「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」 (第11回研究会)

応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催
特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」
第11回研究会研究報告プログラム

論文リスト (口頭発表)

(「◎、○」印は招待講演)

2006年2月2日(木)

20:00-22:00

チュートリアル：ゲート絶縁膜の信頼性技術（講師：岡田、佐竹（MIRAI））

2006年2月3日(金)

9:00-9:05

開会にあたって

9:05-9:55

◎

題名	Gate Stack Scaling for Advanced CMOS: Progress and Challenges
著者	G ウィルク(ASM)
Title	Gate Stack Scaling for Advanced CMOS: Progress and Challenges
Author	Glen Wilk(ASM)
ページ	pp. 1 - 6

9:55-10:45

◎

題名	Hf系High-kゲートスタックの現状と課題－ Ni-FUSIゲート/High-kを中心として
著者	丹羽正昭(松下)
Title	Challenges & opportunities for Hf-based High-k Gate Stack -- Ni-FUSI/High-k gate
Author	Masaaki Niwa(Matsushita)
ページ	pp. 7 - 12

休憩

11:05-11:35

○

題名	Si酸化膜中の残留秩序構造と絶縁膜/Si界面反応研究への応用
著者	志村考功, 三島永嗣, 渡部平司, 安武潔(大阪大学大学院工学研究科), 梅野正隆(福井工業大学工学部), 辰村光介, 渡邉孝信, 大泊巌(早稲田大学理工学部)
Title	Residual Order in Thermal Oxide Layers and Its application to the Study of Interface Reaction
Author	Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake(Graduate School of Engin., Osaka Univ.), Masataka Umeno(Faculty of Engin., Fukui Univ. of Tech.), Kosuke Tatsumura, Takanobu Watanabe, Iwao Ohdomari(Faculty of Sci. and Engin., Waseda Univ.)
ページ	pp. 13 - 18

11:35-11:55

題名	湿式洗浄プロセスを経たSi(110)表面の原子構造観察
著者	有馬健太(大阪大学大学院工学研究科精密科学応用物理学専攻), 加藤潤, 遠藤勝義(大阪大学大学院工学研究科超精密科学研究センター), 赤堀浩史(東北大学未来科学技術共同研究センター), 須川成利(東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻), 寺本章伸, 大見忠弘(東北大学未来科学技術共同研究センター)
Title	Atomic-scale Observations of Si(110) Surfaces after Wet Cleaning
Author	Kenta Arima(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Jun Katoh, Katsuyoshi Endo(Research Center for Ultra-Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Hiroshi Akahori(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University), Shigetoshi Sugawa(Department of Management of Science and Technology, Graduate School of Engineering, Tohoku University), Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University)
ページ	pp. 19 - 24

昼食

13:00-13:40

○

題名	A Simple View of NBTI Degradation
著者	M. A. アラム(パーデュー大)
Title	A Simple View of NBTI Degradation
Author	M. A. Alam(Department of Electrical and Computer Engineering, Purdue University)
ページ	pp. 25 - 30

13:40-14:00

題名	pMOSにおけるVox/Eoxドリブン絶縁破壊
著者	辻川真平, 志賀克哉, 梅田浩司, 由上二郎, 大野吉和, 米田昌弘(ルネサステクノロジ)
Title	Vox/Eox-driven Breakdown of Ultra-thin SiON Gate Dielectric in p+gate-pMOSFET under Low Stress Voltage of Inversion Mode
Author	Shimpei Tsujikawa, Katsuya Shiga, Hiroshi Umeda, Jiro Yugami, Yoshikazu Ohno, Masahiro Yoneda(Renesas Technology Corp.)
ページ	pp. 31 - 36

14:00-14:40

○

題名	Study of breakdown in nanoscale high-k gate stack using transmission electron microscopy
著者	K. L. ペイ(ナンヤン工科大), C. H. トゥング(シンガポールマイクロエレクトロニクス研究所), R. ランジャン(ナンヤン工科大, シンガポールマイクロエレクトロニクス研究所), D. S. アング(ナンヤン工科大)
Title	Study of breakdown in nanoscale high-k gate stack using transmission electron microscopy
Author	K. L. Pey(Nanyang Tech. Univ.), C. H. Tung(Institute of Microelectronics, Singapore), R. Ranjan(Nanyang Tech. Univ., Institute of Microelectronics, Singapore), D. S. Ang(Nanyang Tech. Univ.)
ページ	pp. 37 - 42

14:40-15:00

題名	水素に起因したゲート酸化膜の劣化機構の統一的な理解
著者	三谷祐一郎, 山口豪(（株）東芝研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー), 鳥海明(東京大学大学院工学系研究科)
Title	Hydrogen-related Degradation Mechanisms in NBTI and SILC
Author	Yuichiro Mitani, Takeshi Yamaguchi(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation), Akira Toriumi(Department of Material Science, The University of Tokyo)
ページ	pp. 43 - 48

休憩

15:20-15:50

○

題名	ひずみSOI/SGOI/GOI CMOS技術
著者	手塚勉, 沼田敏典, 入沢寿史, 中払周, 臼田宏治, 平下紀夫, 守山佳彦, 杉山直治(MIRAI-ASET), 豊田英治(東芝セラミックス), 宮村佳児(コマツ電子金属), 高木信一(MIRAI-ASET, 東京大学大学院)
Title	Strained SOI/SGOI/GOI CMOS Technology
Author	Tsutomu Tezuka, Toshinori Numata, Toshifumi Irisawa, Syu Nakaharai, Koji Usuda, Norio Hirashita, Yoshihiko Moriyama, Naoharu Sugiyama(MIRAI-ASET), Eiji Toyoda(Toshiba Ceramics), Yoshiji Miyamura(Komatsu Electronics Metals), Shinichi Takagi(MIRAI-ASET, Univ. Tokyo)
ページ	pp. 49 - 54

