| 題名 | 非接触給電のシステム構成に関する一考察 |
| 著者 | *三戸 勝彦, 大久保 典浩, 沖段 和磨 (中国電力) |
| キーワード | 非接触給電 |
| アブストラクト | ２００７年にMITが２ｍ離れた電球を非接触で点灯させたことから，非接触給電技術が注目され様々な機関で研究が進められている。今回，磁界共鳴方式（電磁界結合方式）による非接触給電システムを構築し実験を行ったので，その概要を紹介する。 |
| 題名 | ノーマリオフ形GaNパワーデバイスの評価 |
| 著者 | *松崎 公洋, 山田 洋明, 田中 俊彦 (山口大学 大学院理工学研究科), 岡本 昌幸 (宇部工業高等専門学校) |
| キーワード | GaN, パワーデバイス, 高速スイッチング |
| アブストラクト | GaNはSiに代わるパワーデバイスとして注目されており，省エネルギー化に貢献できる次世代のデバイスとして期待されている．最近では，600V以上の耐圧を持つGaNパワーデバイスも市場に供給されており，これらGaNを用いたPV用パワーコンディショナに関する発表も行われている．しかし，製品化されているGaNパワーデバイスは各社で評価条件が異なり，データシートのみでデバイスを選定することができない．本論文では，製品化されている600V以上の耐圧を持つ2種類のノーマリオフ形GaNパワーデバイスについて同条件の基で評価し，比較を行ったので報告する． |
| 題名 | SiC MOSFETを用いた4 kW，400kHz 高周波インバータ |
| 著者 | *倉地 真也, 吉竹 拓也, 山田 洋明, 田中 俊彦 (山口大学 大学院理工学研究科) |
| キーワード | SiC MOSFET, 高周波インバータ, パワー半導体デバイス |
| アブストラクト | ワイドギャップ半導体デバイスであるSiC MOESFETが普及段階を迎えている．SiC MOS FETは低オン抵抗，高温動作が可能，かつ高速スイッチングが可能な点に特徴が ある． これらの特徴から，大容量誘導加熱用高周波インバータのスイッチングデバイスとし てSiC MOSFETを用いることで高効率化および高密度化が期待されている．本論文 では，SiC MOSFETを用いて，定格出力4 kW，駆動周波数400 kHzの高周波インバータ を試作し，その動作を確認したので報告する． |
| 題名 | 200W級LED投光器駆動電源の電流制御法 |
| 著者 | *片元 優太, 山田 洋明, 田中 俊彦 (山口大学 大学院理工学研究科), 岡本 昌幸 (宇部工業高等専門学校), 矢田 智春 (新日本無線) |
| キーワード | LED駆動電源, 線形調光, 二並列接続回路方式, DC-DCコンバータ |
| アブストラクト | 電力変換効率を向上したLED 駆動電源として，フライバックコンバータを二並列接続した回路方式が提案されている．同文献の方式では，低電流出力時にコンバータのデューティ比を十分に確保できない課題があった．著者らは先に，この課題の解決を目的として，電流出力に応じて電圧制御指令を可変とする各コンバータの協調制御による電流制御を提案している．本稿では，直流側の実機を構成し，各コンバータの動作を検証したので報告する． |
| 題名 | マトリックスコンバータを用いたかご形誘導機式風力発電システムの突入電流抑制装置における変換器容量の検討 |
| 著者 | *柴田 翔, 山田 洋明, 田中 俊彦 (山口大学), 岡本 昌幸 (宇部工業高等専門学校) |
| キーワード | マトリックスコンバータ, 風力発電, 突入電流, 瞬時電圧低下 |
| アブストラクト | 著者らは先に，かご形誘導機式風力発電システムにおける突入電流をマトリックスコンバータを用いた突入電流抑制装置により抑制する手法を提案し，シミュレーションによりシステムの有用性を確認した．マトリックスコンバータは出力側を誘導機に対して整合用変圧器を介して直列接続し，入力側を系統に並列接続する．マトリックスコンバータの出力電圧は誘導機電流と同相とすることで，マトリックスコンバータを等価的な抵抗として動作させ，突入電流を抑制する．本論分では，整合用変圧器の巻数比を変更した場合のマトリックスコンバータの等価抵抗と変換器容量の関係をシミュレーションにより確認したので報告する． |