「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第12回研究会)

応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催
特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」
第12回研究会研究報告プログラム

論文リスト (口頭発表)

(「◎、○」印は招待講演)

2007年2月1日(木)

20:00-22:00

チュートリアル：ゲートスタック技術概論（講師：岩井洋（東工大））

2007年2月2日(金)

9:00-9:05

開会にあたって

9:05-9:55

◎

Title	Novel Hafnium-Based Compound Metal Oxide Gate Dielectrics for Advanced CMOS Technology
Author	Ming-Fu Li, Chunxiang Zhu, Xinpeng Wang, Xiongfei Yu(National University of Singapore)
ページ	pp. 1 - 6

9:55-10:45

◎

題名	LSI適用におけるGate Stack技術への期待と課題
著者	豊島義明(東芝)
Title	Challenges and Opportunities on Gate Stack Technology for Scaled LSI Apprication
Author	Yoshiaki Toyoshima(Toshiba Corp.)
ページ	pp. 7 - 11

休憩

11:05-11:35

○

題名	<100>チャネルpMOSFETにおける駆動電流増大機構
著者	斎藤慎一, 久本大, 木村嘉伸, 杉井信之, 土屋龍太, 鳥居和功, 木村紳一郎(日立)
Title	Current-Drive Enhancement Mechanism in pMOSFET for <100> Channel
Author	S. Saito, D. Hisamoto, Y. Kimura, N. Sugii, R. Tsuchiya, K. Torii, S. Kimura(Hitachi)
ページ	pp. 13 - 18

11:35-11:55

題名	圧縮歪みを受けたGeチャネル層における原子空孔の構造とエネルギー論
著者	高井健太郎(筑波大学大学院数理物質科学研究科), 白石賢二(筑波大学大学院数理物質科学研究科、JST-CREST), 押山淳(筑波大学大学院数理物質科学研究科、JST-CREST、筑波大学計算科学センター)
Title	Structures and Energetics of Ge Vacancies in Ge Channels with Compressive Strain
Author	Kentaro Takai(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Kenji Shiraishi(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba; CREST, Japan Science and Technology Agency), Atsushi Oshiyama(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba; CREST, Japan Science and Technology Agency; Center for Computational Sciences, University of Tsukuba)
ページ	pp. 19 - 24

昼食

13:00-13:30

○

題名	HfSix電極からのSi拡散を利用した極薄（EOT < 1nm）HfO₂ゲート絶縁膜の形成とハイパフォーマンスデバイスへの適用
著者	安藤崇志, 平野智之, 田井香織, 、山口晋平, 加藤孝義, 萩本賢哉, 渡辺浩二, 山本亮, 神田さおり, 長野香, 寺内佐苗, 館下八州志, 田川幸雄, 斉藤正樹, 岩元勇人(ソニー), 吉田慎一, 渡部平司(阪大), 長島直樹, 門村新吾(ソニー)
Title	Sub-1nm HfSi_x/HfO₂ Gate Stack Using Novel Si Extrusion Process for High Performance Application
Author	T. Ando, T. Hirano, K. Tai, , S. Yamaguchi, T. Kato, Y. Hagimoto, K. Watanabe, R. Yamamoto, S. Kanda, K. Nagano, S. Terauchi, Y. Tateshita, Y. Tagawa, M. Saito, H. Iwamoto(Sony), S. Yoshida, H. Watanabe(Graduate School of Engineering, Osaka University), N. Nagashima, S. Kadomura(Sony)
ページ	pp. 25 - 30

13:30-13:50

題名	Hf-Ru合金膜の実効仕事関数変化
著者	布重裕(芝浦工業大学), 門島勝, 高場裕之(半導体MIRAI-ASET), 瀬川一宏, 木村信介(芝浦工業大学), 生田目俊秀, 佐竹秀喜(半導体MIRAI-ASET), 太田裕之(半導体MIRAI-産総研ASRC), 鳥海明(東京大学), 大石知司(芝浦工業大学)
Title	Changes of Effective Work Function of Hf-Ru Alloy Gate Electrode
Author	Yu Nunoshige(Shibaura Institute of Technology), Masaru Kadoshima, Hiroyuki Takaba(MIRAI-ASET), Kazuhiro Segawa, Shinsuke Kimura(Shibaura Institute of Technology), Toshihide Nabatame, Hideki Satake(MIRAI-ASET), Hiroyuki Ota(MIRAI-ASRC,AIST), Akira Toriumi(The University of Tokyo), Tomoji Ohishi(Shibaura Institute of Technology)
ページ	pp. 31 - 35

13:50-14:10

題名	メタル／high-k界面構造の熱的安定性と仕事関数の相関：第一原理理論計算アプローチ
著者	中山隆史, 鮎田隆一, 仁井陽道(千葉大学／理学部), 白石賢二(筑波大学／数理物質科学研究科)
Title	Thermal Stability of Metal/high-k Interfaces and its Correlation to Work Functions; First-principles Calculation
Author	Takashi Nakayama, Ryuichi Ayuda, Harumichi Nii(Chiba University/Department of Physics), Kenji Shiraishi(University of Tsukuba/Graduate School of Pure and Applied Physics)
ページ	pp. 37 - 41