15:50-16:10

題名	酸化膜形成と欠陥発生の同時観察によるSi(001)表面酸化の統合的解明
著者	小川修一, 高桑雄二(東北大学多元物質科学研究所)
Title	Oxidation Mechanism on Si(001) Surface Studied by the Simultaneous Observation of Oxide Growth and Defect Generation
Author	Shuichi Ogawa, Yuji Takakuwa(IMRAM, Tohoku University)
ページ	pp. 55 - 60

16:10-16:30

題名	Deal-Groveの式に代わる新しいSi熱酸化速度方程式の提案
著者	渡邉孝信, 辰村光介, 大泊巌(早稲田大学)
Title	A new rate equation for thermal oxidation of silicon replacing Deal-Grove’s equation
Author	Takanobu Watanabe, Kosuke Tatsumura, Iwao Ohdomari(Waseda University)
ページ	pp. 61 - 66

16:30-17:40

ポスターショートプレゼン

休憩

18:00-19:30

夕食・懇親会

19:30-22:00

ポスターセッション

2006年2月4日(土)

9:00-9:40

○

題名	Characterization of Electron States in High-k Insulators and at their Interfaces using Internal Photo-Emission Spectroscopy
著者	V. V. アファナシエフ, A. ステスマン(ルーベン大)
Title	Characterization of Electron States in High-k Insulators and at their Interfaces using Internal Photo-Emission Spectroscopy
Author	V. V. Afanasiev, A. Stesmans(Department of Physics, University of Leuven)
ページ	pp. 67 - 72

9:40-10:00

題名	走査型容量顕微鏡によるHf系ゲート絶縁膜の誘電特性の空間分布
著者	内藤裕一, 安藤淳(産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門), 小木曽久人(産業技術総合研究所先進製造プロセス研究部門), 神山聡, 奈良安雄, 中村邦雄(（株）半導体先端テクノロジーズ), 渡部平司, 安武潔(大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻)
Title	Spatial Fluctuation of Dielectric Properties in Hf-based High-k Gate Films Studied by Scanning Capacitance Microscopy
Author	Yuichi Naitou, Atushi Ando(Nanoelectronics Research Institute, AIST), Hisato Ogiso(Advanced Manufacturing Research Institute, AIST), Satoshi Kamiyama, Yasuo Nara, Kunio Nakamura(Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete), Inc), Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 73 - 77

10:00-10:20

題名	アモルファスHigh-k材料誘電率の第一原理計算
著者	濱田智之, 籾田浩義(東京大学生産技術研究所), 大野隆央(（独）物質・材料研究機構)
Title	First principles study of dielectric constants of amorphous high-k materials
Author	Tomoyuki Hamada, Hiroyoshi Momida(Institute of Industrial Science, University of Tokyo), Takahisa Ohno(National Institute of Materials Research)
ページ	pp. 79 - 83

休憩

10:40-11:10

○

題名	STEM-EELSを用いたHigh-k絶縁膜の誘電的性質の評価
著者	五十嵐信行, 間部謙三 , 高橋健介, 西藤哲史(NEC システムデバイス研究所)
Title	Analysis of electronic structure and dielectric nature of high-k films by using STEM-EELS
Author	Nobuyuki Ikarashi, Kenzo Manabe, Kensuke Takahashi, Motofumi Saitoh(System Devices Research Laboratories, NEC Corporation)
ページ	pp. 85 - 90

11:10-11:30

題名	硬X線光電子分光による極薄SiO₂膜の誘電率の推定
著者	木原正道, 岡本英介, 野平博司(武蔵工業大学), 高田泰孝(理化学研究所/SPring-8), 池永英司(高輝度光科学センター/SPring-8), 小林大輔(宇宙科学研究本部), 小林啓介(高輝度光科学センター/SPring-8), 服部健雄(武蔵工業大学総合研究所), 廣瀬和之(宇宙科学研究本部)
Title	Study on Dielectric Constant of Ultrathin SiO₂ Film by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
Author	Masamichi Kihara, Hidesuke Okamoto, Hiroshi Nohira(Musashi Institute of Technology), Yasutaka Takata(RIKEN/SPring-8), Eiji Ikenaga(JASRI/SPring-8), Daisuke Kobayashi(ISAS), Keisuke Kobayashi(JASRI/SPring-8), Takeo Hattori(Adbanced Research Laboratories), Kazuyuki Hirose(ISAS)
ページ	pp. 91 - 96

11:30-11:50

題名	NH*による直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
著者	樋口正顕(東北大学工学研究科), 品川誠治(武蔵工業大学工学部), 寺本章伸(東北大学未来情報産業共同研究センター), 野平博司(武蔵工業大学工学部), 池永英司, 小林啓介(高輝度光科学研究センター/SPring8), 服部健雄(東北大学未来情報産業共同研究センター / 武蔵工業大学), 須川成利(東北大学工学研究科), 大見忠弘(東北大学未来情報産業共同研究センター )
Title	The dependence of the intermediate nitridation states density at Si₃N₄ /Si interface on surface Si atoms density
Author	Masaaki Higuchi(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Seiji Shinagawa(Musashi Institute of Technology), Akinobu Teramoto(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University), Hiroshi Nohira(Musashi Institute of Technology), Eiji Ikenaga, Keisuke Kobayashi(JASRI/SPring8), Takeo Hattori(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University / Musashi Institute of Technology ), Shigetoshi Sugawa(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Tadahiro Ohmi(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University)
ページ	pp. 97 - 102

