in HfGdxOy Film Formed by MOCVD Using DPM Precursors
Author	Daisuke Kanme, Akio Ohta, Ryo Yougauchi, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki (Graduate School of Advanced Sceiences of Matter, Hiroshima University)
ページ	pp. 203 - 206

題名	光電子分光と基板曲率測定によるSi(110)初期酸化過程の評価
著者	山本喜久, 鈴木康, 宮本優, ローランド・バンタクロー, 末光眞希 (東北大学電気通信研究所), 遠田義晴 (弘前大学), 寺岡有殿, 吉越章隆, 朝岡秀人 (日本原子力研究機構), 山崎竜也 (エイコーエンジニアリング)
Title	Initial Oxidation of Si(110) Surface Evaluated by Photoemission Spectroscopy and Substrate-curvature Measurements
Author	Yoshihisa Yamamoto, Yasushi Suzuki, Yuu Miyamoto, Rolando Bantaculo, Maki Suemitsu (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University), Yoshiharu Enta (Faculty of Science and Technology, Hirosaki University), Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Hidehito Asaoka (Japan Atomic Energy Agency), Tatsuya Yamazaki (Eiko Engineering)
ページ	pp. 207 - 210

題名	酸素分子によるlayer-by-layer Si表面エッチングのAFM測定
著者	森田行則, 右田真司, 田岡紀之, 水林亘, 太田裕之 (産総研)
Title	AFM Measurement of Layer-by-layer Si Surface Etching by O₂ Molecule
Author	Yukinori Morita, Shinji Migita, Noriyuki Taoka, Wataru Mizubayashi, Hiroyuki Ota (AIST)
ページ	pp. 211 - 214

題名	角度分解光電子分光によるGaAs(001)表面の価電子帯バンド分散測定
著者	大杉拓也, 武田さくら, 谷川洋平, 森田誠, 加藤有香子, 小池潤一郎, 山中佑一郎, 大門寛, 黄晋二, 河口仁司 (奈良先端大/物質創成), 吉丸正樹, 今村健 (半導体理工学研究センター)
Title	Valence Band Dispersion in GaAs(001) Surface Measured by Angle-resolved Photoemission Spectroscopy
Author	Takuya Ohsugi, Sakura Nishino Takeda, Yohei Tanigawa, Makoto Morita, Yukako Kato, Junichiro Koike, Yuichiro Yamanaka, Hiroshi Daimon, Shinji Koh, Hitoshi Kawaguchi (Nara Institute of Science and Technology / Materials Science), Masaki Yoshimaru, Takeshi Imamura (Semiconductor Technology Academic Research Center)
ページ	pp. 215 - 218

題名	SiO2/Si界面の酸化窒化ガスの反応
著者	山崎隆浩, 金田千穂子 (富士通研究所/ナノテクノロジー研究センター)
Title	Reactions of Oxinitridation Species around Si/SiO₂ Interface
Author	Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta (Fujitsu Laboratories Ltd./Nanotechnology Research Center)
ページ	pp. 219 - 222

【高移動度化技術・新構造ゲートスタック】

題名	高密度プラズマ窒化により形成したGe₃N₄膜の電気特性評価
著者	朽木克博, 岡本学, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Study on Electrical Properties of Ge₃N₄ Dielectrics Fabricated by High-Density Plasma Nitridation
Author	Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 223 - 226

題名	(100)面もしくは(110)面上に作成された歪ナノワイヤトランジスタにおける相互コンダクタンスの向上評価
著者	清家綾, 杉浦裕樹, 土田育新, 高井一 (早稲田大学), 小瀬村大亮, 小椋厚志 (明治大学), 大泊巌 (早稲田大学)
Title	Evaluation of Transconductance Enhancement of Strained <110> and <100> Channel Si Nanowire Field-effect Transistors Fabricated on (100) or (110) SOI Wafer
Author	Aya Seike, Yuuki Sugiura, Ikushin Tsuchida, Hajime Takai (Waseda University), Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura (Meiji University), Iwao Ohdomari (Waseda University)
ページ	pp. 227 - 229

題名	歪SiナノワイヤFETsの低温測定による電気伝導特性の評価
著者	杉浦裕樹, 清家綾, 土田育新, 高井一 (早稲田大学), 小瀬村大亮, 小椋厚志 (明治大学), 渡邉孝信, 大泊巌 (早稲田大学)
Title	Evaluation of Electrical Characterization of Strained Si Nanowire FETs under The Low Temperature
Author	Yuki Sugiura, Aya Seike, Ikushin Tsuchida, Hajime Takai (Waseda University), Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura (Meiji University), Takanobu Watanabe, Iwao Ohdomari (Waseda University)
ページ	pp. 231 - 234

題名	高圧酸化によるGe/GeO₂界面の制御
著者	李忠賢, 田畑俊之, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明 (東京大学マテリアル工学)
Title	Ge/GeO₂ Interface Control with High Pressure Oxidation for High Performance Ge CMOS
Author	Choong Hyun Lee, Toshiyuki Tabata, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Koji Kita, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo)
ページ	pp. 235 - 238

題名	最適表面処理のためのGe表面酸化挙動の研究
著者	小川慎吾, 辻淳一, 山元隆志, 関洋文, 棚橋優策, 川崎直彦 (（株）東レリサーチセンター)
Title	Investigation of Ge Surface Oxidation Behavior for Optimized Surface Treatment
Author	Shingo Ogawa, Junichi Tsuji, Takashi Yamamoto, Hirofumi Seki, Yusaku Tanahashi, Naohiko Kawasaki (Toray Research Center Inc.)
ページ	pp. 239 - 242