14:10-14:30

題名	P-MIS向けpoly-Si/TiN積層メタルゲート電極構造におけるSi拡散抑制技術
著者	坂下真介, 川原孝昭, 水谷斉治, 井上真雄, 山成真市(（株）ルネサステクノロジ/プロセス開発部), 西田征男(（株）ルネサステクノロジ/先端デバイス開発部), 本田和仁, 村田直文(（株）ルネサステクノロジ/解析技術開発部), 由上二郎(（株）ルネサステクノロジ/プロセス開発部)
Title	The impact of Si diffusion restraint in poly-Si/TiN stacked p-type gate electrodes
Author	Shinsuke Sakashita, Takaaki Kawahara, Masaharu Mizutani, Masao Inoue, Shinichi Yamanari(Resesas Technology Corp./Process Development Dept.), Yukio Nishida(Resesas Technology Corp./Advanced Device Development Dept.), Kazuhito Honda, Naofumi Murata(Resesas Technology Corp./Process & Device Analysis Engineering Development Dept.), Jiro Yugami(Resesas Technology Corp./Process Development Dept.)
ページ	pp. 43 - 48

14:30-14:50

題名	TiNメタルゲート/HfSiON MISFETのTiNメタルゲートに起因する付加的移動度成分の解析
著者	辰村光介, 飯島良介, 石原貴光, 小山正人(東芝研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー), 後藤正和, 渡辺健, 川中繁, 高柳万里子(東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター高性能ＣＭＯＳデバイス技術開発部)
Title	Additional Mobility Component due to Replacement of Poly-Si Gate with TiN Metal Gate in HfSiON MISFET
Author	Kosuke Tatsumura, Ryosuke Iijima, Takamitsu Ishihara, Masato Koyama(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation), Masakazu Goto, Takeshi Watanabe, Shigeru Kawanaka , Mariko Takayanagi(Advanced CMOS Technology Department, Center For Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation Semiconductor Company)
ページ	pp. 49 - 54

14:50-15:10

題名	真空一貫PVD成膜により作製したTiN/HfSiONゲートスタックの構造および電気特性評価
著者	堀江伸哉(大阪大学大学院工学研究科), 南卓士, 北野尚武, 小須田求(（株）キヤノンアネルバ), 志村考功(大阪大学大学院工学研究科), 白石賢二(筑波大学), 渡部平司(大阪大学大学院工学研究科)
Title	Structural and Electrical Properties of TiN/HfSiON Gate Stacks Fabricated by PVD-based In-situ Fabrication Method
Author	Shinya Horie(Graduate School of Engineering, Osaka University), Takashi Minami, Naomu Kitano, Motomu Kosuda(Canon ANELVA Corporation), Takayoshi Shimura(Graduate School of Engineering, Osaka University), Kenji Shiraishi(University of Tsukuba), Heiji Watanabe(Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 55 - 59

休憩

15:30-16:00

○

Title	Electrical and Reliability Characteristics of Metal/high-K MOSFET
Author	Hokyung Park, Musarrat Hasan, Man Chang, Minseok Jo, Hyunsang Hwang(Gwangju Institute Science and Technology)
ページ	pp. 61 - 65

16:00-16:30

○

題名	ゲート酸化膜界面および膜中の欠陥生成およびその相関
著者	三谷祐一郎, 山口豪, 佐竹秀喜(東芝), 鳥海明(東京大学大学院工学研究科)
Title	Defect Creations at Si/SiO₂ Interface and Bulk SiO₂
Author	Yuichiro Mitani, Takeshi Yamaguchi, Hideki Satake(Corporate R&D Center, Toshiba Corp.), Akira Toriumi(Department of Materials Science, The University of Tokyo)
ページ	pp. 67 - 72

16:30-16:50

題名	局所的ゲートリーク電流の統計的評価によるフラッシュメモリのBit不良評価
著者	熊谷勇喜(東北大学工学部), 須川成利(東北大学大学院工学研究科), 諏訪智之, 宮本直人(東北大学未来科学技術共同研究センター), 鎌田浩(宮城沖電気（株）), 寺本章伸, 大見忠弘(東北大学未来科学技術共同研究センター)
Title	Statistical Evaluation of Localized Gate Leakage Current for Bit Error Evaluation in Flash Memory
Author	Yuki Kumagai(School of Engineering, Tohoku University), Shigetoshi Sugawa(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Tomoyuki Suwa, Naoto Miyamoto(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University), Yutaka Kamata(Miyagi Oki Electric Co.,Ltd), Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University)
ページ	pp. 73 - 78

16:50-17:10

題名	ノーマリーオフAccumulation-Mode SOI nMOSFETにおけるHot Carrier Instabilityのメカニズム
著者	黒田理人(東北大学大学院工学研究科), 寺本章伸, Cheng Weitao(東北大学未来科学技術共同研究センター), 須川成利(東北大学大学院工学研究科), 大見忠弘(東北大学未来科学技術共同研究センター)
Title	Hot Carrier Instability Mechanism in Normally-Off Accumulation-Mode Silicon On Insulator nMOSFETs
Author	Rihito Kuroda(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Akinobu Teramoto, Weitao Cheng(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University), Shigetoshi Sugawa(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Tadahiro Ohmi(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University)
ページ	pp. 79 - 84

17:10-18:00

ポスターショートプレゼン

18:10-19:30

夕食・懇親会

19:30-22:00

ポスターセッション

2007年2月3日(土)

9:00-9:50

◎

題名	産業競争力に貢献するCOEコンソーシアム
著者	大路譲(株式会社半導体テクノロジーズ)
Title	COE Consortium for Stretch of Industrial Competitive Ability
Author	Yuzuru Ohji(Selete)
ページ	pp. 85 - 89

9:50-10:20

○

題名	室温におけるGe MOS構造の等価回路と解析
著者	福田幸夫, 王谷洋平(諏訪東京理科大学), 小野俊郎(弘前大学)
Title	Equivalent Circuits and Analyses of Germanium Metal-Oxide-Semiconductor Structures at Room Temperature
Author	Yukio Fukuda, Yohei Otani(Tokyo Univ. of Science, Suwa), Toshiro Ono(Hirosaki Univ.)
ページ	pp. 91 - 96