昼食

13:00-13:30

○

題名	Hf系High-kゲート絶縁膜のスケーラビリティ
著者	奈良安雄, 犬宮誠治, 神山聡, 中村邦雄((株)半導体先端テクノロジーズ第一研究部)
Title	Scalability of Hf-based High-k gate dielectrics
Author	Yasuo Nara, Seiji Inumiya, Satoshi Kamiyama, Kunio Nakamura(Research Department 1, Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete))
ページ	pp. 103 - 107

13:30-13:50

題名	High-kゲート絶縁膜をつかったCMISにおけるVth制御
著者	林岳, 水谷斉治, 井上真雄, 由上二郎, 土本淳一, 安間正俊, 小森重樹, 塚本和宏(ルネサステクノロジ/ウェハプロセス技術統括部), 塚本康正, 新居浩二(ルネサステクノロジ/設計技術統括部), 西田征男, 佐山弘和, 山下朋弘, 尾田秀一, 栄森貴尚, 大路譲(ルネサステクノロジ/ウェハプロセス技術統括部)
Title	Vth-tunable CMIS Platform with High-k gate Dielectrics
Author	Takashi Hayashi(Renesas Technology Corp./Wafer Process Engineering Development Div.), Masaharu Mizutani, Masao Inoue, Jiro Yugami, Junichi Tsuchimoto, Masatoshi Amma, Shigeki Komori, Kazuhiro Tsukamoto(Renesas Technology Corp./Process Development Dept.), Yasumasa Tsukamoto, Koji Nii(Renesas Technology Corp./Design Technology Div.), Yukio Nishida, Hirokazu Sayama, Tomohiro Yamashita, Hidekazu Oda, Takahisa Eimori, Yuzuru Ohji(Renesas Technology Corp./Process Development Dept.)
ページ	pp. 109 - 114

13:50-14:10

題名	Hf系High-kゲート酸化膜への窒素添加による酸素空孔形成促進と特性劣化
著者	梅澤直人(物質・材料研究機構), 白石賢二(筑波大学), 赤坂泰志, 犬宮誠治((株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)), 上殿明良(筑波大学), 宮崎誠一(広島大学), 知京豊裕, 大野隆央(物質・材料研究機構), 奈良安雄((株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)), 山田啓作(早稲田大学)
Title	Degradation of Reliability of Hf-based High-k Gate Oxides Caused by an Unfavorable Effect of N Incorporation on Accelerating Oxygen Vacancy Formation
Author	Naoto Umezawa(National Institute for Materials Science), Kenji Shiraishi(University of Tsukuba), Yasushi Akasaka, Seiji Inumiya(Semiconductor Leading Edge Technology Inc.), Akiyoshi Uedono(University of Tsukuba), Seiichi Miyazaki(Hiroshima University), Toyohiro Chikyow, Takahisa Ohno(National Institute for Materials Science), Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technology Inc.), Keisaku Yamada(Waseda University)
ページ	pp. 115 - 120

14:10-14:30

題名	窒素高濃度極薄SiON膜のVfb改善メカニズム
著者	松下大介, 村岡浩一, 中崎靖, 加藤弘一, 菊地祥子, 佐久間究, 三谷祐一郎(（株）東芝 LSI基盤技術ラボラトリー), 高柳万里子, 江口和弘(（株）東芝セミコンダクター社)
Title	Improvement of Vfb shift with high N density SiN-based SiON gate dielectrics
Author	D. Matsushita, K. Muraoka, Y. Nakasaki, K. Kato, S. Kikuchi, K. Sakuma, Y. Mitani(Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation), M. Takayanagi, K. Eguchi(Semiconductor Company, Toshiba Corporation)
ページ	pp. 121 - 126

14:30-15:00

○

題名	金属／絶縁体界面の物理：その構造と電子特性
著者	中山隆史(千葉大)
Title	Physics at metal/insulator interfaces: structures and electronic properties
Author	Takashi Nakayama(Chiba Univ. )
ページ	pp. 127 - 132

休憩

15:20-15:50

○

題名	メタルゲート/High-k MOSFETにおけるフルシリサイドゲート技術の現状と課題
著者	生田目俊秀(MIRAI)
Title	Present Status and Issues in Full-Silicide Technology of Metal-Gate/High-k MOSFET
Author	Toshihide Nabatame(MIRAI)
ページ	pp. 133 - 138

15:50-16:10

題名	NiSiフルシリサイド/SiO₂ゲートスタックにおける不純物によるしきい値変化メカニズム
著者	間部謙三, 長谷卓, 五十嵐信行, 忍田真希子, 辰巳徹(NECシステムデバイス研究所), 渡部平司, 安武潔(大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻), 渡辺啓仁(NECシステムデバイス研究所)
Title	Analysis of the Origin of Threshold Voltage Change Induced by Impurity in Fully Silicided NiSi/SiO₂ Gate Stacks
Author	Kenzo Manabe, Takashi Hase, Nobuyuki Ikarashi, Makiko Oshida, Toru Tatsumi(System Devices Research Laboratories, NEC Corporation), Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Hirohito Watanabe(System Devices Research Laboratories, NEC Corporation)
ページ	pp. 139 - 144

16:10-16:30

題名	金属電極／high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響
著者	大毛利健治(物質・材料研究機構), P. Ahmet(東京工業大学), 白石賢二(筑波大学), 渡部平司(大阪大学), 赤坂泰志(Selete), 山部紀久夫(筑波大学), K.-S. Chang, M. L. Green(National Institute for Standards and Technology), 山田啓作(早稲田大学), 知京豊裕(物質・材料研究機構)
Title	Influences of Annealing Conditions on Flatband Voltage Properties Using Continuously Workfunction-Tuned Metal Electrodes
Author	K. Ohmori(National Institute for Materials Science), P. Ahmet(Tokyo Institute of Technology), K. Shiraishi(University of Tsukuba), H. Watanabe(Osaka University), Y. Akasaka(Selete), K. Yamabe(University of Tsukuba), K.-S. Chang, M. L. Green(National Institute for Standards and Technology), K. Yamada(Waseda University), T. Chikyow(National Institute for Materials Science)
ページ	pp. 145 - 149

16:30-17:00

○

題名	high-k/metal gate MISFETにおける電極材料選択
著者	赤坂泰志((株)半導体先端テクノロジーズ)
Title	Material selection for high-k/metal gate MISFETs
Author	Yasushi Akasaka(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (Selete))
ページ	pp. 151 - 156

閉会にあたって

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2006年2月3日(金) 19:30-22:00)

【形成・基礎物性】

題名	酸素中性粒子ビームを用いた極薄酸化膜の形成
著者	田口智啓, 生駒亨, 福田誠一(東北大学流体科学研究所), 遠藤和彦(産業技術総合研究所), 渡部平司(大阪大学大学院工学研究科), 寒川誠二(東北大学流体科学研究所)
Title	Ultra-thin Silicon Dioxide Film Formed by Oxygen Neutral Beam
Author	Chihiro Taguchi, Toru Ikoma, Seiichi Fukuda(Institute of Fluid Science, Tohoku University), Kazuhiko Endo(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Heiji Watanabe(Graduate School of Engineering, Osaka University), Seiji Samukawa(Institute of Fluid Science, Tohoku University)
ページ	pp. 157 - 160

題名	HfO₂/SiO₂/Siの酸化に伴うSiO₂/Si界面からのSiの放出
著者	趙明, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二(京都大学マイクロエンジニアリング専攻), 植松真司(NTT物性基礎科学研究所), 鳥居和功, , (（株）半導体先端テクノロジーズ), 山田啓作(早稲田大学ナノテクノロジー研究所)
Title	Outdiffusion of Si from the SiO₂/Si interface during oxidation of the HfO₂/SiO₂/Si structure
Author	Zhao Ming, Kaoru Nakajima, Motofumi Suzuki, Kenji Kimura(Department of Micro Engineering, Kyoto University), Masashi Uematsu(NTT Basic Research Laboratories), Kazuyoshi Torii, Satoru Kamiyama, Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.), Keisaku Yamada(Nanotschnology Research Laboratories, Waseda University)
ページ	pp. 161 - 165

題名	Si熱酸化膜/Si(100)界面原子構造の理論検討
著者	影島博之, 植松真司(ＮＴＴ物性科学基礎研究所), 赤木和人, 常行真司(東京大学大学院理学系研究科), 秋山亨(三重大学工学部), 白石賢二(筑波大学大学院数理科学研究科)
Title	Theoretical study on atomic structures of Si thermal oxide/Si(100) interfaces
Author	Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu(NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation), Kazuto Akagi, Shinji Tsuneyuki(Graduate School of Science, University of Tokyo), Toru Akiyama(Faculty of Engineering, Mie University), Kenji Shiraishi(Graduate School of Pure and Applied Science, University of Tsukuba)
ページ	pp. 167 - 170

題名	EELSと第一原理計算によるNiSiの電子状態解析
著者	川崎直彦, 杉山直之, 大塚祐二, 橋本秀樹(（株）東レリサーチセンター)
Title	Electronic structure of NiSi from EELS and ab-initio calculation
Author	Naohiko Kawasaki, Naoyuki Sugiyama, Yuji Otsuka, Hideki Hashimoto(Toray Reserch Center Inc.)
ページ	pp. 171 - 176

題名	Ge上極薄膜Siのプラズマ酸化によるSiO₂/Ge MISキャパシタの作製と界面特性評価
著者	熊谷寛, 七条真人(東京大学大学院新領域創成科学研究科), 石川寛人, 星井拓也(東京大学工学部), 菅原聡, 高木信一(東京大学大学院新領域創成科学研究科)
Title	Fabrication of SiO₂/Ge MIS capacitors by plasma oxidation of ultrathin Si films on Ge and the electrical characteristics
Author	Hiroshi Kumagai, Masato Shichijo, Hiroto Ishikawa, Takuya Hoshii, Satoshi Sugahara, Shinichi Takagi(The University of Tokyo)
ページ	pp. 177 - 182

題名	Hf系のゲート絶縁膜のPoly-Si/TiN電気特性評価
著者	李明範, 大塚文雄, 赤坂泰志, 粕谷透, 南甲振, 奈良安雄((株)半導体先端テクノロジーズ)
Title	Metal gate characteristics of poly-Si/TiN on Hf-based gate oxide
Author	Lee Myoung-bum, Fumio Ootsuka, Yasushi Akasaka, Tooru Kasuya, Nam Gap-Jin, Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.)
ページ	pp. 183 - 188