10:20-10:40

Title	Reduced π-bond Primitive Unit Cell Coupling in High-k Elemental Oxide dielectrics decreases in defects densities and changes from discrete valence and conduction band edge defects to continuous band tail defects
Author	G. Lucovsky, H. Seo, S. Lee, L. B. Fleming, M. D. Ulrich(North Carolina State University), J. Luning(Stanford Synchrotron Radiation Laboratory)
ページ	pp. 97 - 102

休憩

11:00-11:20

題名	TiN/HfSiONゲートスタック構造の実効仕事関数評価と制御指針
著者	大田晃生, 宮崎誠一(広島大学大学院先端物質科学研究科), 赤坂泰志((株)半導体先端テクノロジーズ), 渡部平司 (大阪大学), 白石賢二(筑波大学), 山田啓作(早稲田大学), 犬宮誠治, 奈良安雄((株)半導体先端テクノロジーズ)
Title	A New Insight into Control of Fermi Level Pinnng in TiN/HfSiON Gate Stack
Author	Akio Ohta, Seiichi Miyazaki(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Yasushi Akasaka(Semiconductor Leading Edge technologies, Inc.), Heiji Watanabe(Osaka Universtiy), Kenji Shiraishi(University of Tsukuba), Keisaku Yamada(Waseda University), Seiji Inumiya, Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge technologies, Inc.)
ページ	pp. 103 - 108

11:20-11:40

題名	高電界印加後のシリコン酸化膜中の損傷評価
著者	岡本真一, 徳河唯, 蓮沼隆(筑波大学), 荻野正明, 栗林均, 須ヶ原紀之(富士電機デバイス研), 山部紀久夫(筑波大学)
Title	Characterization of Damage in SiO₂ Films Induced by High Electric Field
Author	Shinichi Okamoto, Yui Tokukawa, Ryu Hasunuma(Tsukuba University), Masaaki Ogino, Hitoshi Kuribayashi, Yukinori Sugahara(Fuji Electric Corpration), Kikuo Yamabe(Tsukuba University)
ページ	pp. 109 - 112

11:40-12:00

題名	コンダクタンス法によるGe-MIS界面欠陥の特性評価
著者	田岡紀之(半導体MIRAI-ASRC), 池田圭司, 山下良美, 原田真臣, 山本豊二, 杉山直治(半導体MIRAI-ASET), 高木信一(半導体MIRAI-ASRCおよび東京大学)
Title	Properties of Ge-MIS interface defects analyzed by conductance method
Author	Noriyuki Taoka(MIRAI-ASRC), Keiji Ikeda, Yoshimi Yamashita, Masaomi Harada , Toyoji Yamamoto, Naoharu Sugiyama(MIRAI-ASET), Shin-ichi Takagi(MIRAI-ASRC and The University of Tokyo)
ページ	pp. 113 - 118

昼食

13:00-13:30

○

題名	シリコン／酸化膜界面ラフネスとその形成機構
著者	尾身博雄, 影島博之, 植松真司(NTT)
Title	Origin of Si/SiO2 Interface Roughness
Author	Hiroo Omi, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu(NTT)
ページ	pp. 119 - 124

13:30-13:50

題名	超純水中のSiO₂微粒子により平坦化したSi(001)表面の原子レベル解析と表面創成機構の解明
著者	有馬健太(大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻), 久保田章亀(熊本大学大学院自然科学研究科機械システム工学部門), 三村秀和(大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻), 加藤潤(大阪大学大学院工学研究科超精密科学研究センター), 稲垣耕司(大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻), 森勇藏, 遠藤勝義(大阪大学大学院工学研究科超精密科学研究センター), 山内和人(大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻)
Title	Atomic-scale Observations of Si(001) Surfaces Flattened by SiO₂ Particles in Ultrapure Water and Elucidation of Its Surface Formation Mechanism
Author	Kenta Arima(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Akihisa Kubota(Department of Mechanical Engineering, Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University), Hidekazu Mimura(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Jun Katoh(Research Center for Ultra-precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Kouji Inagaki(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Yuzo Mori, Katsuyoshi Endo(Research Center for Ultra-precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Kazuto Yamauchi(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 125 - 130

13:50-14:10

題名	高誘電率材料の誘電率の起源に関する理論的研究
著者	土井謙太郎(京大院工マイクロエンジニアリング専攻 ), 三日月豊, 杉野真也, 土井立樹, Pawel Szarek, 立花明知(京大院工マイクロエンジニアリング専攻)
Title	Theoretical Study on the Origin of Dielectric Constant of Hhigh-k Materials
Author	Kentaro Doi, Yutaka Mikazuki, Shinya Sugino, Tatsuki Doi, Pawel Szarek, Akitomo Tachibana(Kyoto Univ. Dept. of Micro Engineering)
ページ	pp. 131 - 136

14:10-14:30

題名	フェリチンタンパクを利用したフローティングゲートメモリ～High-Kゲート絶縁膜による高性能化～
著者	パンチャイペッチ, 三浦篤志, 浦岡行治(奈良先端科学技術大学院大学), 冬木隆(Nara Institute of Science and Technology), 吉井重雄, 山下一郎(松下電器産業株式会社)
Title	Floating Gate Memory Based on Biomineralized Ferritin ProteinEmbedded in High-K gate Oxide
Author	Prakaipetch Punchaipetch, Atsushi Miura, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki(Nara Institute of Science and Technology), Shigeo Yoshii, Ichiro Yamashita(Matsushita Electric Industrial Company)
ページ	pp. 137 - 142

14:30-14:50

題名	SiGe/SOI構造の酸化濃縮過程における自己停止現象とその解析
著者	志村考功, 清水教弘, 堀内慎一郎, 渡部平司, 安武潔(大阪大学大学院工学研究科), 梅野正隆(福井工業大学工学部)
Title	Observation and Mechanism of Self-limiting Oxidation of SiGe/SOI structure
Author	Takayoshi Shimura, Michihiro Shimizu, Shinichiro Horiuchi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake(Graduate School of Engineering, Osaka University), Masataka Umeno(Faculty of Engineering, Fukui University of Technology)
ページ	pp. 143 - 147

休憩

15:10-15:40

○

題名	極薄HfSiONゲート絶縁膜の形成
著者	犬宮誠治(Selete)
Title	Formation of Ultra-thin HfSiON Gate Dielectrics
Author	Seiji Inumiya(Selete)
ページ	pp. 149 - 154

15:40-16:00

題名	アモルファスHfO₂ゲート絶縁膜中の欠陥生成
著者	金田千穂子, 山崎隆浩(富士通研究所)
Title	Defects Generation in Amorphous HfO₂ Gate Dielectrics
Author	Chioko Kaneta, Takahiro Yamasaki(Fujitsu Laboratories Ltd.)
ページ	pp. 155 - 159

16:00-16:20

題名	表面構造制御による極薄界面層を持つsub-nm-EOT high-kゲートスタックの形成
著者	森田行則(半導体MIRAI-産総研ASRC), 岩本邦彦, 小川有人, 高橋正志(半導体MIRAI-ASET), 太田裕之(半導体MIRAI-産総研ASRC), 生田目俊秀(半導体MIRAI-ASET), 鳥海明(半導体MIRAI-産総研ASRC, 東大工)
Title	Sub-nm-EOT high-k gate stack with controlled interlayer formed by atomic-level surface control
Author	Yukinori Morita(MIRAI-ASRC AIST), Kunihiko Iwamoto, Arito Ogawa, Masashi Takahashi(MIRAI-ASET), Hiroyuki Ota(MIRAI-ASRC AIST), Toshihide Nabatame(MIRAI-ASET), Akira Toriumi(MIRAI-ASRC AIST, The University of Tokyo)
ページ	pp. 161 - 164

16:20-16:40

題名	High-k/Ge MISキャパシタ特性のHigh-k材料による違いの起源
著者	喜多浩之, 能村英幸, 西村知紀, 鳥海明(東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
Title	Impact of Dielectric Material Selection on Electronic Characteristics of High-k/Ge MIS Capacitors
Author	Koji Kita, Hideyuki Nomura, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo)
ページ	pp. 165 - 170

16:40-17:00

題名	HfO₂/Si直接接合による界面ダイポールの誘起
著者	阿部泰宏, 宮田典幸(産業技術総合研究所,武蔵工業大学), 白木靖寛(武蔵工業大学), 安田哲二(産業技術総合研究所)
Title	Interface Dipole Induced by Contact of HfO₂ with Si Substrate
Author	Yasuhiro Abe, Noriyuki Miyata(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,Musashi Institute of Technology), Yasuhiro Shiraki(Musashi Institute of Technology), Tetsuji Yasuda(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
ページ	pp. 171 - 176

閉会にあたって

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2007年2月2日(金) 19:30-22:00)

【形成・基礎物性】

題名	ECRプラズマ技術を用いたGe-MIS用Ta₂O₅/GeN_xゲートスタックの形成
著者	王谷洋平, 板山泰裕, 田中拓男, 福田幸夫(諏訪東京理科大学), 豊田宏, 小野俊郎(弘前大学), 三井実, 中川清和(山梨大学)
Title	Fabrication of Ta₂O₅/GeN_x Gate Insulator Stack for Ge Metal-Insulator-Semiconductor Structures by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Techniques
Author	Yohei Otani, Yasuhiro Itayama, Takuo Tanaka, Yukio Fukuda(Tokyo University of Science, Suwa), Hiroshi Toyota, Toshiro Ono(Hirosaki University), Minoru Mitsui, Kiyokazu Nakagawa(University of Yamanashi)
ページ	pp. 177 - 180

題名	極薄SiO2/Si構造における絶縁膜形成過程と界面準位の関係
著者	松下大介, 加藤弘一, 村岡浩一, 三谷祐一郎(（株）東芝 LSI基盤技術ラボラトリー)
Title	Effects of insulator’s formation process on the interface states at thin thick SiO2/Si
Author	Daisuke Matsushita, Koichi Kato, Yuuichiro Mitani, Yuichiro Mitani(Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corp.)
ページ	pp. 181 - 186

題名	Si酸化過程の微視的機構に関する考え方
著者	影島博之, 植松真司(NTT物性科学基礎研究所), 秋山亨, 伊藤智徳(三重大学工学部)
Title	Scheme on microscopic mechanism of Si themral oxidation processes
Author	Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu(NTT Basic Research Laboratories), Toru Akiyama, Tomonori Ito(Faculty of Engineering, Mie University)
ページ	pp. 187 - 190

題名	酸化誘起歪を伴った極薄SiO₂/Si界面における酸化反応の検討
著者	秋山亨(三重大学大学院工学研究科), 影島博之, 植松真司(NTT物性科学基礎研究所), 伊藤智徳(三重大学大学院工学研究科)
Title	Oxidation reaction at ultrathin Si-oxide/Si interface with oxidation-induced strain
Author	Toru Akiyama(Department of Physics Engineering, Mie University), Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu(NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation), Tomonori Ito(Department of Physics Engineering, Mie University)
ページ	pp. 191 - 195