題名	水蒸気放電によるW/HfO₂/Ge構造の界面反応抑制
著者	村岡浩一(（株）東芝 LSI先端技術ラボラトリ)
Title	Suppression of Interfacial Reactions in W/HfO₂/Ge Structures by Water Vapor Discharge
Author	Kouichi Muraoka(Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corp.)
ページ	pp. 189 - 194

題名	シリコン初期酸化の動的パーコレーション
著者	福田常男, 中山弘(大阪市立大学大学院工学研究科)
Title	Kinetic percolation of initial silicon oxidation
Author	Tsuneo Fukuda, hiroshi Nakayama(Grad. School of Eng. Osaka City Univ.)
ページ	pp. 195 - 198

題名	Si/SiO₂界面の第一原理電子状態計算　－界面欠陥のリーク/チャネル電流への影響ー
著者	中川大輔, 朽木克博, 小野倫也, 広瀬喜久治(大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻)
Title	First-principles study on electronic structure of Si/SiO2 interface -effect of defects on leakage/channel current-
Author	Daisuke Nakagawa, Katsuhiro Kutsuki, Tomoya Ono, Kikuji Hirose(Department of Precision Science & Technology, Osaka University)
ページ	pp. 199 - 202

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名	Ge-MIS構造における表面熱処理雰囲気の電気特性への影響
著者	田岡紀之(半導体MIRAI-AIST), 池田圭司, 山下良美, 杉山直治(半導体MIRAI-ASET), 高木信一(半導体MIRAI-AIST, 東大院新領域)
Title	Effect of thermal treatment in various ambient conditions for Ge(001) substrates on electrical characteristics of Ge-MIS structure.
Author	Noriyuki Taoka(MIRAI-AIST), keiji Ikeda, Yoshimi Yamashita, Naoharu Sugiyama(MIRAI-ASET), Shin-ichi Takagi(MIRAI-AIST, Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 203 - 208

Title	Enhancing memory efficiencies of Si nanocrystals floating gate memories with high-k gate oxides
Author	Prakaipetch Punchaipetch, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki(Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology), Atsushi Tomyo, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata(Process Research Center R&D Laboratory, Nissin Electric Co. Ltd), Sadayoshi Horii(Semiconductor Equipment System Laboratory, Hitachi Kokusai Electric Inc.)
ページ	pp. 209 - 214

題名	パルスレーザー蒸着法によるPrシリケイト膜の作製とその構造及び電気的特性評価
著者	有吉恵子, 坂下満男, 酒井朗(名大院工), 小川正毅(名大先端研), 財満鎭明(名大院工)
Title	Preparation of Pr Silicate by Pulsed Laser Deposition and Evaluation of the Film Structures and Electrical Properties
Author	Keiko Ariyoshi, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Graduate School of Eng. Nagoya Univ.), Masaki Ogawa(CCRAST Nagoya Univ.), Shigeaki Zaima(Graduate School of Eng. Nagoya Univ.)
ページ	pp. 215 - 220

題名	陽極酸化法によるHfO₂下地酸化膜の成長
著者	大西一功, 高橋芳浩, 新垣久, 藤田明良, 南卓士(日本大学/理工学部電子情報工学科)
Title	Growth of the SiO₂ layer under HfO₂ Films on Si Substrate by Anodic Oxidation
Author	Kazunori Ohnishi, Yoshihiro Takahashi, Hisashi Shingaki, Akira Fujita, Takashi MInami(Department of Electronics and Computer Science, College of Science & Technology, Nihon University)
ページ	pp. 221 - 225

題名	3nm厚HfAlOx膜の伝導と劣化
著者	内藤達也, 樋口恵一, 蓮沼隆, 山部紀久夫(筑波大学大学院電子・物理工学専攻)
Title	Conduction and degradation of 3nm-thick HfAlOx
Author	Tatsuya Naito, Keiichi Higuchi, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba)
ページ	pp. 227 - 232

題名	分極率の制御による三元系High-k膜の高誘電率化へのアプローチ
著者	喜多浩之, 山本芳樹, 富田一行, 趙毅, 鳥海明(東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
Title	Design Methodology of Higher-k Ternary Dielectric Films with Polarizability Engineering
Author	Koji Kita, Yoshiki Yamamoto, Kazuyuki Tomida, Yi Zhao(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo), Akira Toriumi(Materials Engineering, The University of Tokyo)
ページ	pp. 233 - 238

題名	希土類酸化物クラスター（La₂O₃, Ce₂O₃, Gd₂O₃）の電子構造についての第一原理計算
著者	土井謙太郎(京大院工マイクロエンジニアリング専攻 ), 三日月豊, 杉野真也, 立花明知(京大院工マイクロエンジニアリング専攻)
Title	First-principle Study on Electronic Structures of Rare Earth Oxide clusters
Author	Kentaro Doi, Yutaka Mikazuki, Shinya Sugino, Akitomo Tachibana(Kyoto Univ. Dept. of Microengineering)
ページ	pp. 239 - 244

題名	サブナノメートルEOT HfSiONゲートスタックにおける界面層/HfSiON層膜厚制御の重要性
著者	水谷斉治((株)ルネサステクノロジ/プロセス開発部), 林岳((株)ルネサステクノロジ/先端デバイス開発), 井上真雄, 由上二郎, 大野吉和((株)ルネサステクノロジ/プロセス開発部)
Title	The Impact of Thickness Control in HfSiON Gate Dielectric on Electron Mobility with sub-nm EOT
Author	Masaharu Mizutani(Resesas Technology Corp./Process Development Dept.), Takashi Hayashi(Resesas Technology Corp./Advanced Device Development Dept.), Masao Inoue, Jiro Yugami, Yoshikazu Ohno(Resesas Technology Corp./Process Development Dept.)
ページ	pp. 245 - 249

【メタルゲート電極】

題名	NiSi薄膜の組成・構造評価
著者	齋藤正裕, 岡田一幸, 松田景子, 杉山直之(東レリサーチセンター)
Title	Analysis for NiSi Composition and Structure
Author	Masahiro Saito, Kazuyuki Okada, Keiko Matsuda, Naoyuki Sugiyama(Toray Research Center Inc. )
ページ	pp. 251 - 256

題名	メタル電極形成条件がMetal/HfSiON界面反応と電気特性に及ぼす影響
著者	吉田慎一, 渡辺康匡, 喜多祐起, 志村考功, 渡部平司, 安武潔(大阪大学大学院工学研究科), 赤坂泰志, 奈良安雄(㈱半導体先端テクノロジーズ), 白石賢二(筑波大学), 山田啓作(早稲田大学)
Title	Effects of Intrinsic and Extrinsic Reaction at Metal/High-k Interfaces on Electrical Properties of Gate Stacks
Author	Shinichi Yoshida, Yasumasa Watanabe, Yuki Kita, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake(Graduate School of Engineering, Osaka University), Yasushi Akasaka, Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.), Kenji Shiraishi(University of Tsukuba), Keisaku Yamada(Waseda University)
ページ	pp. 257 - 261

題名	Ni germanideゲート電極における仕事関数の組成依存性
著者	池野大輔, 近藤博基, 坂下満男, 酒井朗(名古屋大学大学院・工学研究科・結晶材料工学専攻), 小川正毅(名古屋大学・先端技術共同研究センター), 財満鎭明(名古屋大学大学院・工学研究科・結晶材料工学専攻)
Title	Composition dependence of work function in Nickel-germanide gate electrode
Author	Daisuke Ikeno, Hiroki Kondp, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University), Masaki Ogawa(Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University), Shigeaki Zaima(Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 263 - 268

題名	ニッケルシリサイド／SiO2界面の偏析不純物による仕事関数変調
著者	吉木昌彦, 土屋義規, 小山正人, 木下敦寛, 上牟田雄一, 竹野史郎, 古賀淳二((株)東芝研究開発センター)
Title	Work Function Modulation Due to Segregated Dopant at Nickel-Silicide / SiO₂ Interface
Author	Masahiko Yoshiki, Yoshinori Tsuchiya, Masato Koyama, Atsuhiro Kinoshita, Yuuichi Kamimuta, Shiro Takeno, Junji Koga(Corporate R&D Center, Toshiba Corpration)
ページ	pp. 269 - 274

題名	VII、VIIIおよびI B族金属材料のpMOS用メタルゲート適用検討
著者	中村源志, 赤坂泰志(半導体先端テクノロジーズ), 渡部平司(大阪大学大学院工学研究科), 大塚文雄, 奈良安雄(半導体先端テクノロジーズ)
Title	A Study of Metal Materials of Group VII, VIII and I B for pMOS Gate Electrode
Author	Genji Nakamura, Yasushi Akasaka(Semiconductor Leading Edge Technologies), Heiji Watanabe(Graduate School of Engineering, Osaka University), Fumio Ootsuka , Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technologies)
ページ	pp. 275 - 280

題名	熱CVD法によるN-MOSFETゲート用TaN及びTaSiN薄膜の形成
著者	杉田義博, 赤坂泰志, 大塚文雄, 奈良安雄(（株）半導体先端テクノロジーズ)
Title	Thermal Chemical Vapor Deposition of TaN and TaSiN Thin Film for Future Metal Gate Electrode of N-MOSFET
Author	Sugita Yoshihiro, Akasaka Yasushi, Ootsuka Fumio, Nara Yasuo(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. )
ページ	pp. 281 - 286

題名	HfSiON上における相制御Niフルシリサイド(Ni-FUSI)ゲート電極の実効仕事関数決定機構
著者	高橋健介, 寺井真之, 長谷卓, 辰巳徹(NEC システムデバイス研究所)
Title	Determination of Effective Workfunction for Fully-silicided Ni-silicide (Ni-FUSI) Gate on HfSiON
Author	Kensuke Takahashi, Masayuki Terai, Takashi Hase, Toru Tatsumi(System Devices Research Laboratories, NEC Corporation)
ページ	pp. 287 - 292

題名	不純物添加NiSi/SiO₂ゲートスタック構造の界面評価
著者	細井卓治, 佐野孝輔, 日野真毅(広島大学ナノデバイス・システム研究センター), 大田晃生, 牧原克典, 加久博隆, 宮崎誠一(広島大学先端物質科学研究科), 芝原健太郎(広島大学ナノデバイス・システム研究センター)
Title	Characterization of Doped Fully-Silicided NiSi/SiO₂ Gate Stacks
Author	Takuji Hosoi, Kosuke sano, Masaki Hino(Res. Cnt. for Nanodevices and Systems, Hiroshima University), Akio Ohta, Katsunori Makihara, Hirotaka Kaku, Seiichi Miyazaki(Grad. School of AdSM., Hiroshima University), Kentaro Shibahara(Res. Cnt. for Nanodevices and Systems, Hiroshima University)
ページ	pp. 293 - 296