題名	Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価
著者	山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科), 中塚理(名古屋大学エコトピア科学研究所), 竹内正太郎(名古屋大学大学院工学研究科), 小川正毅(名古屋大学先端技術共同研究センター), 財満鎭明(名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Atomic Scale Evaluation of Etching and Oxidation Processes on Ge(001) Surfaces
Author	Masahiro Yamazaki, Yasunobu Wakazono, Akira Sakai(Graduate School of Engineering,Nagoya University), Osamu Nakatsuka(Graduate School of ESI,Nagoya University), Shotarou Takeuchi(Graduate School of Engineering,Nagoya University), Masaki Ogawa(Graduate School of CCRAST,Nagoya University), Shigeaki Zaima(Graduate School of Engineering,Nagoya University)
ページ	pp. 197 - 202

題名	Si(110)-16×2初期酸化過程のSTM観察
著者	富樫秀晃, 高橋裕也, 加藤篤, 今野篤史, 末光眞希(東北大学学際科学国際高等研究センター), 朝岡秀人(日本原子力研究開発機構)
Title	STM Observation on Initial Oxidation Process at Si(110)-16×2 Surface
Author	Hideaki Togashi, Yuya Takahashi, Atsushi Kato, Atsushi Konno, Maki Suemitsu(Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University), Hidehito Asaoka(Japan Atomic Energy Agency)
ページ	pp. 203 - 207

題名	Si(110)-16x2初期酸化過程のリアルタイム光電子分光
著者	山本喜久, 富樫秀晃, 加藤篤, 長谷川智, 後藤成一, 中野卓哉, 末光眞希(東北大学学際科学国際高等研究センター), 成田克(九州工業大学), 吉越章隆, 寺岡有殿(日本原子力研究開発機構)
Title	Real time SR-XPS on initial oxidation process at Si(110)-16x2 surface
Author	Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Satoshi Hasegawa, Seiichi Goto, Takuya Nakano, Maki Suemitsu(Center for Interdisciplinary Research,Tohoku University), Yuzuru Narita(Kyusyu Institute of Technology), Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka(Japan Atomic Energy Agency)
ページ	pp. 209 - 213

題名	分子動力学法によるシリコンナノ構造体中の歪分布に関する研究
著者	太田洋道(早稲田大学大学院理工学研究科), 渡邉孝信, 大泊巌(早稲田大学理工学術院)
Title	Strain Distribution around SiO₂/Si Interface in Nanostructure: A Molecular Dynamics Study
Author	Hiromichi Ohta, Takanobu Watanabe, Iwao Ohdomari(Science & Engineering, Waseda University)
ページ	pp. 215 - 220

題名	高駆動能力・低コストのhigh-k CMIS
著者	林岳, 西田征男(ルネサステクノロジ／先端デバイス開発部), 坂下真介, 水谷斉治, 山成真市, 東雅彦, 川原孝昭, 井上真雄, 由上二郎, 土本淳一(ルネサステクノロジ／プロセス開発部), 志賀克哉, 村田直文(ルネサステクノロジ／解析技術開発部), 佐山弘和, 山下朋弘, 尾田秀一, 黒井隆, 栄森貴尚, 井上靖朗(ルネサステクノロジ／先端デバイス開発部)
Title	Cost Worthy and High Performance LSTP CMIS; Poly-Si/HfSiON nMIS and Poly-Si/TiN/HfSiON pMIS
Author	Takashi Hayashi, Yukio Nishida(Renesas Technology Corp./Advanced Device Development Dept.), Shinsuke Sakashita, Masaharu Mizutani, Shinichi Yamanari, Masahiko Higashi, Takaaki Kawahara, Masao Inoue, Jiro Yugami, Junichi Tsuchimoto(Renesas Technology Corp./Process Development Dept.), Katsuya Shiga, Naofumi Murata(Renesas Technology Corp./Process & Device Analysis Engineering Development Dept.), Hirokazu Sayama, Tomohiro Yamashita, Hidekazu Oda, Takashi Kuroi, Takahisa Eimori, Yasuo Inoue(Renesas Technology Corp./Advanced Device Development Dept.)
ページ	pp. 221 - 225

題名	SiO₂/Si (001)界面のナノスケール誘電特性
著者	涌井貞一, 中村淳, 名取晃子(電気通信大学/電気通信学研究科電子工学専攻)
Title	Nanoscale dielectric properties at the Si/SiO₂ interfaces
Author	Sadakazu Wakui, Jun Nakamura, Akiko Natori(The University of Electro-Communications/Department of Electronic-Engineering)
ページ	pp. 227 - 231

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名	Hf系ゲート絶縁膜と界面層へのSiキャップアニールの効果
著者	高橋正志(半導体MIRAI-ASET), 佐竹秀喜(東芝), 門島勝(セリート), 小川有人, 岩本邦彦(半導体MIRAI-ASET), 森田行則, 太田裕之(半導体MIRAI-産総研ASRC), 生田目俊秀(半導体MIRAI-ASET), 鳥海明(半導体MIRAI-産総研ASRC、東大工)
Title	Effects of Si-Capped Annealing on Hf-based Gate Dielectrics and Interfacial Layer
Author	Masashi Takahashi(MIRAI-ASET), Hideki Satake(Toshiba), Masaru Kadoshima(Selete), Arito Ogawa, Kunihiko Iwamoto(MIRAI-ASET), Yukinori Morita, Hiroyuki Ota(MIRAI-ASRC AIST), Toshihide Nabatame(MIRAI-ASET), Akira Toriumi(MIRAI-ASRC AIST,The University of Tokyo)
ページ	pp. 233 - 238

題名	HfSiONゲート絶縁膜を用いたデュアルメタルゲートCMOSのプロセスの検討
著者	水谷斉治, 坂下真介, 東雅彦, 武島豊, 山成真市((株)ルネサステクノロジ/プロセス開発部), 林岳, 西田征男((株)ルネサステクノロジ/先端デバイス開発), 志賀克哉((株)ルネサステクノロジ/解析技術開発部), 川原孝昭, 井上真雄, 由上二郎((株)ルネサステクノロジ/プロセス開発部)
Title	A Study of Dual Metal Gate CMOS Process with HfSiON Gate Dielectric
Author	Masaharu Mizutani, Shinsuke Sakashita, Masahiko Higashi, Yutaka Takeshima, Shinichi Yamanari(Renesas Technology Corp./Process Development Dept.), Takashi Hayashi, Yukio Nishida(Renesas Technology Corp./Advanced Device Development Dept.), Katsuya Shiga(Renesas Technology Corp./Process & Device Analysis Engineering Development Dept.), Takaaki Kawahara, Masao Inoue, Jiro Yugami(Renesas Technology Corp./Process Development Dept.)
ページ	pp. 239 - 244

題名	MOCVD法により作製したPrシリケート極薄膜の化学結合状態のアニール処理依存性
著者	古川亮介(東工大量ナノエレ研セ・院理工、武蔵工大工), 土屋良重(東工大量ナノエレ研セ・院理工), 松田徹, 野平博司(武蔵工大工), 水田博(東工大量ナノエレ研セ・院理工), 丸泉琢也(武蔵工大工), 白木靖寛, 服部健雄(武蔵工大総研), 池永英司(理研/Spring-8), 小林啓介(高輝度光化学研究センター), 小田俊理(東工大量ナノエレ研セ・院理工)
Title	Effects of Post Deposition Annealing on Chemical Structures of MOCVD-grown Pr-Silicate and Pr-Silicate/Si Interface
Author	Ryousuke Furukawa(QNERC & Dept. of Phys. Electronics, Tokyo Tech、Dept. of E&E, Mi-Tech), Yoshishige Tsuchiya(QNERC & Dept. of Phys. Electronics, Tokyo Tech), Tooru Matsuda, Hiroshi Nohira(Dept. of E&EE, Mi-Tech), Hiroshi Mizuta(QNERC & Dept. of Phys. Electronics, Tokyo Tech), Takuya Maruizumi(Dept. of E&EE, Mi-Tech), Yasuhiro Shiraki, Takeo Hattori(Adv. Research Lab., Mi-Tech), Eiji Ikenaga(RIKEN/SPring-8), Keisuke Kobayashi(JASRI/SPring-8), Shunri Oda(QNERC & Dept. of Phys. Electronics, Tokyo Tech)
ページ	pp. 245 - 249

題名	パルスレーザー蒸着法によるGe基板上へのPr酸化膜の作製とその構造及び電気的特性評価
著者	鬼頭伸幸, 坂下満男, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科), 中塚理(名古屋大学エコトピア科学研究所), 近藤博基(名古屋大学大学院工学研究科), 小川正毅(名古屋大学先端技術共同研究センター), 財満鎭明(名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Pulsed Laser Deposition of Pr Oxide Films on Ge Substrates and Evaluation of the Structural and Electrical Properties
Author	Nobuyuki Kito, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Graduate School of Engineering,Nagoya University), Osamu Nakatsuka(Graduate School of ESI,Nagoya University), Hiroki Kondo(Graduate School of Engineering,Nagoya University), Masaki Ogawa(Graduate School of CCRAST,Nagoya University), Shigeaki Zaima(Graduate School of Engineering,Nagoya University)
ページ	pp. 251 - 256

題名	極薄Si Doped HfO₂のリーク機構の解明とトンネル有効質量の決定
著者	富田一行, 喜多浩之, 鳥海明(東京大学・院・工マテリアル工学)
Title	Clarification of Leakage Mechanism and Determination of Tunneling Effective Mass in Ultra-thin Si-Doped-HfO₂ Film
Author	Kazuyuki Tomida, Koji Kita, Akira Toriumi(Department of Materials Engineering, School of Engineering, The university of Tokyo )
ページ	pp. 257 - 262

題名	スパッタ法による作製されたAl₂O₃薄膜の電気特性評価
著者	西岡浩, 菊地真, 木村勲, 神保武人, 鄒紅コウ(アルバック半導体技術研究所)
Title	Electrical Properties of Al₂O₃ Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering Method
Author	Yutaka Nishioka, Shin Kikuchi, Isao Kimura, Takehito Jimbo, Koukou Suu(Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc.)
ページ	pp. 263 - 265

題名	HfO₂およびHfシリケートにおいて窒化が結晶化を抑制する効果
著者	山崎隆浩, 金田千穂子(富士通研究所/シリコンテクノロジ開発研究所)
Title	Effects of Crystallization-Inhibition by Nitridation in HfO₂ and Hf-Silicate Materials
Author	Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta(FUJITSU Labs.)
ページ	pp. 267 - 270

題名	Hf_1-XSi_XO₂/SiO₂界面の熱的安定性に対する窒素添加効果
著者	高橋憲彦, 山崎隆浩, 金田千穂子(富士通研究所)
Title	The Effect of Nitrogen on Thermal Stability in Hf_1-XSi_XO₂/SiO₂ Interface Region
Author	Norihiko Takahashi, Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta(FUJITSU LABORATORIES LTD.)
ページ	pp. 271 - 276