題名	低温分割CVD成膜方法によるP-MISFET向けTiNメタルゲート電極
著者	坂下真介, 森健壹, 水谷斉治, 井上真雄, 山成真一, 由上二郎, 浅井孝祐, 大野吉和(（株）ルネサステクノロジ/プロセス開発部)
Title	Low temperature divided CVD technique of TiN metal gate electrodes for P-MISFETs
Author	Shinsuke Sakashita, Kenichi Mori, Masaharu Mizutani, Masao Inoue, Shinichi Yamanari, Jiro Yugami, Koyu Asai, Yoshikazu Ohno(Renesas Technology Corp. / Process Development Dept.)
ページ	pp. 297 - 302

【評価】

題名	超薄膜化したエピタキシャルZrO₂/SiO_x/Si(001)薄膜のナノ構造評価
著者	木口賢紀(東京工業大学/総合分析支援センター), 脇谷尚樹(東京工業大学大学院/理工学研究科材料工学専攻), 水谷惟恭(東京工業大学/ものつくり教育研究支援センター), 篠崎和夫(東京工業大学大学院/理工学研究科材料工学専攻)
Title	Nano-structure investigation of epitaxial ultra-thin ZrO₂/SiO_x/Si(001) stacked layer
Author	Takanori Kiguchi (Center for Advanced Materials Analysis, Tokyo Institute of Technology), Naoki Wakiya(Dept. of Metallurgy & Ceramics Science, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology), Nobuyasu Mizutani(Art and Crafts Education and Research Support Center, Tokyo Institute of Technology), Kazuo Shinozaki(Dept. of Metallurgy & Ceramics Science, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology)
ページ	pp. 303 - 308

題名	ラマン分光法を用いた局所歪み計測の現状と課題
著者	杉江隆一, 井上敬子, 松田景子, 迫秀樹, 大塚祐二 , 味岡恒夫, 吉川正信(東レリサーチセンター)
Title	Measurements of Local Strain in LSI by Raman Spectroscopy
Author	Ryuichi Sugie, Keiko Inoue, Keiko Matsuda, Hideki Sako, Yuji Otsuka, Tsuneo Ajioka, Masanobu Yoshikawa(Toray Research Center)
ページ	pp. 309 - 314

題名	放射光光電子分光とX線吸収分光によるSiN薄膜の化学結合状態とバンドオフセットの評価
著者	豊田智史, 岡林潤, 組頭広志, 尾嶋正治(東京大学), 劉国林, 劉紫園, 池田和人, 臼田宏治(半導体理工学センター)
Title	Evaluation of chemical states and band offsets in SiN/Si studied by photoemission and x-ray absorption spectroscopy
Author	Satoshi Toyoda, Jun Okabayashi, Hiroshi Kumigashira, Masaharu Oshima(The University of Tokyo), Guo Lin Liu, Ziyuan Liu, Kazuto Ikeda, Koji Usuda(STARC)
ページ	pp. 315 - 318

題名	放射光光電子分光によるpoly-Si/HfO₂/Siゲートスタック構造の解析: 光電子スペクトルの加熱時間依存性
著者	高橋晴彦, 豊田智史, 岡林潤, 組頭広志, 尾嶋正治(東京大学院工学系研究科), 池田和人, 劉国林, 劉紫園, 臼田宏治(半導体理工学センター)
Title	Annealing Time Dependence of Photoemission Spectra during UHV Annealing of Poly-Si/HfO₂/Si Gate Stack Structure
Author	Haruhiko Takahashi, Satoshi Toyoda, Jun Okabayashi, Hiroshi Kumigashira, Masaharu Oshima(The University of Tokyo), Kazuto Ikeda, Guo Lin Liu, Zhiyuan Liu, Koji Usuda(STARC)
ページ	pp. 319 - 322

題名	Ge(100)表面の真空紫外光励起NH₃窒化
著者	中川博, 大田晃生, 多比良昌弘, 安部浩透, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一(広島大学先端研)
Title	Nitridation of Ge(100) Surfaces by Vacuum-ultra violet (VUV) Irradiation in NH₃ Ambience
Author	Hiroshi Nakagawa, Akio Ohta, Masahiro Taira, Hiroyuki Abe, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki(Grad. School of AdSM)
ページ	pp. 323 - 327

題名	極薄シリコン酸化膜における膜厚揺らぎがもたらす電気的特性ばらつき
著者	岡本純一, 蓮沼隆, 山部紀久夫(筑波大院電子・物理工)
Title	Fluctuation of electric properties originated from thickness nonuniformity in ultra-thin SiO₂ films
Author	Junichi Okamoto, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe(Institute of Applied Physics,University of Tsukuba)
ページ	pp. 329 - 334

題名	Zerbst解析の拡張による新しい界面特性評価手法の提案
著者	能村英幸, 遠山仁博, 喜多浩之(東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 ), 弓野健太郎, 鳥海明(東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
Title	Proposal of a new analysing method of interface properties by advancement of Zerbst analysis
Author	Hideyuki Nomura, Masahiro Toyama, Koji Kita, Kentaro Kyuno, Akira Toriumi(Department of Materials Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo)
ページ	pp. 335 - 340

題名	極薄SiO₂ MOSの容量換算膜厚（CET）の決定法
著者	富田一行, 喜多浩之, 鳥海明(東京大学・院・工マテリアル工学)
Title	Measurement Methodology for Capacitance Equivalent Thickness (CET) of Ultra Thin SiO₂ MOS Capacitors
Author	Kazuyuki Tomida, Koji Kita, Akira Toriumi(Department of Materials Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo )
ページ	pp. 341 - 346