【メタルゲート電極】

題名	Pt-germanideゲート電極の結晶構造及び電気的特性の評価
著者	池野大輔, 古米孝平, 近藤博基, 坂下満男, 酒井朗(名古屋大学/工学研究科), 小川正毅(名古屋大学/先端技術共同研究センター), 財満鎭明(名古屋大学/工学研究科)
Title	Evaluation of Crystalline and Electrical Properties in Pt-germanide Gate Electrodes
Author	Daisuke Ikeno, Kouhei Furumai, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Nagoya University/Graduate School of Engineering), Masaki Ogawa(Nagoya University/Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology), Shigeaki Zaima(Nagoya University/Graduate School of Engineering)
ページ	pp. 277 - 282

題名	次世代nMOSFET用HfSi_x/HfO₂/Siゲートスタックの界面反応メカニズム
著者	喜多祐起, 吉田慎一(大阪大学工学研究科), 安藤崇志, 田井香織, 岩元勇人(ソニー(株) 半導体事業グループセミコンダクタテクノロジー開発本部), 志村考功, 渡部平司, 安武潔(大阪大学工学研究科)
Title	Study on Interface Reactions of HfSi_x/HfO₂/Si Gate Stacks for Advanced nMOSFET Application
Author	Yuki Kita, Shinichi Yoshida(Graduate School of Engineering, Osaka University), Takashi Ando, Kaori Tai, Hayato Iwamoto(Sony Corporation), Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake(Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 283 - 287

題名	Pd₂Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調
著者	細井卓治, 佐野孝輔, 法澤公成, 芝原健太郎(広島大学ナノデバイス・システム研究センター )
Title	Formation Kinetics and Workfunction Tuning of Pd₂Si Fully-Silicided Gate
Author	Takuji Hosoi, Kosuke Sano, Kosei Hosawa, Kentaro Shibahara(Res. Cnt. for Nanodevices and Systems, Hiroshima Univ.)
ページ	pp. 289 - 292

【高移動度化技術】

題名	Ge窒化膜を界面層とするHfO₂/Ge-MIS構造の特性
著者	前田辰郎, 森田行則, 西澤正泰(MIRAI 次世代半導体研究センター産総研), 高木信一(東大院新領域)
Title	Characteristics of HfO₂/Ge-nitride/Ge MIS structures
Author	Tatsuro Maeda, Yukinori Morita , Masayasu Nishizawa(MIRAI ASRC-AIST), Shinichi Takagi(The University of Tokyo)
ページ	pp. 293 - 298

題名	ラジカル窒化法で作製したSi₃N₄/Ge₃N₄/Ge積層構造の化学結合構造および電気的特性評価
著者	小田繁尚, 近藤博基, 柳至, 坂下満男, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科), 小川正毅(名古屋大学先端技術共同研究センター), 財満鎭明(名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Chemical Bonding Structures and Electrical Characteristics of Si₃N₄/Ge₃N₄/Ge Stacked Structures Formed by Radical Nitridation
Author	Shigehisa Oda, Hiroki Kondo, Itaru Yanagi, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Graduate School of Engineering, Nagoya University), Masaki Ogawa(Center for Cooperative Research in Advanced Science & Technology, Nagoya University), Shigeaki Zaima(Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 299 - 304

題名	歪Si FETsの電気特性評価
著者	清家綾, 丹下智之, 佐野一拓, 杉浦裕樹, 大泊巌(早稲田大学理工学部)
Title	Electron Mobility Enhancement of Strain-Si FETs
Author	Aya Seike, Tomoyuki Tange, Itsutaku Sano, Yuuki Sugiura, Iwao Ohdomari(Waseda University, School of Science and Engineering)
ページ	pp. 305 - 306

【評価】

題名	Si(001)表面酸化中の界面歪みSi層の高輝度放射光XPSによる追跡
著者	小川修一(東北大多元研), 吉越章隆(原研放射光), 石塚眞治(秋田高専物質工), 寺岡有殿(原研放射光), 高桑雄二(東北大多元研)
Title	Real-time Monitoring of Interfacial Strained Si Layers during Oxidation on Si(001) Surface by XPS Using High Brightness Synchrotron Radiation
Author	Shuichi Ogawa(IMRAM, Tohoku University), Akitaka Yoshigoe(Japan Atomic Energy Research Agency), Shinji Ishidzuka(Akita National College of Technology), Yuden Teraoka(Japan Atomic Energy Research Agency), Yuji Takakuwa(IMRAM, Tohoku University)
ページ	pp. 307 - 312

題名	放射光を用いたpoly-Si/HfO₂/SiO₂/Siゲートスタック構造の界面反応解析：加熱雰囲気制御
著者	高橋晴彦, 豊田智史, 組頭広志, 尾嶋正治(東大院工), 池田和人, 劉国林, 劉紫園, 臼田宏治(半導体理工学研究センター)
Title	Suppression of Interfacial Reaction by Atmosphere Controlled Annealing for Poly-Si/HfO₂/SiO₂/Si Gate Stack Structures
Author	Haruhiko Takahashi, Satoshi Toyoda, Hiroshi Kumigashira, Masaharu Oshima(The University of Tokyo), Kazuto Ikeda, Guo-Lin Liu, Ziyuan Liu, Koji Usuda(STARC)
ページ	pp. 313 - 316

題名	高分解能RBSによるHfO₂/SiO₂/Si上のTi層の酸素ゲッタリングのその場観察
著者	藤吉旭, 趙明, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二(京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
Title	In-situ observation of oxygen-gettering by titanium overlayer on HfO₂/SiO₂/Si using high-resolution Rutherford backscattering spectroscopy
Author	Akira Fujiyoshi, Ming Zhao, Kaoru Nakajima, Motofumi Suzuki, Kenji Kimura(Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページ	pp. 317 - 320

題名	Ni-FUSI/ゲート絶縁膜スタック系試料のSIMS分析
著者	杉本智美, 宮本隆志, 竹野文人, 齋藤正裕, 山元隆志, 藤山紀之(（株）東レリサーチセンター)
Title	SIMS Analysis on Fully-Silicided NiSi/SiO₂ Gate Stacked Structures
Author	Tomomi Sugimoto, Takashi Miyamoto, Fumito Takeno, Masahiro Saito, Takashi Yamamoto, Noriyuki Fujiyama(Toray Research Center, Inc.)
ページ	pp. 321 - 326

題名	不純物ドープNi-FUSIの界面構造（AsとBの違いとドーズ量依存性）
著者	山元隆志, 小川慎吾, 宮本隆志(東レリサーチセンター表面科学研究部), 松田景子(東レリサーチセンター構造化学研究部), 竹野文人, 杉本智美, 斎藤正裕, 藤山紀之(東レリサーチセンター表面科学研究部)
Title	Interface Structure of Impurity Doped Ni-FUSI
Author	Takashi Yamamoto, Shingo Ogawa, Takashi Miyamoto(Toray Research Center, Inc. Surface Science Lab.), Keiko Matsuda(Toray Research Center, Inc. Material Science Lab.), Fumito Takeno, Tomomi Sugimoto, Masahiro Saito(Toray Research Center, Inc. Surface Science Lab.), Noriyuki Fujiyama(Toray Research Center, Inc. Surface Science)
ページ	pp. 327 - 332

題名	光電子収率分光法によるN添加Hfシリケートの欠陥準位密度評価
著者	宗高勇気, 大田晃生, 津郷晶也, 中川博, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一(広島大学大学院先端物質科学研究科), 犬宮誠治, 奈良安雄((株)半導体先端テクノロジーズ)
Title	Evaluation of Defect State Density in HfSiO_xN_y/Si(100) System by Total Photoelectron Yield Spectroscopy
Author	Yuki Munetaka, Akio Ohta, Akinari Tsugou, Hiroshi Nakagawa, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Seiji Inumiya, Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge technologies, Inc.)
ページ	pp. 333 - 338

【信頼性】

題名	NBTI信頼性に優れる45nm世代向けプラズマ直窒化SiON成膜プロセス
著者	田中聖康(日本電気システムデバイス研究所), 小山晋, 長谷川英司(NECエレクトロニクス), Chris Olsen(Front End Products Group Applied Materials, Inc.), 獅子口清一(NECエレクトロニクス), 羽根正巳(日本電気システムデバイス研究所)
Title	NBTI Immune First Plasma Nitridation SiON Process for 45nm node Gate Dielectrics
Author	Masayasu Tanaka(System Devices Research Laboratories, NEC Corporation), Shin Koyama, Eiji Hasegawa(NEC Electronics Corporation), Chris Olsen(Front End Products Group Applied Materials, Inc.), Seiichi Shishiguchi(NEC Electronics Corporation), Masami Hane(System Devices Research Laboratories, NEC Corporation)
ページ	pp. 339 - 344

題名	La₂O₃-Al₂O₃複合膜における電子および正孔捕獲サイトの電荷捕獲過程と酸素熱処理の効果
著者	佐合寿文, 世古明義, 坂下満男, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科), 小川正毅(名古屋大学先端技術共同研究センター), 財満鎭明(名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Electron and Hole Trapping Processes in La₂O₃-Al₂O₃ Composite Films and the Influence of Thermal Oxidation
Author	Toshifumi Sago, Akiyoshi Seko, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Graduate School of Engineering, Nagoya University), Masaki Ogawa(Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University), Shigeaki Zaima(Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 345 - 350

題名	ゲートSiO₂膜における捕獲電荷の分布中心・密度の電流検出型原子間力顕微鏡評価
著者	世古明義, 佐合寿文, 坂下満男, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科), 小川正毅(名古屋大学先端技術共同研究センター), 財満鎭明(名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Determination of Centroid and Densities of Trapped Electrons and Holes in Gate SiO₂ Films Using Conductive Atomic Force Microscopy
Author	Akiyoshi Seko, Toshifumi Sago, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Graduate School of Engineering, Nagoya University), Masaki Ogawa(Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University), Shigeaki Zaima(Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 351 - 356

題名	窒素添加によるHfSiON膜の絶縁破壊寿命の均一化
著者	田村知大, 内藤達也(筑波大学電子・物理工学専攻), 犬宮誠治((株)半導体先端テクノロジーズ), 蓮沼隆, 山部紀久夫(筑波大学電子・物理工学専攻)
Title	Homogeneous dielectric breakdown lifetime of HfSiON films achieved by nitridation
Author	Chihiro Tamura, Tatsuya Naito(Inst. of Appl. Phys, Univ of Tsukuba), Seiji Inumiya(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (Selete)), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe(Inst. of Appl. Phys, Univ of Tsukuba)
ページ	pp. 357 - 361

題名	Poly-Si/HfSiONゲートスタックの伝導と絶縁破壊寿命との相関
著者	内藤達也, 田村知大(筑波大学電子・物理工学専攻), 犬宮誠治(半導体先端テクノロジーズ), 蓮沼隆, 山部紀久夫(筑波大学電子・物理工学専攻)
Title	Correlation of Conduction and Lifetime in Poly-Si/HfSiON Gate Stacks
Author	Tatsuya Naito, Chihiro Tamura(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba), Seiji Inumiya(Semiconductor Leading Edge Technologies), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba)
ページ	pp. 363 - 368

応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」 第12回研究会研究報告プログラム