題名	軟Ｘ線吸収発光分光法によるSiO₂/Si界面価電子状態のサイト選択的観測
著者	山下良之, 山本達, 向井孝三, 吉信淳(東京大学物性研究所), 原田慈久, 高田恭孝, 徳島高 , 辛埴 (理研/Spring-8), 赤木和人, 常行真司(東京大学大学院理学系研究科)
Title	Direct observation of site-specific valence electronic structure at the SiO₂/Si interface
Author	Yoshiyuki Yamashita, Susumu Yamamoto, Kozo Mukai, Jun Yoshinobu(ISSP, Univ. of Tokyo), Yoshihisa Harada, Yasutaka Takata, Takashi Tokushima, Shik Shin(Riken/Spring-8), Kazuto Akagi, Shinji Tsuneyuki(Dep. of Phys. Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 347 - 350

題名	極薄GeO ₂/Ge(100)ヘテロ構造のX線光電子分光分析
著者	大田晃生, 中川博, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一(広島大学大学院先端物質科学研究科)
Title	XPS study of ultrathin GeO ₂/Ge(100) heterostructures
Author	Akio Ohta, Hiroshi Nakagawa, Murakami Hideki, Seiichirou Higashi, Seiichi Miyazaki(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University)
ページ	pp. 351 - 356

題名	N添加Hfシリケート薄膜の光電子分光分析
著者	大田晃生 , 中川博, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一(広島大学大学院先端物質科学研究科), 犬宮誠治, 奈良安雄((株)半導体先端テクノロジーズ)
Title	Photoemission study of ultrathin HfSiOxN/Si(100) system
Author	Akio Ohta, Hiroshi Nakagawa, Murakami Hideki, Seiichirou Higashi, Seiichi Miyazaki(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Seiji Inumiya, Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge technologies, Inc.)
ページ	pp. 357 - 362

題名	高分解能RBSによるHfAlON/SiON/Siの深さ方向分析精度の向上
著者	笹川薫, 藤川和久(コベルコ科研)
Title	Accuracy of the Depth Profile of HfAlON/SiON/Si Measured by High-resolution RBS
Author	Kaoru Sasakawa, Kazuhisa Fujikawa(Kobelco Research Institute, Inc.)
ページ	pp. 363 - 366

【信頼性】

題名	Hole注入法によるNBTI寿命予測
著者	渡辺一史(東北大学大学院工学研究科), 寺本章伸(東北大学未来情報研究館), 黒田理人(東北大学大学院工学研究科)
Title	An Accurate Lifetime Prediction Method Using Hole Injection Method
Author	Kazufumi Watanabe(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Akinobu Teramoto(New Industry Hatchery Center, Tohoku University), Rihito Kuroda(Graduate School of Engineering, Tohoku University)
ページ	pp. 367 - 372

題名	水素によって誘起されるシリコン酸化膜中の欠陥生成
著者	宮田正靖(セイコーエプソンテクノロジープラットフォーム研究所), アドリ C. T. ヴァンドゥーイン, ウィリアム A. ゴッダード III(カリフォルニア工科大学マテリアル・プロセスシミュレーションセンター)
Title	Hydrogen-induced Defect Generation in SiO₂
Author	Masayasu Miyata(Technology Platform Research Center, Seiko Epson Corporation), Adri C. T. van Duin, William A. Goddard III(Materials and Process Simulation Center, California Institute of Technology)
ページ	pp. 373 - 376

題名	極薄スパッタSiO₂膜を用いた低温poly-Si TFTにおける信頼性
著者	上野仁, 菅原祐太, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆(奈良先端科学技術大学院大学/物質創成科学), 芹川正(東京大学)
Title	Reliability of Thin Gate Oxide Deposited by Sputtering for Low-Temperature Poly-Si TFT
Author	Hitoshi Ueno, Yuta Sugawara, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki(Nara Institute of Science and Technology/Material Science), Tadashi Serikawa(The University of Tokyo)
ページ	pp. 377 - 382

題名	分子動力学計算によるシリコン酸窒化膜の安定構造とその電子状態
著者	土井謙太郎(京大院工マイクロエンジニアリング専攻 ), 阪本俊夫, 上原寛貴, 立花明知(京大院工マイクロエンジニアリング専攻)
Title	Molecular Dynamics calculation of stable structures and electronic properties of SiON film
Author	Kentaro Doi, Toshio Sakamoto, Hiroki Uehara, Akitomo Tachibana(Kyoto Univ. Dept. of Microengineering)
ページ	pp. 383 - 387

題名	La₂O₃-Al₂O₃複合膜中の局所電流リークの起源と酸素熱処理の効果
著者	世古明義, 佐合寿文, 坂下満男, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科), 小川正毅(名古屋大学先端技術共同研究センター), 財満鎭明(名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Origins of Local Current Leakage in La₂O₃-Al₂O₃ Composite Films and Effect of Thermal Oxidation on the Leakage Property
Author	Akiyoshi Seko, Toshifumi Sago, Mitsuo Sakashita(Graduate School of Engineering, Nagoya University ), Akira Sakai(Graduate School of Engineering, Nagoya University), Masaki Ogawa(CCRAST, Nagoya University), Shigeaki Zaima(Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 389 - 394

応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」 第11回研究会研究報告プログラム